本发明是一种高雪崩耐量的沟槽型

本发明公开了一种提升

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种抑制寄生现象的MOSFET器件，包括衬底、外延层、漏极电极、埋层、场效应晶体管结构以及双向晶体管结构，其中：衬底和外延层构成漏极区域，漏极区域设置在漏极电极的上方；衬底为N+型，外延层为N

本发明公开了一种沟槽型SiCMOSFET源接触孔的刻蚀方法，属于半导体制造技术领域，该方法对现有技术进行了改进，更换了两步刻蚀过后的清洗液体，使用Clean

本发明属于半导体技术领域，公开了一种SiCMOSFET器件低碳团簇栅氧的制造方法，包括以下步骤：SiC衬底上沉积SiC外延层；SiC外延层进行离子注入并进行高温退火；SiC外延层生长Si外延层；Si外延层上利用低温热氧化法生长栅氧SiO...

本发明公开了一种提高雪崩耐量的沟槽型MOSFET器件的制造方法，包括在N型衬底上沉积N

本发明属于半导体技术领域，公开一种TBOSG双沟槽型SICMOSFET元胞结构、器件及制造方法，包括SiC衬底以及设置在所述SiC衬底上的SiC外延层，所述SiC外延层上具有栅极沟槽，所述栅极沟槽底部设置有厚底氧化物层，所述厚底氧化物层...

本发明公开一种新型栅极总线结构的形成方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：在衬底上形成N型外延层；在N型衬底的背面形成漏电极；在N型外延层内，形成了多个FET元胞14a和FET元胞14b，FET元胞14a各自形成为条形元胞，FET元胞...

本发明公开一种沟槽型MOSFET器件源区的形成方法，属于半导体领域，包括以下步骤：准备P型硅基座，并在P型硅基座上生长一层外延层；在外延层上形成N型区域；在N层区域上形成伸出外延层的沟槽；通过热氧化法在沟槽的内壁和底部形成栅绝缘膜；在栅...

本发明公开了一种沟槽型MOSFET器件的形成方法，属于半导体器件技术领域，该方法的步骤如下：在P+型硅基底上生长一层P

本发明公开了一种键合工艺设备压力均匀性测试方法，包括以下步骤：S1、在键合工艺设备的压头B上放置阻挡片B；S2、在阻挡片B上放置压敏纸；S3、在压敏纸上覆盖阻挡片A；S4、移动阻挡片A以及阻挡片B，确保压敏纸完全放置在阻挡片A以及阻挡片...

本发明公开了一种沟槽型MOSFET器件的制造方法，属于半导体器件技术领域。N型半导体基底上形成低浓度N

本发明公开了一种提升沟槽型SICMOSFET器件开关速度的方法，属于半导体器件技术领域，能够通过在SIC外延层表面形成沟槽并在沟槽底部和侧壁生长栅极氧化膜，在形成的栅极氧化膜上沉积多晶硅薄膜且对沟槽底部多晶硅膜进行刻蚀并在多晶硅薄膜上沉...

本发明属于半导体工艺领域，具体涉及一种双面晶圆化镀工艺，具体步骤包括晶圆正面保护、晶圆背面研磨、背面研磨层的腐蚀和清洗、去除正面保护、背面种子层金属的生长和双面化学镀，本发明提出的双面同时化镀工艺，在镀覆金属层时过程不需外加电源驱动，且...

本发明属于半导体工艺领域，具体为一种激光减薄的碳化硅晶圆背面工艺，包括步骤一：在SiC晶圆正面通过键合胶键合一层玻璃片，用于保护正面的器件结构；步骤二：利用激光在SiC晶圆背面的特定深度形成角质层点平面；步骤三：在SiC晶圆背面再键合一...

本发明提供一种银烧结设备，包括银烧结机构、自动轨道以及设置在自动轨道一侧的机械手，所述银烧结机构包括移动滑轨以及设置在所述移动滑轨上方的烧结模具，所述自动轨道上设有载板载具，所述载板载具上设有芯片载板，所述烧结模具包括上模和下模，所述上...