本发明公开了一种VB法制备超高纯锗单晶的方法，包括以下步骤：步骤1，清洗；步骤2，安装；步骤3，装料；步骤4，熔料；步骤5，引晶接种；步骤6，单晶生长；步骤7，冷却退火；步骤8，出炉脱模。通过本方法生长出的超高纯单晶体是等径的，单晶直径...

一种提高锗金属纯度以降低太阳能电池用锗单晶缺陷的方法，属于高纯锗材料制备技术领域。本发明方法包括石英管清洗、石墨舟清洗、区熔锗锭清洗、装料入炉、高温熔融及定向结晶以及锗锭清洗步骤，其中高温熔融及定向结晶是在1300℃高温下重熔区熔锗锭后...

锗晶片清洗装置，涉及锗晶片加工。本技术包括清洗区、甩干区和检验区，清洗区、甩干区和检验区顺序设置，清洗区为两个，两个清洗区之间设置有推拉挡板，推拉挡板在清洗区内竖直滑动，调整两个清洗区的内部空间大小；清洗区上部安装有风机过滤单元机组，清...

晶棒多线切割后的晶片脱胶清洗台，涉及工业应用领域。本技术包括主体、清洗系统、加热器、抽风口和喷淋管，清洗系统安装在主体中间，加热器安装在清洗系统下部，与清洗系统接触；抽风口安装在主体上部，位于清洗系统上方；喷淋管设置在清洗系统内；本技术...

本发明属于半导体衬底材料制备技术领域，具体涉及一种锑化镓多晶的合成系统及方法，该系统由加热容器、底座支撑装置、加热装置、电磁搅拌装置和保温装置组成。基于该系统，按照装填物料、升温熔化以及多晶合成的步骤生产锑化镓多晶。合成系统通过对高温熔...

本发明公开了一种液封直拉生长大直径锑化镓单晶的方法，包括：液封剂脱水；多晶料的清洗；多晶料与液封剂的装炉；洗气与熔化原料；引晶与放肩；晶体等径生长；晶体收尾与退火冷却。本发明专利中通过采用锑化镓多晶作为长晶原料、加液封剂和通入还原气体的...

本发明公开了一种锑化镓多晶合成方法，包括以下步骤：称取锑与镓；放入石英管；放入合成炉；加热合成；逐渐冷却；取出锑化镓多晶。通过本合成方法，能合成高质量锑化镓多晶，利用合成的锑化镓多晶进行单晶生长，可以有效的解决用高纯锑单质和镓单质直接生...

本发明公开了一种改善砷化镓晶片表面质量的清洗方法，包括以下步骤：将抛光结束的砷化镓晶片浸于有机溶液中清洗；置于溢流槽中冲洗；浸于第一碱液中清洗；置于溢流槽中冲洗；浸于第二碱液中清洗；冲水后干燥。通过本方法处理后可以有效改善晶片表面药水、...

本发明公开了一种改善磷化铟晶片表面质量的清洗方法，包括以下步骤：将抛光结束的磷化铟晶片浸于预清洗溶液中清洗；置于溢流槽中冲洗后甩干；浸于柠檬酸液中清洗；置于溢流槽中冲洗后浸泡于水中；单片浸于预清洗溶液中清洗后冲水；单片浸于稀硫酸液中清洗...

磷化铟碎片制备多晶的方法，涉及半导体材料制备技术领域，尤其是一种磷化铟回料制备磷化铟多晶的方法。本发明的方法包括碎片处理、装料入炉、多晶制备及冷却出炉4个步骤。本发明的方法简便易操作，可用现有的高压VGF炉直接制备磷化铟多晶，碎片利用率...

本发明涉及一种粗抛光锗晶片背面黏胶清洗工艺，属于半导体材料技术领域，具体包括使用脱胶液清洗后，再使用不同浓度浓硫酸清洗，所述脱胶液以体积百分比浓度计包括：氨基三甲叉磷酸50

VGF晶体生长用超大直径石英管的真空封焊方法，属于VGF晶体生长技术领域，具体涉及一种用于VGF法真空生长超大直径晶体的石英管封焊的方法。本发明方法中使用的是热应力检测合格的石英管和石英管封帽，在将石英管和石英管封帽清洗干净，坩埚装入石...

激光器用砷化镓偏角度为15

VB法制备超高纯多晶锗的方法，属于超高纯锗多晶制备领域。本发明的方法，包括以下步骤：采用VB法定向凝固结晶，将6

基于VB法与VGF法结合的砷化铟单晶生长方法，涉及一种VB法与VGF法结合砷化铟晶体生长装置、装料方法以及晶体生长工艺。所述的生长装置，由加热炉体、热场系统、支撑系统、容器系统和坩埚下降装置组成，所述生长方法，包括装料、装炉、化料、接籽...

磷化铟单晶回料采用VGF或VB法再次生长单晶的装料方法，单晶生长所使用的原料全部为单晶生长过程产生的回料。本发明通过控制磷化铟单晶回料的参数要求、合理分配磷化铟单晶回料的装料配比和不同尺寸料块的装料位置，以及红磷、掺杂剂和液封剂的用量及...

本专利技术属于化合物半导体晶体生长领域，具体公开一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置，包括支撑系统和石英安瓿瓶，石英安瓿瓶放置于支撑系统上，所述支撑系统包括外保温层，所述外保温层距离顶部和底部一定距离的横截面上设置有第一控温层和第二控温层，...

本发明属于锗单晶生长技术领域，具体公开一种夹渣含杂锗废料除杂方法，包括以下步骤：单晶锗生长废料融化；废料夹渣降温再结晶：锗废料完全融化为熔融态后，调整加热功率使温度下降15℃~50℃，使熔体再结晶；腔室流场控制：经过再结晶处理后的锗熔体...

本实用新型涉及一种锗晶片清洗水槽，属于单晶片加工技术领域，包括外槽和内槽，所述内槽置于外槽内部，所述内槽包括内槽本体和内槽支架，内槽本体嵌接于内槽支架上，所述内槽本体底部开设有出水孔，顶部设置有喷淋管，侧面下部开数孔分别连接注水管和气管...

本发明属于锗单晶生长技术领域，具体涉及一种零位错P型锗单晶制备方法，包括缩颈生长，所述缩颈生长的方法为：向上缓慢提拉籽晶，控制提拉速度8～10mm/h，保持单晶棒直径在2～12mm，采用逐渐放大直径的缩颈生长方式，持续提拉生长长度800...