一种双面同步抛光用的碳化硅晶圆抛光液、制备方法与应用技术

本发明专利技术涉及晶体材料后处理技术领域，提供了一种双面同步抛光用的碳化硅晶圆抛光液、制备方法与应用，所述抛光液的成分包括：20‑30wt.%硅溶胶，0.005‑0.05wt.%表面活性剂，8‑17wt.%TiO<subgt;2</subgt;包覆SiO<subgt;2</subgt;核壳光催化磨料，3‑9wt.%双氧水，去离子水；其中，TiO<subgt;2</subgt;含量占所述核壳光催化磨料的20‑35wt.%；所述抛光液与碳面的接触角∶抛光液与硅面的接触角为2‑3.5∶1，所述抛光液的pH值为8‑10；在提高硅面的材料去除率的同时抑制碳面过高的材料去除率，碳面和硅面的材料去除率比显著降低至1.2‑2，同时硅面的材料去除率可以提高到150nm/h以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体材料后处理，涉及一种双面同步抛光用的碳化硅晶圆抛光液、制备方法与应用。

技术介绍

1、碳化硅（sic）材料具有宽禁带、高饱和电子漂移速率、高临界击穿场强和高热导率等优异特性，使得基于sic衬底的半导体功率器件在新能源汽车、智能电网和5g通信等领域得到了广泛应用。按照固体物理学的原理，碳化硅晶圆（也称为碳化硅晶片）的两个面被定义为硅面（si face）和碳面（c face）两个晶面，在实际碳化硅功率器件的应用中，碳化硅晶圆需要进行抛光使得硅面和碳面的表面符合加工要求。化学机械抛光( cmp，chemicalmechanical polishing) 已被认为是目前实现 sic 晶片全局平坦化和超光滑无损伤纳米级表面的最有效加工方法之一，然而 sic 晶片的化学氧化反应受其表面极性的强烈影响，从而导致其不同晶面表面原子在 cmp 过程中的可氧化性以及氧化产物去除的难易程度存在差异（以下简称文献1：chen g m, ni z f, qian s h, et al. influence ofdifferent crystallographic 本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双面同步抛光用的碳化硅晶圆抛光液，其特征在于：所述抛光液的成分包括：20-30wt.% 硅溶胶，0.005-0.05wt.%表面活性剂，8-17wt.% TiO2包覆SiO2核壳光催化磨料，3-9wt.%双氧水，去离子水；其中，所述核壳光催化磨料中，TiO2含量占所述核壳光催化磨料的20-35wt.%；所述抛光液与碳面的接触角∶抛光液与硅面的接触角为2-3.5∶1，所述抛光液的pH值为8-10。

2.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于，在360-370nm波长输出光功率为8000-12000uw/cm2的紫外光照下，所述抛光液的氧化还原电位为420-550 mV。...

【技术特征摘要】

1.一种双面同步抛光用的碳化硅晶圆抛光液，其特征在于：所述抛光液的成分包括：20-30wt.% 硅溶胶，0.005-0.05wt.%表面活性剂，8-17wt.% tio2包覆sio2核壳光催化磨料，3-9wt.%双氧水，去离子水；其中，所述核壳光催化磨料中，tio2含量占所述核壳光催化磨料的20-35wt.%；所述抛光液与碳面的接触角∶抛光液与硅面的接触角为2-3.5∶1，所述抛光液的ph值为8-10。

2.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于，在360-370nm波长输出光功率为8000-12000uw/cm2的紫外光照下，所述抛光液的氧化还原电位为420-550 mv。

3.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述抛光液与碳面的接触角为50-65°。

4.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：皮孝东，鲁雪松，王万堂，王蓉，杨德仁，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：