说明了用于在计算机处理器中执行对齐指令的系统、装置和方法的实施例。在一些实施例中，对齐指令的执行使得两个串接源的数据元素的选择性存储存储在目的地中。

在一种实施例中，多核心处理器包括多个核心和非核心，其中非核心包括含有高速缓存存储器、路由器和功率控制单元（PCU）的各种逻辑单元。在多核心处理器处于低功率状态时，PCU可以时钟门控逻辑单元和高速缓存存储器中的至少一个，以便由此减少动态功...

本公开涉及无线通信系统中的用于下行链路协调多点的信令。本文的实施例描述用于在无线网络中支持与用户设备（UE）的下行链路协调多点（CoMP）通信的信令的装置、系统和方法。在实施例中，可对UE配置多个信道状态信息（CSI）进程（例如，经由无...

本发明名称为“无线通信频带之间转移无线通信会话的装置、系统和方法”。一些演示实施例包括在能够通过至少第一和第二无线通信频带进行通信的第一与第二多频带无线通信装置之间协调会话转移超时期，其中，会话转移超时期对应于第一与第二无线通信装置之间...

本发明涉及启用长期通信空闲以用于能量效率。提供了一种网络适配器包括用于基于发送分组的数量、接收到的分组的大小、以及接收到的分组的到达之间的间隔来从第二模式改变成第一模式的控制器。在一个实施例中，该网络控制器还包括用于缓冲接收到的分组的存...

一种用于避免多环死锁的方法和系统。该方法包括由与消息的目标关联的环连接器或由消息的源站来移除多环互连上的消息，以使得消息在移除之前围绕时隙环互连传送不超过一次。该方法还可以被应用到单个环的网络中以进行拥塞控制。

本公开涉及选择编码模式的方法和装置。简要地，可以根据接收的与OFDM子载波相关的信道状态信息自适应地选择数据流的所述OFDM子载波的符号的编码模式的装置和方法。

本发明公开一种具有外延源区和漏区的金属栅晶体管。描述了形成于重掺杂的衬底上的MOS晶体管。在低温处理中使用金属栅以防止衬底的掺杂扩散到晶体管的沟道区。

本发明名称为“混合图形显示功率管理”。一些实施例描述与混合图形显示功率管理相关的技术。在一个实施例中，与视频流的一个或多个图像帧对应的数据存储在本地帧缓冲器中。然后可以基于本地帧缓冲器中存储的数据或来自图形控制器的视频流，驱动显示装置(...

描述了在微处理器系统内初始化安全操作的方法和装置。在一个实施方案中，一个初始化逻辑处理器通过停止其它逻辑处理器的执行，然后把初始化和安全虚拟机监控软件载入存储器，来初始化该过程。初始化处理器然后把初始化软件载入安全存储器进行验证和执行。...

本公开内容涉及非易失性存储器设备的制造。在至少一个实施例中，单个晶体管可以用于驱动每一条地址线（字线或者位线）。可以通过这些单个晶体管器件驱动禁用电压和选择电压，这可以借助引入对地址线的奇数和偶数指定标识来实现。在一个操作实施例中，可以...

根据本发明，提供了包括如下步骤的方法：（a）在输入包括规定对象的图像时，使用物体识别技术、字符识别技术及条形码识别技术来识别客体的原形，其中，该物体识别技术用于通过与参照对象图像的图像匹配计算相似度，并通过相似度在相似度阈值以上的参照对...

允许在图形引擎上而不是在主机处理器上执行音频解密和解码的方法、系统和计算机系统产品。可以在不必改变媒体应用软件的情况下完成这些。下降编解码器功能驱动器将下降编解码器暴露于媒体应用，该下降编解码器可以接着将加密和编码后的音频数据发送到下降...

本公开涉及媒体内容的组合单播‑多播/广播流的体验质量报告。本公开的实施例描述用于监测和报告与访问方法关联的体验质量（QoE）度量的装置、方法、计算机可读介质和系统配置。可描述其他实施例并且要求保护它们。

本发明提供一种压缩深度高速缓存。深度高速缓存在可能时按照压缩格式来保持深度数据。这包括更灵活的高速缓存实现方式，其中根据块可被压缩或不可被压缩，块可占据变化量的高速缓存行。一些实施例的深度高速缓存的一个优点是有效高速缓存大小随着压缩比成...

本申请公开了用于在事务性存储器系统中实现强原子性的方法、装置和系统。在本文中描述了用于提供高效率的强原子性的方法和装置。可将经优化的强原子操作插在非事务性读访问处以提供高效率的强原子性。在非事务性功能的开始将全局事务值复制到本地事务值；...

本发明描述了用于硬件锁省略(HLE)的后期锁获取机制的装置和方法。响应于检测到后期锁获取事件，如计时器期满、填满的高速缓存集合以及不可撤回事件，可启动后期锁获取。停止连贯的临界段直到利用与连贯的临界段操作相关联的访问缓冲器项的字段来完成...

在各种实施例中，虚拟键盘上按键的大小、形状、以及布置可以基于用户所进行的触摸屏接触来加以确定。此外，可以分析用户所进行的实际接触区以解释哪个接触点是想要的，并且还可以考虑其他因素，诸如拼写和上下文。可以基于校准会话和/或基于键盘的操作期...

本发明描述了具有用于eDRAM的集成双壁电容器的半导体结构及其形成方法。例如，嵌入式双壁电容器包括设置在第一电介质层中的沟槽，其中所述第一电介质层设置在衬底之上。所述沟槽具有底部和侧壁。U形金属板设置在所述沟槽的底部，与其侧壁间隔开。第...

装置包括有将RF管芯中的区从无线电-电磁干扰屏蔽的屏蔽穿透硅通孔和管芯背面网格盖子的射频管芯。