昭和电工株式会社专利技术

昭和电工株式会社共有2541项专利

  • 提供能够对由雾导致的配管、阀的堵塞进行抑制的氟气的制造方法。通过包括在电解槽内进行电解液的电解的电解工序、在电解时对电解液中的水分浓度进行测定的水分浓度测定工序、以及从电解槽的内部经由流路向外部输送在电解液的电解时在电解槽的内部所产生的...
  • 提供能够有效率地将N
  • 本发明的课题是提供一种能够适用于半导体制造装置的构成部件且耐腐蚀性优异的金属材料。本发明涉及的层叠体具有金属基材、在所述金属基材上形成的含镍镀敷被膜层、以及在所述含镍镀敷被膜层上形成的镀金被膜层,并且,所述镀金被膜层的针孔被厚度为8nm...
  • 本发明的课题是提供一种可适用于半导体制造装置的构成部件且耐腐蚀性、特别是对酸的耐腐蚀性优异的金属材料。本发明涉及的层叠体具有金属基材、在所述金属基材上形成的第1含镍镀敷被膜层、在所述第1含镍镀敷被膜层形成的镀金被膜层、在所述镀金被膜层上...
  • 磁化测定装置具备:电流供给部,其针对在第1方向上具有单轴磁各向异性、并且在与第1方向交叉的第2方向上施加有偏置磁场的由软磁体形成的试样,供给周期性变化的电流;光照射部,其向试样的表面照射相对于电流具有预先规定的延迟时间、并且具有预先规定...
  • 本发明的课题是提供一种可适用于半导体制造装置的构成部件且耐腐蚀性、特别是对酸和高温蒸汽的耐腐蚀性优异的金属材料。本发明涉及的层叠体具有金属基材、在所述金属基材上形成的含镍镀敷被膜层、以及在所述含镍镀敷被膜层上形成的镀金被膜层,并且,所述...
  • 本发明提供一种使用杂多酸催化剂通过烯烃的水合反应来制造醇时,可稳定地长时间使用催化剂的方法。一种醇的制造方法,其特征在于,其是使用担载有杂多酸或其盐的固体酸催化剂,将水和碳原子数为2~5的烯烃供给到反应器,在气相中通过水合反应来制造醇的...
  • 提供不易腐蚀金属的二氧化硫混合物。二氧化硫混合物含有二氧化硫和水。而且,二氧化硫混合物以气相和液相存在的方式被填充到填充容器内,气相的水分浓度为0.005摩尔ppm以上且小于5000摩尔ppm。小于5000摩尔ppm。
  • 本发明提供在由包含N
  • 提供一种金属化合物的除去方法,其能够抑制二氧化硅、氮化硅、多晶硅、金属单质等的除去,并且选择性地除去金属的氧化物、金属的氮化物和金属的氧氮化物。通过使选自金属的氧化物、金属的氮化物和金属的氧氮化物中的至少一种金属化合物与处理液接触,将该...
  • 本发明提供一种树脂组合物,其含有聚合物(A),该聚合物(A)至少具有源自(甲基)丙烯酸羟基苯酯的结构单元及源自亚苯基二(甲基)丙烯酸酯的结构单元。酸酯的结构单元。
  • 提供一种钝化膜的制造方法,其能够再现性良好地制造氧原子的浓度低的钝化膜。采用具备钝化工序的方法制造钝化膜,在该钝化工序中,利用含有含氧化合物和硫化氢的钝化气体,对表面具有锗和钼中的至少一者的基板进行处理,在基板的表面上形成含有硫原子的钝...
  • 本发明涉及一种癌细胞增殖抑制剂,其含有糖结合于肌醇而成的肌醇衍生物作为有效成分。另外,涉及一种癌细胞增殖抑制用组合物,其含有上述癌细胞增殖抑制剂及药学上可接受的载体。体。
  • 提供一种能够选择性地蚀刻氧化物的蚀刻方法。蚀刻方法具备蚀刻工序,在该蚀刻工序中,将具有氧化物的蚀刻对象物(12)设置在腔室(10)内,使用含有含氟化合物的蚀刻气体,在腔室(10)内对蚀刻对象物(12)所具有的氧化物进行蚀刻,该含氟化合物...
  • 本发明涉及不受冬季、暑期等的气温变化影响,长期保存中的分散稳定性高的导电性高分子组合物和导电性高分子溶液的稳定保存方法。一种导电性高分子组合物,其特征在于,至少包含重均分子量在5000以上且100万以下的范围的N
  • 提供一种氮化硅的蚀刻方法,能够以不使用等离子体的方式对氮化硅选择性地进行蚀刻。氮化硅的蚀刻方法具备以下的蚀刻工序:在含有卤素氟化物的蚀刻气体中配置含有氮化硅的蚀刻对象物(12),在1Pa以上且80kPa以下的压力下,以不使用等离子体的方...
  • 本发明提供一种含有生育酚磷酸酯或其盐作为有效成分的、防御大气污染物质的保护剂。此外提供含有前述防御大气污染物质的保护剂和药物学上允许的载体的、防御大气污染物质的保护用组合物。保护用组合物。
  • 磁传感器1具备:非磁性的基板;和感应元件部31,其设置于基板上且由多个感应元件311、312并联连接而成,所述感应元件由软磁体构成,具有长边方向和短边方向,在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性,通过磁致阻抗效应来感应磁场。来感应磁...
  • 提供一种冷却器、冷却装置等,能够低成本地进行制造。冷却器具有使凹状并具有从底面突出的多个凸部的第1构件与凹状并具有从底面突出的多个凸部的第2构件以凸部的顶端彼此相对的方式接合而得到的壳体。的方式接合而得到的壳体。的方式接合而得到的壳体。
  • 本发明提供一种能有效去除溴氟乙烯的气体处理方法和气体处理装置。通过使含有溴氟乙烯的气体,在0℃以上且低于120℃的温度环境下接触具有平均细孔径0.4nm以上4nm以下的细孔的吸附剂(7),使溴氟乙烯吸附于吸附剂(7),而从前述气体中分离...