本发明公开的Ｎａ掺杂生长ｐ型ＺｎＯ晶体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法，首先将纯氧化锌和碳酸钠粉末球磨混合后压制成型，烧结，制得掺Ｎａ↓［２］Ｏ的ＺｎＯ靶材；然后在脉冲激光沉积装置的生长室中，以掺Ｎａ↓［２］Ｏ的ＺｎＯ为靶材，以纯Ｏ↓...

本发明公开的管壁层数可控的碳纳米管的制备方法，其步骤如下：将过渡金属盐、载体盐和分散剂混合后用去离子水配成溶胶或溶液，用溶胶凝胶法或者冷冻干燥法干燥溶胶或溶液，制得催化剂；把催化剂置于催化剂室中送入ＣＶＤ装置的恒温反应器中，在保护气氛中...

本发明公开的一维结构钛酸锶纳米粉体的制备方法，包括制备钛的羟基氧化物沉淀和锶的去离子水溶液作为反应物料，加入适宜量的氢氧化钾促进晶化，并添加适宜浓度的聚乙烯醇表面活性剂控制形貌，于１００～１５０℃下，水热反应得到钛酸锶纳米线和由纳米线构...

本发明公开的室温制备钛酸钡纳米粉体的方法，包括制备钛的羟基氧化物沉淀和乙酸钡的去离子水溶液作为反应物料，以乙二胺或乙二胺和乙醇胺的混合溶液作为溶剂，加入适宜浓度的氢氧化钾促进晶化，于室温下磁力搅拌一定时间即可得到分散性好的钛酸钡纳米粉体...

本发明公开了一种基于电弧放电法制备单壁碳纳米管薄膜的装置。它包括电弧放电真空室，电弧放电真空室与真空泵相连接，电弧放电真空室内设有石墨阴极和石墨阳极，石墨阴极和石墨阳极与直流电源相连接，其特征在于在石墨阴极和石墨阳极上分别设相配合的上球...

本发明公开的纳米锆酸钡的制备方法，包括制备锆的羟基氧化物沉淀以及乙酸钡的去离子水溶液作为反应原料，以乙二胺与单乙醇胺、二乙醇胺或三乙醇胺的混合溶液作溶剂，加入适宜浓度的氢氧化钾促进晶化，于１５０～２３０℃下，溶剂热反应得到分散性良好的锆...

本发明公开了制备空心球状硫化镉纳米晶的方法，采用的是是水热法，首先，将十二烷基磺酸钠和十六烷基三甲基溴化铵加入到去离子水中充分搅拌至完全溶于水中形成透明溶液，接着加入氯化镉和硫代乙酰铵，搅拌混合均匀；然后，将混合液加入到水热反应釜中，密...

本发明公开的Ｎａ掺杂生长ｐ型Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ晶体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法，首先将纯氧化锌、氧化镁和碳酸钠粉末球磨混合后压制成型，烧结，制得掺Ｎａ↓［２］Ｏ的Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ靶材，ｘ＝０．０５～０．３...

本发明公开了填充金属Ｚｎ的碳纳米管的制备方法，采用金属Ｚｎ的水溶性盐作为Ｚｎ源，将其溶于去离子水中，再利用燃烧法制成催化剂粉末，将催化剂粉末在化学气相沉积炉中，用氢气还原催化剂，然后以乙炔为碳源，氮气为保护气，在５００℃～８００℃的温度...

本发明公开了一种单壁纳米碳管薄膜的纯化方法。该方法是采用氧化法将薄膜状的单壁纳米碳管中的无定形碳杂质除去，然后，使用一定浓度的盐酸除去金属催化剂颗粒。本方法可快速得到高纯度的单壁纳米碳管，经透射电子显微镜的观察与分析表明，单壁纳米碳管薄...

本发明涉及一种溶胶的制备方法，旨在提供一种钒掺杂可见光响应二氧化钛纳米晶复合溶胶的制备方法，包括以下步骤：（１）在搅拌条件下将四氯化钛、硫酸钛或钛酸丁酯其中至少一种加入１～１０倍（ｍ／ｍ）的醇稀释溶剂中，搅拌均匀；（２）在５～９５℃水浴...

本发明涉及一种溶胶的制备方法，旨在提供一种可见光响应铁酸锌纳米晶溶胶的制备方法，包括以下步骤：（１）将可溶性锌盐和可溶性铁盐按Ｚｎ∶Ｆｅ的摩尔比为１∶２溶解于水中，水用量为锌盐和铁盐总量的１０～１５０倍（ｍ／ｍ），并加入水溶性高分子，搅...

本发明公开了一种在低温下制备高光催化活性的二氧化钛纳米晶的方法，该方法为溶胶－凝胶法，首先将钛的化合物溶解于有机溶剂中，得到Ａ液；再将ｐＨ值１～６的水溶液和有机溶剂混合，得到Ｂ液；将Ａ液缓慢的逐滴滴入Ｂ液中，搅拌直到形成稳定的溶胶；将溶...

本发明公开了一种从白云岩制备硫酸钙晶须的方法。它是一种以白云岩为原材料，通过矿石酸化、微波合成晶种、水热合成晶须等步骤，制备硫酸钙晶须的方法。硫酸钙晶须是指长径比为１０～１００００的纤维状硫酸钙晶体，其强度接近于材料原子间价键的理论强度...

本发明公开了一种以白云岩和苦卤为原料制备碱式氯化镁晶须的方法。它主要包括如下步骤：首先将天然白云岩进行煅烧及酸化处理分别得到白云岩锻粉和白云岩酸溶液；将白云岩酸溶液与苦卤混合反应除去苦卤中的硫酸根离子得到混合液；将混合液与白云岩煅粉按一...

本发明涉及制备太阳级硅的方法，步骤如下：先用氮化硅或石英制作底部中心厚度大于边沿厚度，且从底部中心到边沿厚度平滑递减的舟状坩埚，在坩埚的内表面均匀地喷涂氮化硅层；然后将坩埚放入烧结炉中烧结；再向坩埚中放入硅料，通过严格控制熔化温度和熔区...

本实用新型涉及的连续处理电镀废水的旋流澄清装置包括在壳体内自内向外依次同轴线套置内筒、档圈和下小上大的锥形筒，内筒的下段为圆柱形，上段筒径逐渐扩展呈喇叭状，进水管伸入壳体与内筒下端相切连通，锥形筒的大端周向与壳体内壁相连，锥形筒的小端周...

本发明公开了一种含有无机类富勒烯纳米材料的复合镀层及其制备方法，是在镀层中含有无机类富勒烯纳米材料的硫化钨或硫化钼。采用化学镀或电镀，在化学镀液和电镀液中，含有１～３５ｇ／Ｌ的无机类富勒烯纳米材料的硫化钨或硫化钼。本发明的复合镀层不仅具...

电子元器件电镀前处理防止电性能降低方法，其特征在于：在盛有电子元器件的真空容器中引入疏水、疏油或双疏溶剂，然后继续抽真空３０～３００分钟，清洗，在室温、大气条件下晾干，所用的溶剂有硅油、硅氧烷、全氟代乙烷、含氟有机硅氧烷化合物及其混合物。

本发明公开了一种含有类富勒烯结构的稀土氟化物纳米材料的复合镀层及其制备方法。这种复合镀层的制备是采用复合化学镀或复合电沉积，在复合镀液中含有５～４０ｇ／Ｌ的类富勒烯结构的稀土氟化物纳米材料。所述的类富勒烯结构稀土氟化物纳米材料为ＬａＦ↓...