半导体器件及其光刻方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其光刻方法，涉及半导体技术领域。其中，本发明专利技术提供的半导体器件光刻方法包括：提供待光刻半导体；在介质层上涂覆负性光刻胶；对负性光刻胶进行刻蚀，露出台阶及两台阶两侧一段的介质层；刻蚀去除台阶两侧一段的介质层，保留台阶和沟槽中部的介质层，形成光刻图形；去除介质层上的负性光刻胶。该方法针对沟槽内光刻图形的制作，将原本的正性光刻胶替换为负性光刻胶，利用负性光刻胶曝光后固化而遮光后能够被刻蚀的特性来形成光刻图形，使得原本在光刻时需要较大曝光面积的沟槽降低曝光面积，避免光线在台阶侧壁或者说是沟槽的侧壁间造成反射，进而改善深沟槽内光刻图形的形貌，提升图形线宽的均一性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其光刻方法


[0001]本专利技术的实施方式涉及半导体
更具体地，本专利技术涉及一种半导体器件及其光刻方法。

技术介绍

[0002]半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换；半导体器件既可以制造为单个分立器件，也可以制造为集成电路(IC)芯片，该集成电路芯片由两个或多个器件构成，并可以在单个半导体晶片(也称为衬底)上互连，该器件的数量从数百个到数十亿个不等。
[0003]碳化硅半导体器件制造技术中的光刻工艺与硅基半导体光刻工艺类似，光刻工艺首先是在掩模版上形成所需要的图形，之后把所需要的图形转移到晶圆表面；在包含有深沟槽结构的半导体器件的制作工艺中，通常会在平整的半导体器件表面刻蚀出深沟槽，然后再进行一系列复杂的工艺流程，例如：在深沟槽内制作光刻图形。
[0004]由于沟槽线宽有限，尤其是对于槽深与线宽的比值较大的深沟槽而言，在沟槽内制作光刻图形对于光刻工艺要求极高，实际光刻过程中常出现光刻图形形貌不良的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件光刻方法，其特征在于：包括：提供待光刻半导体，所述待光刻半导体包括依次层级连接的衬底层、外延层和介质层；其中，所述介质层背离所述外延层的表面设有若干台阶，相邻两个所述台阶间形成沟槽，所述沟槽用于形成光刻图形；在所述介质层上涂覆负性光刻胶；对所述负性光刻胶进行刻蚀，露出所述台阶及所述台阶两侧一段的介质层；刻蚀去除所述台阶两侧一段的介质层，保留所述台阶和所述沟槽中部的介质层，形成所述光刻图形；去除所述介质层上的负性光刻胶。2.根据权利要求1所述的半导体器件光刻方法，其特征在于：所述对所述负性光刻胶进行刻蚀的步骤包括：利用掩膜版在所述负性光刻胶上形成曝光区和遮挡区，其中，所述遮挡区包括所述台阶处和所述台阶两侧一段处的负性光刻胶；利用显影液去除所述遮挡区对应位置的负性光刻胶，以露出所述台阶及所述台阶两侧一段的介质层。3.根据权利要求2所述的半导体器件光刻方法，其特征在于：所述显影液包括有机显影液和水溶性碱性显影液两者中的至少一者。4.根据权利要求1所述的半导体器件光刻方法，其特征在于：所述刻蚀去除所述台阶两侧一段的介质层的步骤包括：利用刻蚀气体，对所述台阶两侧一段的介质进行刻蚀，并在所述外延层表面停止刻蚀。5.根据权利要求4所述的半导体器件光刻方法，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈骆，刘彬，赵常宁，简兆镰，钟海波，
申请(专利权)人：湖南三安半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：