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浙江大学专利技术
浙江大学共有78756项专利
一种Fe-Mn-Cr系电弧喷涂粉芯丝材制造技术
本发明公开了一种Fe-Mn-Cr系电弧喷涂粉芯丝材,它主要由外包层和粉芯组成;其中,所述外包层为低碳钢带或不锈钢带;所述粉芯主要由Mn粉、Cr粉、FeSi粉、Al粉、Cr↓[3]C↓[2]粉和Ni粉组成;它们的重量百分比分别为Mn粉40...
一种制备无机化合物薄膜的装置制造方法及图纸
本实用新型的制备无机化合物薄膜的装置由电子束蒸发装置、基板和感应耦合等离子源构成,感应耦合等离子源包括ICP发射装置、匹配网络、射频电源和流量计,其中电子束蒸发装置、ICP发射装置和衬底置于同一真空室内。工作时,电子束蒸发装置以电子束轰...
S-枪磁控溅射源制造技术
一种带有能直接向靶面喷工作气体的充气器、能对阴极靶[4]的底部和侧面进行有效冷却的水冷器和采用高导磁率的软磁材料制成的中心阳极的S—枪磁控溅射源。同已有的磁控溅射源比较,靶材利用率提高80%以上,溅射速率提高50%。对于集成电路、塑料制...
旋转靶柱型磁控溅射器制造技术
本实用新型公开了一种旋转靶柱型磁控溅射器,它包括支承架,靶组件,特征是把磁组件的极靴制成闭合回路极靴,磁钢置于极靴的闭合槽内,用薄壁不锈钢管,把上述磁组件密封成一个略短于靶管的磁组件,外表包复有溅射材料的空心铜靶管,心轴通过动密封组件,...
双层辉光多功能离子轰击炉制造技术
本实用新型公开了一种双层辉光多功能离子轰击炉。它包括由钟罩和底座组成的真空腔,在真空腔内设置由工作台和工件组成的第一阴极,灭弧装置,阳极,保温层,第一可调直流电源,在阳极内侧阴极外侧设有第二阴极,同时还设有第二可调直流电源,而两直流电源...
非铁基表面硅化钛涂层装置制造方法及图纸
非铁基表面硅化钛涂层装置,顶端成一体的在固定支承架上的双层石英玻璃钟罩,内罩有氮气的进气管和气源气的喇叭口在当中向下的进气管,外罩有3~6个均布的出气管,内罩下边沿短于外罩下边沿;在固定支承架中间依次是圆形的电炉、基座,转轴从下面通过固...
电子束蒸发器制造技术
一种电子束蒸发器,包括支承板[3]、阴极组件[4],加速极[5],电磁偏转机构[6],坩埚[7]以及水冷套[H],其中阴极组件[4]由带绝缘子的阴极支杆[41]、阴极丝[42]、聚焦极[43]组成,电磁偏转机构[6]由励磁线圈[61]和...
多源型平面磁控溅射源制造技术
一种多源型平面磁控溅射源,包含一个或多个可作旋转运动的内磁组件(6),由若干个可拆换的异质扇形小靶拼成的阴极靶(8)。用于共溅沉积合金膜、多层膜或单质薄膜,靶材利用率达75%以上,膜层成份配比精度高,厚度均匀性好。
分离磁体式平面磁控溅射源制造技术
一种分离磁体式平面磁控溅射源,它含有一个位于阴极靶[4]外侧的固定式圆环形磁体[2]和一个或若干个作圆周运动的内磁组件构成的磁场源,以及一个优先冷却阴极靶[4]的水冷器。能产生一个或多个作圆周运动的扇形等离子体闭合环,或者产生一个能旋转...
专用于沉积大面积薄膜的平面磁控溅射源制造技术
一种专用于沉积大面积薄膜的平面磁控溅射源,其磁场由条状静止的外磁组件和能作往复运动的内磁组件产生,能对静止的大面积工件表面均匀地镀复阳光控制膜、低辐射膜、镜面膜及导电膜。适用于镀复大面积的工件,如大型建筑玻璃、汽车护栅、露天字牌、大型平...
用于铝材表面沉积类金刚石膜的装置制造方法及图纸
本实用新型公开的用于铝材表面沉积类金刚石膜的装置,包括绝缘材料制的反应室,反应室与化学气相沉积的供气系统及真空系统相连通,在反应室内设有由陶瓷围成的封闭室和两块上下平行的电极,其中上电极位于封闭室中,其下表面紧贴封闭室的底板面,上电极与...
双重加热多功能离子轰击炉制造技术
本实用新型公开了一种双重加热多功能离子轰击炉,它包括钟罩、盖、钟罩体和钟罩底座组成的真空腔,真空腔体内壁面依次设有保温层,辅助电加热器,阳极,在真空腔中间设有阳极及阴极工作台,阳极与阴极之间接有可调直流电源,辅助加热器接有可调交流电源,...
一种制备非晶氢硅薄膜的装置制造方法及图纸
本实用新型公开的制备非晶氢硅薄膜的装置,包括绝缘陶瓷制的反应室,反应室的相对两壁设有对称的平面狭缝式进气通道和出气通道,反应室内有两块上下平行的电极,上电极与高压脉冲电源相连,其下表面覆盖厚度2mm以下的陶瓷板,下电极固定在加热器上并接...
一种可控气体渗氮设备制造技术
本实用新型公开了一种可控气体渗氮设备,包括氨气供给系统分别接渗氮炉和经电动阀、电动调节器接检测电路中的微机,渗氮炉分别与U型管、氨分解率自动测定仪、热电偶接检测电路中的微机。采用将氨分解率自动测定仪的水位转变为电信号,通过微机对电信号进...
一种化学汽相沉积装置制造方法及图纸
本实用新型的化学汽相沉积装置包括用闸板阀连通的生长室和进样室,生长室中有旋转的水平样品盘,其特征是在生长室的顶部设置垂直于样品盘的副气路管道,生长室的侧壁设置水平主气路管道,在副气路管道的出气口连接一锥形石英罩。工作时,主气路管道通入反...
超高真空化学气相沉积装置制造方法及图纸
本实用新型的超高真空化学气相沉积装置包括生长室、预处理室和进样室,生长室中安装有衬底片托盘和加热器,其特征是所说的生长室呈球状,加热器为中间厚、边缘薄的圆形栅栏状石墨片,中间厚部分的直径为整圆直径的50~60%,厚度为边缘厚度的1.1~...
用于聚合物高分子材料表面改性的装置制造方法及图纸
本实用新型公开的用于聚合物高分子材料表面改性的装置,包括绝缘材料制的反应室,反应室的顶部具有杯口朝向大气的石英玻璃介质杯体,紧贴杯底置有一板式上电极,反应室中设有与上电极平行的下电极,下电极固定在加热器上,上电极与等离子体激发脉冲电源相...
溅射源用的充气器制造技术
一种能向阴极靶[8]靶面和工件表面分别喷射工作气体和活性气体的磁控溅射源用的充气器,采用这种充气器能使靶面免受污染,工作气体利用率提高40%,薄膜中杂质含量降低20%,且不产生阴影。同通混合气体的方案相比,溅射速率提高80%以上。
分离磁体式平面磁控溅射源制造技术
一种分离磁体式平面磁控溅射源,其特征是它含有一个位于阴极靶[4]外侧的固定式圆环形磁体[2]和一个或若干个作圆周运动的内磁组件构成的磁场源,以及一个优先冷却阴极靶[4]的水冷器。本溅射源能产生一个或多个作圆周运动的扇形等离子体闭合环,或...
枪式磁控溅射源制造技术
一种带有能直接向靶面喷工作气体的充气器、能对阴极靶[4]的底部和侧面进行有效冷却的水冷器和采用高导磁率的软磁材料制成的中心阳极的S—枪磁控溅射源。同已有的磁控溅射源比较,靶材利用率提高80%以上,溅射速率提高50%。对于集成电路、塑料制...
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