为了更适当地解决相关问题，自一工件（２８）量测一或多个特性。此量测信息被用以自一对照表选择一较佳的预定激光加工参数配置。该激光加工参数配置从而被用以加工该工件（２８）。激光加工参数配置对照表的建立可以是基于理论上的计算、操作员的错误尝试...

本揭示的系统及方法降低或防止在一激光处理系统中的背反射。一激光处理系统包含一激光源以发出一入射激光束、一激光束输出以将入射激光束导向一工作表面、以及一透镜以沿着一大致垂直于该工作表面的第一传导轴接收该入射激光束。上述的透镜包含一主轴，其...

一种用来加工带图案硅片或在带图案硅片形成特征的方法和装置，其特征在于包括：利用具有１－１０００ｐｓ脉冲宽度的第一脉冲激光器（４）光束去除晶片表面层的一部分；以及利用具有２００－１１００ｎｍ波长的第二脉冲激光器（５）光束去除晶片表面层下面...

本发明提供使用一系列激光脉冲来处理半导体衬底上或半导体衬底内的结构的系统和方法。在一个实施例中，偏转器经配置以在处理窗内选择性地将所述激光脉冲偏转。在所述半导体衬底上扫描所述处理窗，使得多个横向间隔的行的结构同时穿过所述处理窗。在扫描所...

一种用以在多层电子基板中钻出具有可选择锥度的盲孔的方法与装置，用以允许在各层之间形成电性连接，同时维持质量与总处理量。该方法有赖于了解该通孔的顶端直径与该通孔的底部直径（它们会定义该锥度）为两组不同等式的函数。同时解出该些等式便会产生一...

本发明提供双射束激光输出，其较佳的是衍生自单一激光射束，其会改良在一包含纤维强化树脂的目标材料（例如一印刷电路板）中被钻出的信道的侧壁的品质。本发明的两个实施例会分别使用两个激光输出分量来从一工作件（１２）的一目标材料位置处移除一部分（...

一种针对关于靶结构（１０）激光处理的干涉效应问题的解决方法，其依据堆栈在一晶片表面或一群晶片上的多重晶片（２０）之间的靶结构及钝化层（１４、１６）的光反射信息，进行激光脉冲能量或其它激光束参数的调整，诸如激光脉冲时序形状。对靶连结测量结...

本发明提供一种预测性脉冲触发方法，其在一链处理系统中促成精确触发一激光射束（１００）。该预测性脉冲触发方法需要依据目标（１０６）和激光射束轴（１０８）的经估计的相对运动参数来触发该激光射束。相较于现有完全以测量为主的方法，预测性脉冲触发...

一种以处理级台耦接机构（４２９）实施的样本检查级台（４００）提供以下性能：以最大的效率在处理平台（１０）线上进行后处理样本检查。沉重的检查装备（４０８）被安装于一个与处理平台（２２）分开的样本检查级台上。在较佳实例中，处理级台回应于施加...

本发明提供一种系统及方法，通过本发明提出以成像平面镜状物体（１０２），诸如：半导体晶圆。于实施例中，用于成像于平面镜状物体（１０２）的缺陷的一种成像系统（１００）包括远心透镜（１１０），其具有充分非球面表面，使远心透镜实质修正光学像差。...

在一些具体实施例里，含有至少一具有短于４００微米的波长并且具有一小于１，０００微微秒（ｐｉｃｏｓｅｃｏｎｄ）的脉冲宽度的激光脉冲（３２）的激光输出可提供数个（δＮ）脉冲，以清洁一通孔的底部表面或一焊接区的表面，借此提高工艺产量。可利用一...

一种同时模式Ｑ开关激光系统（６０）建构成防止激光操作期间的模式锁定的损失。较佳实施例由足以维持模式锁定状态的剩余位准的激光功率来操作所述激光系统于Ｑ开关脉冲之间的激光，以防止模式锁定的损失。所述剩余的激光功率输出可由脉冲选择装置（１１６...

一清泄气体注入埠口（７４）、激光束衰减输入窗口（２４）及激光快门（２０）的较佳具体实施例组成一ＵＶ激光光学系统（１０）的子系统，其中一激光束被完全地包封，以减少该等光学系统构件（４４、６０、７２）的污染。清泄气体是透过一光束管组（１８）...

以激光束（８９）来处理工件的方法和设备，其包含用于握持工件（７８、８０）与第一和第二激光束路径的第一和第二台座（７４、７６）。第一工件装载于第一台座上、与第一激光束路径校准、然后开始处理。当第一工件相对于第一激光束路径做校准的同时，第二...

一激光输出，该激光输出含有至少一具有一长于１．１μｍ而短于５μｍ（最好约１．１μｍ）的波长并且具有一窄于１００ｐｓ（最好是窄于１０ｐｓ）的脉冲宽度的激光脉冲（３２），可供移除比如ＳＲＯ或ＳｉＣＯＨ的低ｋ介电材料而不致损害到基材。利用一与...

本发明公开了一种芯片焊接方法和设备，对通过粘合层１２粘合在载体带１３上的晶片衬底１１进行激光加工以穿过晶片衬底并穿过粘合层，至多在载体带上划线以便形成带有附着单切粘合层的单切的芯片１５，而粘合层１２与载体带１３基本没有分层或基本不产生来...

将具有有源层的半导体晶圆１１在有源层远离载体１３的状态下固定到载体上，并从半导体晶圆的主表面开始，在载体上至少部分地分割该半导体晶圆。用自发性反应蚀刻剂１４０从该主表面开始在载体上蚀刻至少部分地被分割的半导体晶圆，以从由至少部分地被分割...

本发明提供一种元件处理机，其包含经过改良的测试座（１００），该测试座的形状可确保被安置于该测试座中的电子元件（１０）位于正确的方向中以便进行参数测试。该测试座具有基底表面（１０２）以及彼此相对的第一座侧表面与第二座侧表面（１０４、１０６...

一种抑制工作雷射射束（１２’）的失真的方法，该工作雷射射束（１２’）是被导引以入射在一呈现以通过雷射链路处理系统（１００）处理的靶极样本（１４）上，该方法是使用空间滤波器（１０２）以自该工作雷射射束去除杂散光线所引起的失真。

本发明揭示一种方法与系统，用以提高由激光微加工系统所达成的结果的品质。和用于控制激光微加工制程（１５２）的参数相关的资料（１５８、１７８）会在该微加工制程期间被记录，由和用来微加工的参数相关联的特征形状来辨识，并且被储存于该系统中。该被...