【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种自熔融液的提拉法的单晶生长技术。直拉硅单晶是制造集成电路等半导体器件的最基本的材料。在半导体器件的生产工艺过程中，常用的硅单晶制作的硅片经过氧化、扩散等一系列高温热处理工艺后，容易产生翘曲和碎裂，影响半导体器件的成品率。采用掺氮的硅单晶所制造的半导体器件具有良好的性能和较高的成品率。Semiconductor Silicon 1981 PP54报导了日本信越公司阿部等人提出的在区熔硅单晶中掺入氮以后，由于氮在硅晶格中起着阻碍位错运动的作用，从而提高了硅片的机械强度。Elevctrochem·Soc.1984 Spring Meeting，Ertonded Abstract No.36报导了美国Monsanto公司Chion等人提出在直拉硅单晶中掺入氮以后，由于掺入到直拉硅单晶中的氮和氧的相互作用使硅片强度增加，可以减少器件工艺中高温热处理后硅片的翘曲和碎裂。提高器件的成品率;能抑制硅单晶生长过程中微缺陷的产生，提高晶体的完整性。比较而言，直拉硅单晶制造成本最低，易于实现大直径化，成功地制取掺氮直拉硅单晶将会产生积极的效果。VLSI Scienceand Technology 1985 PP543报导了日本信越公司阿部等人采用熔硅中加入Si3N4粉料制取掺氮直拉硅单晶的方法。但这种方法尚未应用于工业生产，且存在以下缺陷1、若采用该方法，由于Si3N4在熔硅中的溶解速度很低，势必使熔料时间大大延长。2、工艺上难以控制。若硅中的氮浓度过低，则抑制微缺陷和强度提高不明显;如果熔硅中氮浓度过高，超过了氮在熔硅...
【技术保护点】
一种直拉硅单晶的气相掺氮方法，其特征在于采用氮气或者氩－氮混合气作为保护气体，炉内气体压力为５～６０托，气体流量为１～６ｍ↑［３］／ｈｒ。
【技术特征摘要】
1.一种直拉硅单晶的气相掺氮方法，其特征在于采用氮气或者氩-氮混合气作为保护气体，炉内气体压力为5～60托，气体流量为1～6m3/hr。2.按照权利要求1所述的气相掺氮方法，其特征在于作为保护气体实现气相掺氮的氮气可采用纯度为99.99%的氮。3.按照权...
【专利技术属性】
技术研发人员：阙端麟，李立本，陈修治，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：33[中国|浙江]
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