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本发明公开了一种半导体器件及其光刻方法，涉及半导体技术领域。其中，本发明提供的半导体器件光刻方法包括：提供待光刻半导体；在介质层上涂覆负性光刻胶；对负性光刻胶进行刻蚀，露出台阶及两台阶两侧一段的介质层；刻蚀去除台阶两侧一段的介质层，保留台阶...
该专利属于湖南三安半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南三安半导体有限责任公司授权不得商用。

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