在一目标样品工作表面处形成具有受控稳定性的两道雷射处理射束的方法与系统包含沿着分离的第一射束路径与第二射束路径来传播且相互相干（ｃｏｈｅｒｅｎｔ）的第一雷射射束与第二雷射射束（１３０、１４０），它们被结合（１７０）以实施一光学特性调整。...

本发明的激光系统实施例的优点为使用脉冲式光纤型激光源（１２）输出，其时间脉冲轮廓可被程序化以采用一脉冲形状范围。脉冲式光纤激光具有尖峰功率限制，以避免发生非所希望的非线性效应；所以，该装置的激光输出功率接着会在一二极管泵激固态光功率放大...

本发明提供用短激光脉冲刻划晶片（２００）以降低目标材料的烧蚀阈值的系统及方法。在材料叠层（２０２、２０４、２０６、２０８）中，确定层（２０２、２０４、２０６、２０８）中每一层的基于激光脉冲宽度的最小激光烧蚀阈值。选择最小激光烧蚀阈值的最...

由刻划制程用于刻划具有减少或没有损坏或碎片至或在个别集成电路上的半导体晶圆（４１０）的系统与方法。该半导体晶圆（４１０）从其背部（４３０）刻划。在某一实施例，紧接在背部研磨制程后但在移除背部侧研磨带（４２６）前刻划晶圆（４１０）背部（４...

以一激光处理一工件包含按第一脉冲重复频率产生激光脉冲。该第一脉冲重复频率提供一射束定位系统与一或更多协同射束位置补偿构件的协调的参考计时，借此相对于该工件校齐射束递送坐标。该方法也包含，按一低于该第一脉冲重复频率的第二脉冲重复频率对该等...

使用单遍的激光束以于材料上切割多个宽度的沟渠的系统及方法。第一系列的激光脉冲是使用第一点尺寸按第一切割速度切割该材料的一工作表面。于自第一沟渠宽度至第二沟渠宽度的一转变区域，第二系列的激光脉冲是随自第一切割速度至第二切割速度的逐渐改变而...

本发明揭示激光加工烧结陶瓷和其它坚硬和／或厚材料，其包含：利用一激光射束沿着一工作件的切除区内的一平行激光路径序列来削切该工作件。该削切作用会在该切除区中产生一切口，该切口会随着该激光射束在该序列中前进而增宽。该序列可能是始于该切除区的...

各向异性晶体，例如Ｎｄ：ＹＶＯ４、Ｎｄ：ＹＬＦ、以及Ｎｄ：ＧｄＶＯ４，已经成为许多激光应用的较佳增益材料。不需要辅助补偿的各向异性增益介质会确保在通过该增益介质时不会有任何的激光模式衰降。并入各向异性增益介质的光功率放大器会利用多次冲程...

一种方法与设备是实行用于硅晶片划线系统的实时自动聚焦。该种方法与设备是运用其指向至直接在物镜（２６）下方的硅晶片（１０）的表面（５０）的极化的光束（４２）作为于一掠射角的划线激光束。反射自硅晶片的光束被滤波（５６）以移除来自该划线激光束...

以激光处理例如半导体硅片与其它材料的工件，包括：选择所处理目标，其对应于与一预先界定时间脉冲轮廓有关的一目标种类。该时间脉冲轮廓包括：一第一部份以界定一第一时间期间，以及一第二部份以界定一第二时间期间。一种方法包括：根据此等激光系统输入...

一种用于检视物品的方法及装置，其自二或多个方向以光源（５２、５６）照明一物品（５０），该光源匹配于加装至影像感测器（１０）的拜尔滤光镜（１２）的光谱响应。影像资料依据颜色分离以形成导出影像，从而进行处理以侦测瑕疵。

高功率、二极管激发固态（ＤＰＳＳ）脉冲激光较佳地是用于诸如微机械加工、集成电路的通孔钻孔、及紫外线（ＵＶ）转换的应用。Ｎｄ：ＹＶＯ４（钒酸盐；ｖａｎａｄａｔｅ）激光是用于高功率应用的良好的候选者，因为其特征在于宽带宽的激发波长的高能量吸...

以激光脉冲在工件钻出锥形穿孔的方法及设备，使用失焦激光脉冲加工出具有特定锥度（７２、７４）及表面粗度（７６）的穿孔，同时维持特定的出口直径（７４）以及改善的系统生产量。描述一系统（１００），其无须对焦的激光脉冲即可以钻出具有预定锥度及表...

一种激光脉冲成形技术产生了经剪裁激光脉冲频谱输出（６４、６６）。该等激光脉冲可以被程序化，以具有所希的脉冲宽度与脉冲形状（例如：次奈秒至１０奈秒－２０奈秒的脉冲宽度，而具有１奈秒至数奈秒的前缘上升时间）。较佳实施例是以一或更多个电光调变...

激光加工一工件（１１０）的一工作表面（１０８）上的一目标位置（１０６）处的一小特征。指引一沿着一射束路径传播的激光束（１０４）以入射于该工作表面（１０８）上的该目标位置（１０６）处以加工该小特征。在该射束路径中在距该工作表面（１０８）一...

呈现使用结构化光线用于检测关于所制造物品的符合度与完整度的问题的经改良的方法与装置。使用自相反方向获取的两个或两个以上结构化光线影像来量测配合表面的符合度，同时避免由接缝附近的小缺陷引起的误报。

一种于不同脉冲重复频率（ＰＲＦ）提供激光脉冲等化的系统及方法。在起始时将激光介质自第一激发位准激发至峰值激发位准之后，控制器依据脉冲等化激发曲线使激发源继续激发激光介质。等化激发曲线可以依据在不同ＰＲＦ的激光脉冲测试参数而决定以达成脉冲...

用于在一电子基板钻孔（３０）增进的方法和装置，其具有激光脉冲（１６０、１７０、１７２、１８０、１９０、１９２），其中使用一个或多个修整脉冲（１６０、１８０），以减少碎片留在通孔，同时保持系统的生产量并且避免对基板的损害。一修整的脉冲是一...

两个脉冲雷射（１４）或雷射的集合传播具有正交相关的极化状态的脉冲（２０）的光束。一光束结合器（２４）结合上述正交光束以形成一沿着一与一光学调变器（３０）相交的共同光束路径（１６）传播的结合光束，该光学调变器（３０）选择性地改变任一光束的...

一种切割半导体晶片的方法，包括使用脉冲宽度介于１皮秒至１０００皮秒，且重复频率对应于比待划片材料的热弛豫时间短的脉冲之间的时间的激光，沿着切割带对至少一个电介质层进行划片以从晶片的表面去除材料。然后该晶片被切割穿透金属层且至少部分地切割...