【技术实现步骤摘要】
芯片散热结构
[0001]本专利技术涉及芯片散热
,尤其是一种芯片散热结构。
技术介绍
[0002]通常现有芯片散热技术中,都基本通过一个大散热器对多个芯片散热。当芯片中包含igbt芯片时,因igbt芯片特殊结构和功能需进行绝缘散热,而其他芯片基本不需进行绝缘散热。对IGBT芯片而言通常需要采用绝缘垫片与散热器连接,但绝缘垫片会增大IGBT芯片与金属散热器之间的导热热阻。往往igbt芯片散热是整个芯片系统散热的瓶颈难题。为解决这一难题,有的技术方案通过提升绝缘导热层的导热率来解决,如专利文献CN207811642U。
[0003]与此同时,在实际产品应用中经常碰到有限的散热器空间尺寸限制、有限的成本控制、多个芯片相对位置有限的调整范围等各种条件,在满足这些条件下,如何增强igbt芯片散热能力的同时平衡与其他芯片的散热效果,最终达到整体芯片系统的散热平衡,目前未有技术手段涉及到。
技术实现思路
[0004]本专利技术所要解决的技术问题是:提供一种散热效果更好的芯片散热结构。
[0005]本 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.芯片散热结构,包括基体和芯片(1),其特征在于:基体包括固定连接的上基体(3)和下基体(5),下基体(5)上设有散热翅片,芯片(1)固定在上基体(3)的上表面上,上基体(3)下表面和下基体(5)上表面之间填充有绝缘导热垫片(4),芯片(1)与上基体(3)上表面之间填充有导热层(2);上基体(3)和下基体(5)通过第一螺钉(11)相连接,上基体(3)设置有与第一螺钉(11)相适配的螺钉过孔,下基体(5)设置有与第一螺钉(11)相适配的螺纹孔,上基体(3)的螺钉过孔与第一螺钉(11)的配合面之间套设有绝缘套(10);芯片(1)和上基体(3)通过第二螺钉(12)相连接,芯片(1)设置有与第二螺钉(12)相适配的螺钉过孔,上基体(3)设置有与第二螺钉(12)相适配的螺纹孔,芯片(1)的螺钉过孔与螺钉的配合面之间套设有绝缘套(10);芯片(1)与导热层(2)的接触面积设定为A1,上基体(3)与绝缘导热垫片(4)的接触面积设定为A2,导热层(2)的导热系数设定为K1,绝缘导热垫片(4)的导热系数设定为K2,A2:A1的值大于1,小于2K1/K2。2.如权利要求1所述的芯片散热结构,其特征在于:上基体(3)和下基体(5)的配合面为V字形或弧形。3.如权利要求2所述的芯片散热结构,其特征在于:下基体(5)包括厚度为H1的基板,基板顶面中部位置设有V字形或弧形的凹槽,凹槽最低处所在位置的基板厚度设定为H2,H2:H1的值大于0.15。4.如权利要求3所述的芯片散热结构,其特征在于:基板顶面在凹槽的一侧固定设置有第二芯片(6),在凹槽的另一侧固定设置有第三芯片(7),基板顶面与第二芯片(6)之间填充有第二硅脂导热层(8),基板顶面与第三芯片(7)之间填充有第三硅脂导热层(9);以垂直于凹槽长度方向的竖向平面作为参考面,凹槽轮廓线与基板顶...
【专利技术属性】
技术研发人员:张仁亮,戴升龙,张红兵,
申请(专利权)人:四川长虹空调有限公司,
类型:发明
国别省市:
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