一种微氮低氧低碳直拉硅单晶的制备方法应用外加磁场的单晶炉，以纯度为９９．９９％的氮气或氩一氮混合气作为保护气体，通过合理控制炉内压力、气体流量等工艺制备微氮低氧低碳直拉硅单晶，其氧含量可低于１０ｐｐｍａ，碳含量可低于１ｐｐｍａ掺入氮含量...

一种中低阻直拉硅单晶的制备方法，采用纯度为９９．９９％的氮、氩或氮—氩混合气作为保护气体，同时以硅磷合金和硅锑合金作为掺杂剂，控制掺杂剂的杂质浓度和掺入量，获得电阻率为０．５～１０Ω.ｃｍ、１０～５０Ω.ｃｍ、５０～９０Ω.ｃｍＮ型直拉...

一种控制直拉硅单晶中氮含量的方法，用９９．９９％以上的纯氮作为保护气体，采用分段控制炉内氮气压力，特别是熔硅阶段的氮气压力严格控制在２～１５托范围内，获得硅单晶中氮含量为１．０×１０＋［１４］～７．０×１０＋［１４］／ｃｍ＋［３］，且保...

一种含氮直拉硅单晶的热处理方法，其特征是在氮保护气氛下，分别经过８５０℃～１１５０℃高温退火处理和６５０℃中温退火处理。通过这种热处理后的含氮直拉硅单晶，才能有效地消除硅中氮含量和氧含量的附加施主干扰，才便于电阻率测试和半导体器件制造。

本发明公开的去除硅单晶中重金属杂质的方法，是利用铁、铜、金等有害重金属在金属熔体中的溶解度远大于在硅单晶中溶解度的特点，把硅单晶浸入熔化的对硅单晶载流子寿命无影响的高纯锡或镓或铝或铟或铅或它们的组合的金属熔体中，使硅单晶中的有害重金属杂...

本发明公开了一种直拉硅单晶生长的重掺杂方法。其步骤如下：１）用高纯硅做成“伞形，掺杂器，“伞柄”即为籽晶；２）将“伞形”掺杂器倒夹在籽晶夹头上；３）掺杂剂倒入掺杂器内；４）待多晶硅熔化后，下降籽晶，使掺杂器浸入硅熔体内。本发明是通过掺杂...

本发明的棒状多晶ＧａＮ的二步制备方法包括以下步骤：１）采用热浴法用清洗液清洗衬底；２）将清洗后的衬底放入热蒸发装置的衬底托上，将镓源放在热蒸发装置的石英坩埚内，热蒸发装置抽真空到１Ｐａ～１０↑［－３］Ｐａ，加热，使衬底温度升到６００～８...

本发明的多晶硅融化掺氮生长微氮硅单晶的方法是硅单晶生长过程中，在多晶硅融化时，用高纯氮气作为保护气，高纯氮气的压力为５～２００Ｔｏｒｒ，流量为１～２００　ｌ／ｍｉｎ，氮气通入时间１～１０００分钟，在多晶硅融化后，转化为氩气保护，直至硅晶...

本发明的生长硅单晶的方法是：将多晶硅在单晶炉中高纯氩气保护下融化、生长，在晶体生长完成后的冷却过程中转换成高纯氮气保护，氮气的压力在５～２００Ｔｏｒｒ，氮气的流量在１～２００　ｌ／ｍｉｎ，直至晶体冷却到室温，出炉。本发明的优点是：在硅单...

本发明公开的氮气氛生长氮浓度可控微氮硅单晶的方法是：先将多晶硅在高纯氩气保护下，升温融化，待多晶硅融化后，将保护气从高纯氩气转化为高纯氮气，高纯氮气的压力为５～２００Ｔｏｒｒ，流量在１～２００　ｌ／ｍｉｎ，在氮气通入１～６００分钟后，再...

本发明的微量掺锗直拉硅单晶，它含有浓度为１×１０＃＋［１３］～１×１０＃＋［２１］／ｃｍ＃＋［３］的磷或硼或砷或锑，浓度为１×１０＃＋［１３］～１×１０＃＋［２０］ｃｍ＃＋［－３］的锗。这种直拉硅单晶，由于掺杂微量的锗，锗元素的最外层电...

本发明的金属有机化合物汽相沉积装置包括用闸板阀连通的生长室和进样室，生长室中有旋转的水平样品盘，其特征是在生长室的顶部设置垂直于样品盘的副气路管道，生长室的侧壁设置水平主气路管道，在副气路管道的出气口连接一锥形石英罩。工作时，主气路管道...

本发明的ｎ型Ｚｎ＃－［１－ｘ］Ｍｇ＃－［ｘ］Ｏ晶体薄膜，其ｎ型掺杂剂的掺杂浓度为１０＃＋［１５］～１０＃＋［２１］ｃｍ＃＋［－３］，载流子浓度为１０＃＋［１４］～１０＃＋［１９］ｃｍ＃＋［－３］。制备采用脉冲激光沉积法，步骤如下：先取高...

本发明的ｐ型Ｚｎ＃－［１－ｘ］Ｍｇ＃－［ｘ］Ｏ晶体薄膜，其ｐ型掺杂剂的掺杂浓度为１０＃＋［１５］～１０＃＋［２１］ｃｍ＃＋［－３］，载流子浓度为１０＃＋［１４］～１０＃＋［１９］ｃｍ＃＋［－３］。制备采用脉冲激光沉积法，步骤如下：先取高...

一种磁场下生长低缺陷密度直拉硅单晶的方法，其步骤如下：　　　　将多晶硅放入石英坩埚中，并掺入高纯的锗，在１００－１００００Ｇ磁场强度和保护气体下，将温度升到１４００℃～１４５０℃，使锗熔入多晶硅熔液中，锗在单晶硅中的掺杂浓度为１×１０↑...

ｃ轴取向铌酸锂晶体薄膜的制备方法，其特征在于步骤如下：　　　　（１）将清洗后的硅单晶片放入退火炉中，在常压下持续通入高纯氧气进行氧化，氧化温度为８００℃－１１００℃，氧化时间１－８小时，生成非晶ＳｉＯ↓［２］薄膜；　　　　（２）以氧化后...

本发明的生产高强度直拉硅单晶用的籽晶的制备方法，步骤如下：选择间隙氧浓度在（３～３０）×１０↑［１７］ｃｍ↑［－３］直拉硅单晶，先在３５０～１３００℃温度范围热处理１０分钟～６０小时，然后，再将硅单晶切割加工成圆柱形或长方形籽晶；或者首...

本发明公开了一种阳极氧化铝模板中一维硅纳米结构的制备方法。首先利用等离子体化学沉积方法结合多孔氧化铝的空间限制作用低温生长一维硅纳米结构，包括硅纳米线和硅纳米管。首先采用阳极氧化方法制备具有蜂窝孔洞结构的多孔氧化铝模板，孔洞排列有序，孔...

本发明的ＺｎＯ纳米晶柱／纳米晶丝复合结构产品属于一种用气相外延技术制备得到的氧化物微结构材料，其特征是先在衬底表面生长出高度ｃ－轴取向（即垂直于衬底表面）的、高密度且均匀分布的六方结构ＺｎＯ纳米晶柱阵列，然后再在ＺｎＯ纳米柱阵列之上形成...

本发明公开了一种制备纤维状氧化锌晶须的方法及其装置，其特征在于：以氧化锌粉末为原料，将装有一定量氧化锌粉末的石墨舟置于温控高温炉内，在石墨舟的端口上盖上一个供纤维状氧化锌晶须生长用的衬底，两者之间留有一个通气口，温控高温炉从室温开始加热...