一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件制造技术

本实用新型专利技术适用于IGBT器件技术领域，提供了一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件，包括底壳、导热硅胶、基板、模块、顶壳和承接壳，所述底壳的外侧面左右两端均焊接有固定板，所述底壳的内部下表面设置有稳定壳，且稳定壳的外侧面连接有橡胶环，所述底壳的底端设置有底端纵截面呈折线型结构的散热板，且散热板的内侧设置有导热硅胶，所述基板的左右两端均安装有螺钉，且基板的上表面安装有模块，所述底壳的上方设置有顶壳，且顶壳的顶端一体式连接有承接壳，并且顶壳的内部左右两端均固定安装有防尘网。该具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件，避免安装壁面上的潮气影响底壳，方便拆装基板，提高安装结构稳定性，便于定位连接。便于定位连接。便于定位连接。

【技术实现步骤摘要】
一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件


[0001]本技术涉及IGBT器件相关
，具体为一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件。

技术介绍

[0002]作为新型功率半导体器件的主流器件，IGBT已广泛应用于工业、通信、航空航天和国防军工等传统产业领域，IGBT器件的内部含有二极管，为提高IGBT器件的性能，使用碳化硅厚膜制作二极管，具有几乎无开关损耗、更高的开关频率和开关特性几乎与温度无关等优点。
[0003]但现有的具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件安装在潮湿的壁面上时，底壳与安装壁面上直接接触，受到潮气的影响，通过粘贴或者焊接的方式将基板固定在安装腔内，不方便拆装基板，为此我们提出了一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件，用来解决上述问题。

技术实现思路

[0004]本技术提供一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件，以解决上述
技术介绍
中提出现有的具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件安装在潮湿的壁面上时，底壳与安装壁面上直接接触，受到潮气的影响，通过粘贴或者焊接的方式将基板固定在安装腔内，不方便拆装基板的问题。
[0005]本技术是这样实现的：一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件，包括底壳、导热硅胶、基板、模块、顶壳和承接壳，所述底壳的外侧面左右两端均焊接有固定板，且固定板的内部开设有螺孔，所述底壳的内部下表面设置有稳定壳，且稳定壳的外侧面连接有橡胶环，所述底壳的底端设置有底端纵截面呈折线型结构的散热板，且散热板的内侧设置有导热硅胶，并且导热硅胶的内侧设置有基板，所述基板的左右两端均安装有螺钉，且基板的上表面安装有模块，并且模块的上方安装有碳化硅二极管，所述底壳的上方设置有顶壳，且顶壳的顶端一体式连接有承接壳，并且顶壳的内部左右两端均固定安装有防尘网。
[0006]本技术还提供所述底壳的顶端开设有安装槽，且安装槽的横截面呈“回”字型结构。
[0007]本技术还提供所述底壳的底端贯穿有散热板，且固定板的下表面高度低于散热板的下表面高度。
[0008]本技术还提供所述橡胶环的外侧面与底壳的内壁紧密贴合，且橡胶环与稳定壳的连接方式为粘贴连接。
[0009]本技术还提供所述散热板的顶端纵截面呈“凹”字型结构，且散热板通过螺钉与基板固定连接。
[0010]本技术还提供所述顶壳与底壳的连接方式为卡槽连接，且顶壳顶端一体式连接的承接壳的下表面与碳化硅二极管的上表面贴合。
[0011]与现有技术相比，本技术的有益效果是：该具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器
件，避免安装壁面上的潮气影响底壳，方便拆装基板，提高安装结构稳定性，便于定位连接；
[0012]1、设置有底壳和固定板，固定板的下表面高度均低于散热板和底壳的下表面高度，通过固定板将底壳固定在安装壁面上时，安装壁面与底壳之间产生间隙，给予散热板散热空间，且避免安装壁面上的潮气影响底壳；
[0013]2、设置有底壳、稳定壳、橡胶环、散热板和基板，稳定壳的内侧面与包裹基板的散热板紧密贴合，且稳定壳外侧粘贴连接的橡胶环的外侧面与底壳的内壁紧密贴合，并且承接壳的下表面与基板上的模块的上表面贴合，便于基板和模块定位在底壳和顶壳之间，方便拆装基板，提高安装结构稳定性；
[0014]3、设置有底壳和顶壳，顶壳与底壳的连接方式为卡槽连接，通过螺钉将顶壳与底壳定位之间，利用卡槽连接的方式将顶壳的底端安装在底壳的顶端，方便对顶壳进行定位。
附图说明
[0015]图1为本技术提供的正视剖面结构示意图；
[0016]图2为本技术提供的顶壳整体结构示意图；
[0017]图3为本技术提供的模块与基板连接整体结构示意图；
[0018]图4为本技术提供的橡胶环与稳定壳连接整体结构示意图。
[0019]图中：1、底壳；2、固定板；3、螺孔；4、稳定壳；5、橡胶环；6、散热板；7、导热硅胶；8、基板；9、螺钉；10、模块；11、顶壳；12、承接壳；13、防尘网；14、安装槽；15、碳化硅二极管。
具体实施方式
[0020]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0021]请参阅图1-4，本技术提供一种技术方案：一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件，包括底壳1、固定板2、螺孔3、稳定壳4、橡胶环5、散热板6、导热硅胶7、基板8、螺钉9、模块10、顶壳11、承接壳12、防尘网13、安装槽14和碳化硅二极管15，底壳1的外侧面左右两端均焊接有固定板2，且固定板2的内部开设有螺孔3，底壳1的内部下表面设置有稳定壳4，且稳定壳4的外侧面连接有橡胶环5，底壳1的底端设置有底端纵截面呈折线型结构的散热板6，且散热板6的内侧设置有导热硅胶7，并且导热硅胶7的内侧设置有基板8，基板8的左右两端均安装有螺钉9，且基板8的上表面安装有模块10，并且模块10的上方安装有碳化硅二极管15，底壳1的上方设置有顶壳11，且顶壳11的顶端一体式连接有承接壳12，并且顶壳11的内部左右两端均固定安装有防尘网13。
[0022]如图1和图4所示底壳1的顶端开设有安装槽14，且安装槽14的横截面呈“回”字型结构，利用安装槽14承接顶壳11的底端，底壳1的底端贯穿有散热板6，且固定板2的下表面高度低于散热板6的下表面高度，避免底壳1的下表面与安装壁面贴合；
[0023]如图1和图3所示橡胶环5的外侧面与底壳1的内壁紧密贴合，且橡胶环5与稳定壳4的连接方式为粘贴连接，利用橡胶环5增加连接稳定性，散热板6的顶端纵截面呈“凹”字型结构，且散热板6通过螺钉9与基板8固定连接，利用散热板6散热，顶壳11与底壳1的连接方式为卡槽连接，且顶壳11顶端一体式连接的承接壳12的下表面与碳化硅二极管15的上表面
贴合，便于定位碳化硅二极管15和基板8。
[0024]工作原理：在使用该具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件时，首先将固定板2的下表面贴在安装壁面上，然后将螺栓穿过螺孔3和安装壁面，利用螺栓将该IGBT器件固定在安装壁面上，如图1所示，由于固定板2的下表面高度低于散热板6的下表面高度，散热板6和散热板6的下表面的下表面均不与安装壁面贴合，从而给予散热板6散热空间，当安装壁面上出现潮气时，不会影响底壳1；
[0025]使用过程中，基板8和模块10产生的热量通过导热硅胶7和散热板6散向外界，外界的空气通过防尘网13进入顶壳11与底壳1组合成的安装腔内，外界的空气与基板8和模块10产生的热量进行换热，由于散热板6的外侧面与稳定壳4的内壁紧密贴合，散热板6的内侧围护有基板8，从而基板8稳定的安装在稳定壳4的内侧，橡胶环5的外侧面与底壳1的内壁紧密贴合，从而将稳定壳4稳定的安装在底壳1的内侧，增加安装结构稳定性，这就是具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件使用的整个过程。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件，包括底壳(1)、导热硅胶(7)、基板(8)、模块(10)、顶壳(11)和承接壳(12)，其特征在于：所述底壳(1)的外侧面左右两端均焊接有固定板(2)，且固定板(2)的内部开设有螺孔(3)，所述底壳(1)的内部下表面设置有稳定壳(4)，且稳定壳(4)的外侧面连接有橡胶环(5)，所述底壳(1)的底端设置有底端纵截面呈折线型结构的散热板(6)，且散热板(6)的内侧设置有导热硅胶(7)，并且导热硅胶(7)的内侧设置有基板(8)，所述基板(8)的左右两端均安装有螺钉(9)，且基板(8)的上表面安装有模块(10)，并且模块(10)的上方安装有碳化硅二极管(15)，所述底壳(1)的上方设置有顶壳(11)，且顶壳(11)的顶端一体式连接有承接壳(12)，并且顶壳(11)的内部左右两端均固定安装有防尘网(13)。2.如权利要求1所述的一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宇，严丽红，辛藤，
申请(专利权)人：张家港迪源电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：