一种提升沟槽型SICMOSFET器件开关速度的方法技术

本发明专利技术公开了一种提升沟槽型SICMOSFET器件开关速度的方法，属于半导体器件技术领域，能够通过在SIC外延层表面形成沟槽并在沟槽底部和侧壁生长栅极氧化膜，在形成的栅极氧化膜上沉积多晶硅薄膜且对沟槽底部多晶硅膜进行刻蚀并在多晶硅薄膜上沉积Nitride，再通过刻蚀沟槽Nitride并在刻蚀掉Nitride的多晶硅上生长氧化层，然后通过去除剩余的Nitride并在此基础上涨一层多晶硅以形成减小Cgd的新的器件结构方法的方式，实现避免Cgd过大、减慢器件开关速率以及降低器件损耗的技术效果。开关速率以及降低器件损耗的技术效果。开关速率以及降低器件损耗的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
一种提升沟槽型SIC MOSFET器件开关速度的方法


[0001]本专利技术属于半导体器件
，尤其涉及一种提升沟槽型SIC MOSFET器件开关速度的方法。

技术介绍

[0002]一般地，SIC MOSFET器件与SI MOSFET器件相比具有低的导通电阻、耐高温、高的开关速率等特点，在汽车、交通、高压变频等领域有很大的应用优势。但是，沟槽型SIC MOSFET器件的沟槽底部的结构特点却仍然导致沟槽型SIC MOSFET器件的开关速度变慢，而决定开关速度快慢的是沟槽底部电容和栅极电荷。
[0003]沟槽型SICMOSFET器件的电容值是非线性的，它与器件的结构、形态、相关电压有关；在沟槽型SIC MOSFET结构中，电容有三种，分别是栅源电容(Cgs)、栅漏电容(Cgd)、源漏电容(Csd)，即输入电容、输出电容和反向电容，其表达式为Cgd＝Crss，Cgs＝Ciss
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Crss，Cds＝Coss
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Crss。(Ciss是输入电容，Coss是输出电容，Crss是反向电容。)假设源漏、栅源端均断开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提升沟槽型SIC MOSFET器件开关速度的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在SIC外延层表面形成沟槽；S2、沟槽底部和侧壁生长栅氧化膜；S3、在栅极氧化膜上沉积多晶硅膜，并且对沟槽底部多晶硅膜进行刻蚀；S4、在刻蚀后的多晶硅薄膜上沉积Nitride；S5、刻蚀沟槽Nitride；S6、在刻蚀Nitride的多晶硅薄膜上生长氧化层；S7、去除剩余的Nitride；S8、在完成S7的操作后再沟槽内涨一层多晶硅；其中，所述多晶硅薄膜厚度为在所述多晶硅薄膜上沉积的Nitride的厚度为2.根据权利要求1所述的提升沟槽型SIC MOSFET器件开关速度的方法，其特征在于，所述多晶硅膜与Nitride的厚度比例为1:1....

【专利技术属性】
技术研发人员：李鎔碩，马利奇，金秉燮，李旻姝，訾夏雪，
申请(专利权)人：浙江萃锦半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：