蚀刻方法技术

提供一种能够选择性地蚀刻氧化物的蚀刻方法。蚀刻方法具备蚀刻工序，在该蚀刻工序中，将具有氧化物的蚀刻对象物(12)设置在腔室(10)内，使用含有含氟化合物的蚀刻气体，在腔室(10)内对蚀刻对象物(12)所具有的氧化物进行蚀刻，该含氟化合物具有下述化学式所示的官能团。上述氧化物是金属氧化物和半金属氧化物中的至少一者。在蚀刻工序中，在腔室(10)内不产生蚀刻气体的等离子体地进行蚀刻。产生蚀刻气体的等离子体地进行蚀刻。产生蚀刻气体的等离子体地进行蚀刻。产生蚀刻气体的等离子体地进行蚀刻。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】蚀刻方法


[0001]本专利技术涉及蚀刻方法。

技术介绍

[0002]氧化钽(Ta2O5)等金属氧化物、二氧化硅(SiO2)等半金属氧化物，在半导体元件的制造中经常用作低介电材料、高介电材料。在将金属氧化物、半金属氧化物微细加工成所希望的形状时，使用蚀刻气体进行蚀刻。在进行蚀刻时，关键在于作为加工对象的金属氧化物、半金属氧化物的膜与在同一基板上混合存在的不是加工对象的膜的蚀刻选择性。
[0003]例如，专利文献1公开了使用三氟化氮(NF3)、碳酰氟(COF2)等含氟气体作为蚀刻气体进行等离子蚀刻，由此蚀刻金属氧化物的方法。专利文献1公开的方法中，通过含氟气体将金属氧化物氟化而形成金属氟化物后，使该金属氟化物与有机物反应，形成挥发性的金属化合物并使其挥发，由此蚀刻金属氧化物。
[0004]另外，专利文献2公开了使用六氟
‑
1,3
‑
丁二烯等氟碳与碳酰氟的混合气体进行等离子蚀刻，由此蚀刻硅氧化膜的方法。
[0005]在先技术文献
[0006]专利文献1：国际公开第2012/0528本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种蚀刻方法，具备蚀刻工序，在所述蚀刻工序中，将具有氧化物的蚀刻对象物设置在腔室内，使用含有含氟化合物的蚀刻气体，在所述腔室内对所述蚀刻对象物所具有的所述氧化物进行蚀刻，所述含氟化合物具有下述化学式所示的官能团，所述氧化物是金属氧化物和半金属氧化物中的至少一者，在所述蚀刻工序中，在所述腔室内不产生所述蚀刻气体的等离子体地进行所述蚀刻，下述化学式中的＊表示与其他原子或原子团的结合点，2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，在所述蚀刻工序中，不使用所述蚀刻气体的等离子体，而是通过所述蚀刻气体进行所述蚀刻。3.根据权利要求1所述的蚀刻方法，在与所述腔室分离的位置配置有等离子体产生源...

【专利技术属性】
技术研发人员：松井一真，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：