昭和电工株式会社专利技术

昭和电工株式会社共有2541项专利

  • 本发明提供可以抑制加热工序中及加热工序后的卷曲的透明导电膜层合体及其加工方法。所述透明导电膜层合体是包含透明导电膜10和层合于所述透明导电膜10上的载体膜1的透明导电膜层合体,其特征在于,所述载体膜1是不具有粘合剂层的聚碳酸酯膜,所述透...
  • 提供将树脂的分子量控制为低分子量侧的共聚物的制造方法。本发明的共聚物的制造方法是使含有烯属不饱和基的化合物聚合,包含:将聚合引发剂与溶剂混合,获得反应液1的工序;调制包含含有烯属不饱和基的化合物的反应液2的工序;和将反应液1与反应液2滴...
  • 本发明提供一种除了良好的光学特性、电特性之外耐弯曲性也优异的透明导电基体。一种透明导电基体,包含透明基材和上述形成在透明基材的至少一个主面上的、含有粘合剂树脂和导电性纤维的透明导电膜,上述透明基材的截断部分的直线度为0.050mm以下。...
  • 本发明涉及SiC外延晶片及其制造方法。本发明的目的在于提供高浓度层的n型掺杂浓度的面内均匀性高的SiC外延晶片。本发明的SiC外延晶片具备SiC单晶基板和设在所述SiC单晶基板上的高浓度层,所述高浓度层的n型掺杂浓度的平均值为1
  • 本发明涉及磁传感器。本发明的课题为:在利用了磁阻抗效应的磁传感器中,与感应元件的短边方向的宽度从长边方向的一端至另一端相等的情况相比,使灵敏度提高。本发明的解决手段为:磁传感器具备非磁性的基板、和设置于前述基板上且由软磁体形成的感应元件...
  • 本发明提供维持氮化铝粒子的高导热性、且耐湿性提高的含硅氧化物被覆氮化铝粒子。其是具有氮化铝粒子和覆盖所述氮化铝粒子表面的含硅氧化物被膜的含硅氧化物被覆氮化铝粒子,其中,碳原子的含量小于1000质量ppm,通过表面AES分析测量得到的Si...
  • 本发明提供流动性、成型性、和成型时从模具的脱模性良好,并且能够形成即使制成具有壁厚不均部的形状也不易产生裂缝,且具有优异的雾化性的固化物的热固性树脂组合物。一种热固性树脂组合物,其特征在于,包含(A)不饱和聚酯树脂、(B)烯属不饱和化合...
  • 本发明提供一种用于获得低电阻的蓄电装置的蓄电装置用集电体。一种蓄电装置用集电体,其特征在于,在片状的导电性基材的一面或两面形成有被覆层,所述被覆层含有粉末状碳材料、酸改性聚1,1
  • 本发明涉及一种含氟醚化合物,其特征在于由式(1)表示。C6H6‑
  • 本发明的一个实施方式涉及锂离子传导性氧化物或锂离子二次电池,该锂离子传导性氧化物至少具有锂、钽、M1、磷和氧作为构成元素,所述M1是选自ⅣB族、将钽除外的
  • 提供能够以短时间导出满足所期望的要求物性的聚合物的设计条件的最优解的材料设计装置。材料设计装置1具备:设定聚合物的设计条件的指定范围的配合比范围输入部11;在通过配合比范围输入部11输入的指定范围内生成多个综合解析点的综合解析点生成部1...
  • 本发明提供式(1)表示的含氟醚化合物。R1‑
  • 式(1)所示的含氟醚化合物。一种含氟醚化合物,其特征在于,由下述式(1)表示。R1‑
  • 本发明的课题是通过将包含银纳米线和结构导向剂且银浓度为1.0质量%以上的银纳米线粗分散液使用交叉流过滤法进行纯化,而可以高产率制造高纯度的银纳米线分散液。为此,本发明是一种银纳米线分散液的制造方法,其包含准备包含银纳米线数/总粒子数>9...
  • 提供能够提高出入口形成部的热交换介质的流动性的热交换器。本发明以热交换器为对象,该热交换器具备:传热部(2),其构成为供热交换介质(L)在内部的中空部流通的热交换流路(20);以及出入口形成部(1a、1b),其内部与热交换流路(20)连...
  • 本发明的一个实施方式涉及锂离子传导性氧化物或锂离子二次电池,该锂离子传导性氧化物至少具有锂、钽、磷、M2和氧作为构成元素,M2是选自将碳除外的ⅣA族元素和Al中的至少一种元素,各构成元素即锂、钽、磷、M2和氧的原子数之比为1:2:1
  • 本发明减少含有黑色染料的感光性树脂组合物的感光抑制,改善图案形成性并提高灵敏度。一实施方案的感光性树脂组合物包含粘合剂树脂(A)、放射线敏感化合物(B)和染料(C),染料(C)包含黑色染料(C1)和除(C1)以外的染料(C2),染料(C...
  • 本发明的课题在于提供即使产生高温部也能够使用的湿式离合装置或湿式制动装置。作为解决本发明课题的方法为使用一种湿式离合装置或湿式制动装置,其具有:能够连接分离的输入旋转力的盘以及传递来自上述盘的旋转力的板,向上述盘与上述板之间供给包含富勒...
  • 本发明提供一种与粘接剂表面的亲和性优异,能够实现高蚀刻速度的组合物。一个实施方式的组合物含有氟化烷基季铵或氟化烷基季铵的水合物、和作为非质子性溶剂的(A)氮原子上不具有活性氢的N
  • 本发明涉及磁传感器。本发明的课题是抑制利用了磁致阻抗效应的磁传感器的输出中的S/N的降低。本发明的磁传感器(1)具备感应元件(31),所述感应元件(31)具有多个软磁体层(105)、和设置于多个软磁体层之间的非磁性非晶金属层(106),...