一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件制造技术

本实用新型专利技术适用于IGBT器件技术领域，提供了一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件，包括底壳、导热硅胶、基板、模块、顶壳和承接壳，所述底壳的外侧面左右两端均焊接有固定板，所述底壳的内部下表面设置有稳定壳，且稳定壳的外侧面连接有橡胶环，所述底壳的底端设置有底端纵截面呈折线型结构的散热板，且散热板的内侧设置有导热硅胶，所述基板的左右两端均安装有螺钉，且基板的上表面安装有模块，所述底壳的上方设置有顶壳，且顶壳的顶端一体式连接有承接壳，并且顶壳的内部左右两端均固定安装有防尘网。该具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件，避免安装壁面上的潮气影响底壳，方便拆装基板，提高安装结构稳定性，便于定位连接。便于定位连接。便于定位连接。

【技术实现步骤摘要】
一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件


[0001]本技术涉及IGBT器件相关
，具体为一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件。

技术介绍

[0002]作为新型功率半导体器件的主流器件，IGBT已广泛应用于工业、通信、航空航天和国防军工等传统产业领域，IGBT器件的内部含有二极管，为提高IGBT器件的性能，使用碳化硅厚膜制作二极管，具有几乎无开关损耗、更高的开关频率和开关特性几乎与温度无关等优点。
[0003]但现有的具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件安装在潮湿的壁面上时，底壳与安装壁面上直接接触，受到潮气的影响，通过粘贴或者焊接的方式将基板固定在安装腔内，不方便拆装基板，为此我们提出了一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件，用来解决上述问题。

技术实现思路

[0004]本技术提供一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件，以解决上述
技术介绍
中提出现有的具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件安装在潮湿的壁面上时，底壳与安装壁面上直接接触，受到潮气的影响，通过粘贴或者焊接的方式将基板固定在安装腔内，不方便拆装基板的问题。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件，包括底壳(1)、导热硅胶(7)、基板(8)、模块(10)、顶壳(11)和承接壳(12)，其特征在于：所述底壳(1)的外侧面左右两端均焊接有固定板(2)，且固定板(2)的内部开设有螺孔(3)，所述底壳(1)的内部下表面设置有稳定壳(4)，且稳定壳(4)的外侧面连接有橡胶环(5)，所述底壳(1)的底端设置有底端纵截面呈折线型结构的散热板(6)，且散热板(6)的内侧设置有导热硅胶(7)，并且导热硅胶(7)的内侧设置有基板(8)，所述基板(8)的左右两端均安装有螺钉(9)，且基板(8)的上表面安装有模块(10)，并且模块(10)的上方安装有碳化硅二极管(15)，所述底壳(1)的上方设置有顶壳(11)，且顶壳(11)的顶端一体式连接有承接壳(12)，并且顶壳(11)的内部左右两端均固定安装有防尘网(13)。2.如权利要求1所述的一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宇，严丽红，辛藤，
申请(专利权)人：张家港迪源电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：