本发明适用于半导体芯片加工技术领域，提供了一种智能化半导体芯片和器件测试系统平台，包括半导体晶圆测试模块、动态测试模块、瞬态测试模块、高温特性测试模块和主控计算机，通过设计智能识别半导体晶圆测试模块，通过机器视觉执行对准、检测和识别以帮...

本发明适用于半导体设备制造技术领域，提供了一种高温化学气相沉积系统及设备，包括绝缘加热桶和固定设置在其底部的底箱，所述绝缘加热桶内壁设置有发热件，所述发热件能够产生2000℃以上的发热温度；所述底箱内转动设置有贯穿所述绝缘加热桶底部的伸...

本实用新型适用于4H

本发明适用于半导体功率器件技术领域，提供了一种基于半导体功率器件和模块的系统，通过设置半导体晶圆测试模块、动态测试模块、瞬态测试模块、工况测试模块、机器视觉可使晶圆加工自动化，实现精度校准，检测接合制动垫和探针针尖，并测量晶体结构的关键...

本发明适用于功率半导体技术领域，提供了一种SIC功率半导体器件及其模块，通过设置SIC衬底、SIC外延层、绝缘层、源极、栅极和漏极；并且SIC外延层形成于SIC衬底的顶部；SIC外延层的顶部具有相对设置的第一区域和第二区域，SIC外延层...

本发明适用于功率半导体技术领域，提供了一种新型互联耐高压耗尽型功率SICMOSFETs器件和模块，通过设置包括SIC衬底、SIC外延层、二维材料薄膜层、氧化物薄膜层和栅电极层、阳极金属；SIC衬底的底部设置有阳极金属；SIC外延层设置在...

本发明适用于半导体技术领域，提供了一种高纯大尺寸SIC晶体衬底材料的制备方法，包括以下步骤：S1、按一定化学计量比称量硅粉和碳粉，将它们混合均匀后加入到石墨坩埚中；S2、在S1中的石墨坩埚中添加含有氯元素的先驱体并搅拌均匀；S3、将S2...

本实用新型适用于出线铜排结构技术领域，提供了一种高性能碳化硅IGBT模块的出线铜排结构，包括高性能碳化硅IGBT模块主体，所述高性能碳化硅IGBT模块主体顶部的两侧均设置有出线铜排主体，所述出线铜排主体的表面设置有增强层，所述增强层远离...

本实用新型适用于紫外光线探测器领域，提供了一种具有碳化硅复合膜的高性能紫外光线探测器，包括壳体、碳化硅复合膜本体和盖板，所述壳体的内部安装有固定板，且固定板的上方安装有第一玻璃板，所述碳化硅复合膜本体安装在第一玻璃板的上方位置，所述盖板...

本实用新型适用于IGBT器件技术领域，提供了一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件，包括底壳、导热硅胶、基板、模块、顶壳和承接壳，所述底壳的外侧面左右两端均焊接有固定板，所述底壳的内部下表面设置有稳定壳，且稳定壳的外侧面连接有橡胶环，所...

本实用新型公开了一种便于样品盒取放的高温化学气相沉积设备，解决了现有的高温化学气相沉积设备中样品盒的取放比较麻烦，并且需要冷却一段时间之后才能将样品盒拿出，加热桶也会烫伤工作人员，增大了安全事故发生的可能性的问题，其包括加热桶，所述加热...

本实用新型公开了一种发热均匀的高温化学气相沉积设备，解决了现有高温化学气相沉积设备采用垂直放置的发热丝易造成发热桶内部发热不均匀，从而使内部反应条件不足难以达到更好的效果的问题，其包括桶体，所述桶体内部安装有保温层，保温层内侧位于桶体内...

本实用新型公开了一种用于化学气相沉积的高温加热沉积台，解决了现有的化学气相沉积的高温加热沉积台提供反应温度达不到反应发生条件的需求，适用性比较窄的问题，以及化学反应的温度与反应时间需要人工记录，不便于观察和记录的问题，其包括桶体，所述桶...

本实用新型公开了一种高温化学气相沉积加热系统，解决了现有加热系统无法对沉积反应桶内进行快速加热，加热系统绝缘性差，热辐射大，使用完毕后无法对加热桶进行快速散热的问题，其包括反应桶体，所述反应桶体内部安装有散热组件，反应桶体外部两侧均安装...

本发明公开了一种采用PVT法制备电子器件衬底的方法，包括如下步骤：4H‑SiC晶体的制备；4H‑SiC晶体切割：将得到的4H‑SiC晶体固定，用多线切割的方法沿X射线定向的4H‑SiC晶体衬底方向进行切割，制备出各种衬底表面；腐蚀成型；...

一种采用HTCVD法制备高阻碳化硅衬底的方法，包括籽晶衬底材料处理、装料、沉积室检漏、加热升温、沉积生长、切割、清洗和吹干储存，本发明采用了上述技术方案后，在沉积生长前，采用机械泵串联扩散泵或机械泵串联分子泵对沉积室进行抽气，保证沉积室...