【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及除去硅单晶半导体材料中重金属杂质的方法。目前把影响硅单晶载流子寿命的铁、铜、金等重金属杂质从硅单晶中驱除的方法主要有内吸杂和外吸杂两种，内吸杂是利用氧沉淀及其产生的缺陷吸除金属杂质，从而在硅片表面形成一个重金属杂质原子浓度大大下降了的洁净区。外吸杂有背面磷扩散、背面喷沙、背面激光损伤、背面离子注入损伤、背面硅氮化合物沉积、背面多晶硅沉积等。这两种方法均是利用硅片内部或硅片背面形成的缺陷吸除硅片表面工作区(制造器件的区域)的金属杂质，但被吸除的金属杂质仍留在硅片中。因此被吸除的杂质有可能在后道工序中(如高温处理)通过扩散重新进入器件的工作区内。鉴于上述，本专利技术的目的是提供一种简便、可靠、能彻底。本专利技术的技术解决方案是把硅单晶浸入熔化的对硅单晶载流子寿命无影响的高纯度锡或镓或铝或铟或铅或它们的组合的金属熔体中，利用硅单晶中有害重金属在金属熔体中的溶解度远大于在硅单晶中溶解度的特点，使硅单晶中的有害重金属杂质扩散到金属熔体中，而实现彻底去除重金属杂质之目的。具体操作包括如下步骤1)将高纯度的锡或镓或铝或铟或铅金属或它们的组合置于坩埚中熔化成金属熔体。2)将硅单晶预热至与金属熔体相近的温度，然后浸入金属熔体中，硅单晶的有害重金属杂质将通过扩散进入金属熔体。3)去杂质完毕，从金属熔体中取出硅单晶。通常，为了防止硅单晶在金属熔体中溶解，可采取在将硅单晶浸入金属熔体前，先在金属熔体中加入硅，用硅饱和金属熔体。以下结合附图，以锡为例详细叙述本专利技术。锡的熔点为292℃，沸点为2270℃，所以在292℃～2270℃间锡呈液态存在。首先将高纯的锡...
【技术保护点】
去除硅单晶中重金属杂质的方法，其特征在于包括如下操作步骤：１）将高纯度的锡或镓或铝或铟或铅金属或它们的组合置于坩埚中熔化成金属熔体。２）将硅单晶预热至与金属熔体相近的温度，然后浸入金属熔体中，硅单晶的有害重金属杂质将通过扩散进入金属 熔体。３）去杂质完毕，从金属熔体中取出硅单晶。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：季振国，樊瑞新，阙端麟，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]
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