一种SIC功率半导体器件及其模块制造技术

本发明专利技术适用于功率半导体技术领域，提供了一种SIC功率半导体器件及其模块，通过设置SIC衬底、SIC外延层、绝缘层、源极、栅极和漏极；并且SIC外延层形成于SIC衬底的顶部；SIC外延层的顶部具有相对设置的第一区域和第二区域，SIC外延层的顶部覆盖有绝缘层，绝缘层具有两个对称设置的通孔，两个通孔内分别设置有源极和漏极，源极接触第一金属层，漏极接触第二金属层；栅极设置在绝缘层的上表面且位于源极和漏极之间。从而实现具有高耐压性能和低开启电压的功率半导体，使用更安全，适用范围更广。适用范围更广。适用范围更广。

【技术实现步骤摘要】
一种SIC功率半导体器件及其模块


[0001]本专利技术属于功率半导体
，尤其涉及一种SIC功率半导体器件及其模块。

技术介绍

[0002]传统以硅为材料的功率半导体，正逐渐面临发展瓶颈，碳化硅功率器件的能量损耗只有硅器件的功率30％
‑
80％，发热量也只有硅器件的50％，且有更高的电流密度。在相同功率等级下，碳化硅功率模块的体积显著小于硅(Si)功率模块，在电力电子、国防工业等领域有广阔应用前景，国家各级政府在政策给予大力支持，是国家重点引导产业之一。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种SIC功率半导体器件及其模块，旨在解决现有技术存在的问题。
[0004]本专利技术是这样实现的，一种SIC功率半导体器件，包括SIC衬底、SIC外延层、绝缘层、源极、栅极和漏极；
[0005]所述SIC外延层形成于所述SIC衬底的顶部；
[0006]所述SIC外延层的顶部具有相对设置的第一区域和第二区域，每一个所述第一区域和所述第二区域内分别凹陷形成有一个第一沟槽和一个第二沟槽，所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SIC功率半导体器件，其特征在于：包括SIC衬底(1)、SIC外延层(2)、绝缘层(4)、源极(5)、栅极(6)和漏极(7)；所述SIC外延层(2)形成于所述SIC衬底(1)的顶部；所述SIC外延层(2)的顶部具有相对设置的第一区域(21)和第二区域(22)，每一个所述第一区域和所述第二区域内分别凹陷形成有一个第一沟槽和一个第二沟槽，所述第一沟槽内覆盖有第一金属层(3)，所述第二沟槽内覆盖有第二金属层(4)；所述SIC外延层(2)的顶部覆盖有绝缘层(8)，所述绝缘层(8)具有两个对称设置的通孔，两个所述通孔内分别设置有所述源极(5)和所述漏极(7)，所述源极(5)接触所述第一金属层(3)，所述漏极(7)接触所述第二金属层(3)；所述栅极(6)设置在所述绝缘层(8)的上表面且位于所述源极(5)和所述漏极(7)之间；所述第一区域(21)与所述SIC外延层(2)为不同导电类型；所述第二区域(22)与所述SIC外延层(2)为相同的导电类型。2.如权利要求1所述的一种SIC功率半导体器件，其特征在于：所述绝缘层(4)的材料为SiO2、Al2O3、AlN、A...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宇，严丽红，辛藤，
申请(专利权)人：张家港迪源电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：