本发明公开了一种超声液相还原制备单分散锗纳米晶的方法。采用在超声反应条件下通过金属氢化物还原氯化锗制备近单分散锗纳米晶的方法。在本制备方法中为了促进锗纳米晶的形成，采用具有高能量的超声水浴代替高温反应环境，促进纳米晶的形成及在溶液中的分...

本发明公开了一种用于纳米光子技术的单晶硅纳米膜的制备方法，在完成将具有数百到数纳米厚度的绝缘体上硅片和衬底片进行清洗、烘干后，将绝缘体上硅片的顶层硅一侧和衬底片进行键合，并去除键合后的绝缘体上硅片的底层硅，获得单晶硅纳米膜。采用本发明制...

本发明公开了一种银纳米线的合成方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明的提供了一种形貌选择性好、效率高的两步工艺的合成方法，在惰性气体保护下，首先将浓度极稀硝酸银乙二醇溶液加入到乙二醇中制备银晶种，然后将浓度较高的硝酸银乙二醇溶液和相应浓...

本发明公开了一种适合ＳｉＣ晶须生长的方法。在石墨坩埚中，使铁族或镧系元素－硅化物合金化的硅化物熔化为熔体，生长设备为高温真空气氛烧结炉生成ＳｉＣ晶须，石墨坩埚是作为－Ｓｉ合金融化的容器又作为实验中的碳源，流动氩气作保护气氛。本发明生长的...

本发明公开的制备硫化镉纳米线的方法，以氯化镉为镉源，硫脲为硫源，二苯硫腙为修饰剂，以己二胺为溶剂，于反应釜中充分反应制得。本发明制备方法以及使用设备简单；制得的ＣｄＳ纳米线为单晶，沿（１００）方向取向生长，长径比在２５０以上，尺寸分布均...

本发明涉及一种四方相钙钛矿锆钛酸铅单晶纳米棒的制备方法，其主要特征是利用聚乙烯醇辅助水热反应实现锆钛酸铅单晶纳米棒的合成。首先共沉淀法制备锆、钛羟基氧化物共沉淀，将其和硝酸铅作为水热合成锆钛酸铅的反应物料，并在水热系统中引入聚乙烯醇作为...

本发明公开了一种热分解制备单分散锗纳米晶的方法。采用氯化锗与油胺发生加成反应后的产物油胺锗作为锗源，在２９０℃下回流７ｈ制备了尺寸均一，表面被表面活性剂包裹的Ｇｅ纳米晶粒子。根据实验结果找到了一种最佳制备单分散Ｇｅ纳米晶粒子的方法。这种...

本发明公开了一种制备多枝状羟基氧化锰单晶纳米花的方法，该方法是以高锰酸钾为氧化剂，聚乙二醇为还原剂，在密闭反应器中，于１００～２００℃的温度下进行水热反应，通过控制反应温度、反应时间和原料配比，可制备出多枝状羟基氧化锰单晶纳米花，各分枝...

本发明公开了一种合成碳包覆锗纳米线的方法，其步骤如下：以水解四氯化锗形成的氧化锗为催化剂，将催化剂放入温度为７００～１０００℃的固定床气体连续流动反应炉中，通入乙炔、氩气或氮气，乙炔与氩气或氮气的气体流量比为１∶５～１∶２０，反应１０～...

本发明公开了一种合成碳化硅纳米棒的方法。碎硅片置于石墨坩锅里，将盛有碳纳米管的多孔氧化铝基片放置于坩锅上，随后倒置另一石墨坩锅于基片上；将坩锅放置真空高温烧结炉里，以１０～３０℃／ｍｉｎ的升温速率一直升温到１４００℃～１６００℃，保温时...

本发明公开了一种直拉式晶体生长炉自动控制方法及系统。将硅晶体原材料放到坩埚内；利用氩气保护控制模块控制；并利用坩埚加热与冷却控制模块控制坩埚加热控制部件的功率和冷却水的流量，综合控制坩埚内的普通硅原材料加热熔化和外壳的冷却进行熔晶；启动...

本发明公开了重掺硼直拉硅片的基于快速热处理的内吸杂工艺，步骤如下：１）将重掺硼硅片清洗后先在氩气氛下于１２００－１２８０℃热处理５－５０秒，然后保持温度不变，将处理气氛变换成氧气，继续热处理５－５０秒，最后在氧气氛下冷却；或者先在氩气氛...

本发明公开的制备硫化铅纳米树枝晶的方法，其步骤是：室温下将十二烷基磺酸钠、聚乙烯吡咯烷酮、醋酸铅和硫代乙酰胺在水中搅拌混合形成白色胶体状混合液，将该溶液置于８０－１００℃的水浴中搅拌反应得到黑色沉淀，该沉淀经过滤、干燥，得到树枝状硫化铅...

本发明公开的掺杂锗的定向凝固铸造多晶硅，含有浓度为１×１０↑［１５］～１×１０↑［１７］／ｃｍ↑［３］的磷或硼，其特征是还含有浓度为１×１０↑［１６］～１×１０↑［１９］／ｃｍ↑［３］的锗。本发明利用锗能够钉杂硅中位错提高机械强度的性质...

本发明公开的Ｓｂ掺杂生长ｐ型ＺｎＯ晶体薄膜的制备方法，步骤如下：称量ＺｎＯ和Ｓｂ↓［２］Ｏ↓［３］粉末，其中Ｓｂ摩尔百分含量为１．５～４％，将上述粉末球磨混合均匀、压制成型，烧结制得掺Ｓｂ的ＺｎＯ陶瓷靶；将陶瓷靶和衬底放入脉冲激光沉积装...

本发明的立方相、岩盐矿结构Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｎ↓［ｘ］Ｏ薄膜及其制备工艺，属于氧化物稀磁半导体薄膜的制备技术领域，其特征是采用电子束反应蒸发法，利用ＭｎＯ的含量相对较高的（ＭｎＯ）↓［ｙ］（ＺｎＯ）↓［１－ｙ］（ｙ为摩尔比，ｙ＝０．２～...

本发明公开了一种具有镍酸锂缓冲层的外延钛酸锶铅薄膜及制备方法。在ＭｇＯ基板的一面沉积一层缓冲层导电电极ＬＮＯ薄膜，在缓冲层导电电极ＬＮＯ薄膜上再沉积一层钙钛矿相ＰＳＴ薄膜。其步骤如下：首先以碳酸锂，氧化镍，碳酸铅，碳酸锶，氧化钛为原料，...

本发明公开了一种溶剂热分解法制备单晶锗纳米线的方法。采用三辛胺作为高沸点溶剂，高温分解有机锗先驱体，制备出了长度在微米级、单一生长方向的锗纳米线，线径在２０－１２０ｎｍ之间可控。比较了不同反应时间、不同先驱体浓度对制备锗纳米线的影响，根...

本发明公开了具有内吸杂功能的掺锗硅片及其制备方法，硅片的氧浓度为５～１５×１０↑［１７］ｃｍ↑［－３］，锗浓度为１×１０↑［１３］～１×１０↑［２０］ｃｍ↑［－３］，洁净区宽度为１０～１００μｍ，体微缺陷密度为１×１０↑［５］～１×１０...

本发明公开的Ｓｂ掺杂生长ｐ型Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ晶体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法。靶材是由纯ＺｎＯ、ＭｇＯ和Ｓｂ↓［２］Ｏ↓［３］粉末混合烧结的陶瓷靶，其中Ｍｇ的摩尔百分含量ｘ为０＜ｘ＜２０％，Ｓｂ的摩尔百分含量ｙ为０＜...