本发明公开的自润多层滑复合涂层是由厚度为１０－５０ｎｍ的金属Ｍｏ层与厚度为２０－１００ｎｍ的ＩＦ－ＭｏＳ↓［２］层交替形成的多层Ｍｏ／ＩＦ－ＭｏＳ↓［２］复合涂层，复合涂层的总厚度为１－５μｍ。该复合涂层的制备是以层状结构的ＭｏＳ↓［２...

一种在液相基底表面生长金属薄膜的技术，其特征是以饱和蒸气压小于真空蒸发气压的液相材料为基底，采用磁控浅溅射或热蒸镀方法，用高速运动的氩离子或被电流加热后的钨丝的能量使金属原子蒸发，然后被蒸发的金属原子沉积到液相基底表面，再通过扩散、成核...

本发明公开的六方纤锌矿结构ＺｎＭｇＯ线材料具有ｃ轴取向，它的组分及其摩尔百分比含量为：Ｚｎ８０～８７，Ｍｇ１３～２０。采用热蒸发法，以高纯氩气和空气为反应气氛，在１０～２０Ｐａ压强下６００～８５０℃下将纯Ｚｎ和纯Ｍｇ粉末混合共蒸发，蒸汽...

本发明公开的立方相纳米ＺｎＭｇＯ线材料具有ｃ轴取向，它的组分及其摩尔百分比含量为：Ｚｎ５～１２，Ｍｇ８８～９５。采用热蒸发法，以高纯氩气和空气为反应气氛，在１０～２０Ｐａ压强下６００～８５０℃下将纯Ｚｎ和纯Ｍｇ粉末混合共蒸发，蒸汽在衬底...

本发明公开了在ＳｉＯ↓［２］表面制备纳米氧化铜的方法，包括以下步骤：１）配制水的体积分率为０．１％－２０％低级醇溶液，搅拌下按每１００ｍｌ低级醇溶液依次加入０．１－２５ｇ的ＳｉＯ↓［２］和０．００５－１０ｇ的Ｃｕ的化合物，充分混合均匀；...

本发明公开了采用火焰法热处理在在医用移植体上制备钙磷酸盐涂层的方法。该方法以钙先驱体、金属离子先驱体、磷先驱体以及含氟化合物和磷酸钙粉末为原料，制得钙磷酸盐凝胶膜并涂覆在医用移植体表面，在医用移植体自转的条件下，用温度为７００～１２００...

本发明公开了一种耐磨减摩镍基复合镀层及其制备方法。采用化学复合镀制备含有碳纳米管（简写为：ＣＮＴｓ）和无机类富勒烯二硫化钨（简写为：ＩＦ－ＷＳ↓［２］）纳米粒子的镍基复合镀层，在化学镀液中含有１．０～５．０ｇ／Ｌ的碳纳米管和２．０～１０...

一种电子陶瓷连续式溅射镀膜设备，包括机体和真空抽气装置，所述真空抽气装置与机体相连通，其特征在于所述机体由依次相邻、且相通的五个真空室构成，相邻的真空室之间设有隔离阀，所述五个真空室分别为预抽室、前过渡室、溅射室、后过渡室和减压室，在所...

本发明涉及一种贴片电感骨架的筒体型镀膜装置，它包括金属筒体、真空抽气装置和惰性气体充气机构，所述真空抽气装置和惰性气体充气机构分别与筒体相连通，其特征是在筒体内腔中设有清洗区、镀膜区和传递区，所述传递区内设有工件架，该工件架能以筒体中心...

一种熔融基底表面功能薄膜的制备方法，其特征是采用在室温下为固相的低熔点低蒸汽压材料为薄膜基底。沉积薄膜之前，升高基底温度，将其熔融而成为液相基底；然后采用磁控溅射或热蒸发等方法，将薄膜材料原子蒸发并沉积到液相基底表面，通过扩散、成核、旋...

本发明公开了一种化学气相沉积过程中的介观尺度温区温度稳定方法。它包括承载衬底的坩埚放入化学气相沉积装置中，通入反应气体，特征是，在承载衬底的坩埚上覆盖金属网。所述金属网尺寸与坩埚尺寸相同，网格的尺寸是０．１－１ｍｍ。金属网的材料不与气相...

本发明公开了一种常压化学气相沉积法制备的硅化钛纳米钉及其制备方法。在纳米线体的一端设有纳米钉头，纳米线体一端与纳米钉头通过过渡区相连接。该方法采用常压化学气相沉积法，以ＳｉＨ↓［４］和ＴｉＣｌ↓［４］为反应物前体，以Ｎ↓［２］为稀释气体...

本发明提供了一种提高钕铁硼永磁材料表面化学镀层结合力的处理方法。本发明采用超声波辅助的工艺方法将钕铁硼磁体在碱性镀液中进行预镀，利用超声波的活化、空化和搅拌作用，在磁体表面获得一层均匀、致密的初始沉积层，从而显著提高钕铁硼磁体表面镍基化...

本发明涉及一种贴片电感骨架的连续溅射镀膜设备，它包括机体、真空抽气装置和惰性气体充气机构，所述真空抽气装置和惰性气体充气机构分别与机体相连通，其特征在于所述机体由依次相通的预抽室、清洗室、溅射腔室和出片室构成，机体内设有基片输送装置，所...

本发明公开了一种常压化学气相沉积法制备的硅化钛纳米线簇及其制备方法。在单根纳米线的一端头部平行生长着多根纳米线构成纳米线簇。该方法采用常压化学气相沉积法，以ＳｉＨ↓［４］和ＴｉＣｌ↓［４］为反应物前体，以Ｎ↓［２］为稀释气体和保护气氛。...

本发明公开的透明的高导电近红外反射镀膜玻璃由衬底和镀在衬底上的近红外反射膜层组成，近红外反射膜层的电子载流子浓度在１．０×１０↑［２１］ｃｍ↑［－３］～６．０×１０↑［２１］ｃｍ↑［－３］。其制备采用磁控溅射法，以锌镓合金为靶材，以Ａｒ...

本发明公开的聚合物高分子材料表面改性的方法，是以清洁后的聚合物高分子材料为衬底，将其置于脉冲激发等离子体化学气相沉积装置的反应室中，先向反应室通入氩气和氢气，用产生的等离子体对室温或加热至５０－１００℃的衬底进行活化处理；再通入纯乙烯气...

本发明公开了一种ＦｅＳ↓［２］薄膜晶粒度的控制方法。控制磁控溅射或蒸镀电子束功率和沉积时间制备厚度为２５～１５０ｎｍ的非晶纯铁膜，再在４００℃进行硫化反应２０ｈ，得到厚度可在７０～５６０ｎｍ范围内变化的ＦｅＳ↓［２］薄膜，所对应的薄膜横...

本发明公开了制备非晶氢硅薄膜的方法及装置，将清洗后的基板置于反应室两块上下平行的电极间，反应室抽真空，以纯氮气为载气，通入氢气稀释的硅烷反应气体，基板在室温或加热至５０～１００℃，开启高压脉冲电源，气体放电沉积薄膜。本发明实现了非晶氢硅...

本发明公开了一种金属材料表面接枝聚合物的方法。首先，将链端带有氨基或羟基的聚氧化乙烯或聚乙二醇，或者含葡萄糖单元的化合物固定在金属材料表面，使其表面具有还原性化学基团；然后，加入高价铈盐和可聚合单体，利用高价铈盐与金属材料表面的还原性基...