通过在分割期间或之后进行蚀刻来增强晶片强度制造技术

将具有有源层的半导体晶圆１１在有源层远离载体１３的状态下固定到载体上，并从半导体晶圆的主表面开始，在载体上至少部分地分割该半导体晶圆。用自发性反应蚀刻剂１４０从该主表面开始在载体上蚀刻至少部分地被分割的半导体晶圆，以从由至少部分地被分割的半导体晶圆生成的晶片上去除足够的半导体材料，通过消除至少一些由于分割而造成的缺陷来改善晶片的抗挠抗弯强度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及通过在分割半导体晶圆(wafer)期间或之后进行蚀刻来增强晶片(die)强度。已知用自发性反应蚀刻剂对诸如硅的半导体进行蚀刻，对于半导体工业中使用的大部分覆盖层或封装层具有很高的蚀刻选择性。自发性反应蚀刻剂应被理解成，无需诸如电能、动能或热激发等的外部能源就能进行蚀刻的蚀刻剂。这样的蚀刻是放热的，使得在反应期间释放的能量比打开和重组反应物的原子间的键所用的能量更多。US9,498,074公开了一种分割半导体晶圆部分路线的方法，该方法通过利用从晶圆上侧面进行的锯刀(saw)、激光或掩蔽蚀刻，以形成至少与希望的晶片厚度一样深的槽，以从晶圆分开(singulate)。与上侧面相反的晶圆的背面被干蚀刻，例如，利用CF4的气压等离子蚀刻，经过露出各槽处的点，以从晶片的侧壁和底边和各角处去除损伤和合成应力，从而形成圆形的边缘和角。优选地，在挖槽之后使用诸如聚酰亚胺的保护层，以在晶片分开之后将晶片保持在一起，并且在蚀刻期间保护晶圆顶面上的电路避开流经各槽的蚀刻剂。然而，为了从晶圆背面进行蚀刻，有必要在上表面挖槽之后将晶圆重新固定在例如涡流非接触卡盘(vortex non-contact chuck)中，以便能从已被挖槽的晶圆的背面蚀刻晶圆。本专利技术的目的是至少改善现有技术中的上述缺点。根据本专利技术的第一方面，提供了一种对具有有源层(active layer)的半导体晶圆进行分割的方法，包括以下步骤在半导体晶圆的有源层远离载体的状态下，将半导体晶圆固定在载体上；从半导体晶圆主表面开始，至少部分地分割载体上的半导体晶圆，以形成至少部分被分割的半导体晶圆；和，从该主表面开始，用自发性反应蚀刻剂来蚀刻载体上的至少部分被分割的半导体晶圆，以从由至少部分地被分割的半导体晶圆产生的晶片上去除足够的半导体材料，以改善晶片的抗挠抗弯强度。便利地，至少部分地分割半导体晶圆的步骤包括，完全贯穿半导体晶圆地对半导体晶圆进行分割；并且蚀刻半导体晶圆的步骤包括，蚀刻晶片的侧壁，而晶片的剩余部分由于晶片上的有源层部分的遮蔽而不受自发性反应蚀刻剂作用。可替代地，至少部分地分割半导体晶圆的步骤包括，沿分割路线部分地分割半导体晶圆，以留下部分半导体材料跨接该分割路线；并且蚀刻半导体晶圆的步骤包括，对分割路线的侧壁进行蚀刻，并且将跨接分割路线的半导体材料部分蚀刻掉，以将晶片分离出来。有利地，半导体晶圆是硅晶圆。便利地，用自发性反应蚀刻剂进行蚀刻的步骤包括，用二氟化氙进行蚀刻。优选地，用自发性反应蚀刻剂进行蚀刻的步骤包括，提供蚀刻腔和在蚀刻腔内蚀刻半导体晶圆。有利地，在蚀刻腔内用自发性反应蚀刻剂进行蚀刻的步骤包括，周期性地向蚀刻腔供应自发性反应蚀刻剂，并在多个周期内将自发性反应蚀刻剂清除出蚀刻腔。根据本专利技术的第二方面，提供了一种用于对具有有源层的半导体晶圆进行分割的分割设备，该分割设备包括载体装置、激光或机械锯刀装置和蚀刻装置，其中载体装置上可固定半导体晶圆，半导体晶圆的固定状态是有源层远离载体；激光或机械锯刀装置被设置成，用于从半导体晶圆的主表面开始，至少部分地分割载体上的半导体晶圆；蚀刻装置被设置成，用自发性反应蚀刻剂，从该主表面开始，对载体上的至少部分被分割的半导体晶圆进行蚀刻，以从至少部分被分割的半导体晶圆所产生的晶片上去除足够的半导体材料，以改善晶片的抗挠抗弯强度。便利地，分割设备被设置成用于分割硅晶圆。有利地，蚀刻装置被设置成用二氟化氙来进行蚀刻。优选地，分割设备进一步包括蚀刻腔，该蚀刻腔被设置成用于在蚀刻腔内蚀刻被固定在载体装置上的半导体晶圆。优选地，蚀刻腔被设置成用于周期地向蚀刻腔供应自发性反应蚀刻剂，和在多个周期内清除蚀刻腔的自发性反应蚀刻剂。以下将通过参考附图以举例的方式来描述本专利技术，在附图中附图说明图1是本专利技术第一实施例的示意性流程图，该实施例包括有源侧向上分割，之后进行自发性反应蚀刻；图2是本专利技术第二实施例的示意性流程图，该实施例包括有源面向上的部分分割，之后进行通过自发性反应蚀刻来进行晶片释放；图3是以成功率为纵坐标，而以晶片强度作为横坐标的曲线图，该曲线图是通过3点测试测量得到的关于根据本专利技术的激光切割控制晶圆和被蚀刻到各种程度的晶圆。图4是以成功率为纵坐标，而以晶片强度作为横坐标的曲线图，该曲线图是通过3点测试测量得到的关于根据本专利技术的锯刀切割控制晶圆和被蚀刻到各种程度的晶圆。图5是以成功率为纵坐标，而以晶片强度作为横坐标的曲线图，该曲线图是通过4点测试测量得到的关于根据本专利技术的激光切割控制晶圆和被蚀刻到各种程度的晶圆。图6是以成功率为纵坐标，而以晶片强度作为横坐标的曲线图，该曲线图是通过4点测试测量得到的关于根据本专利技术的锯刀切割控制晶圆和被蚀刻到各种程度的晶圆。图7示出了根据本专利技术的激光切割控制晶圆和被蚀刻到各种程度的激光切割晶圆的侧壁的显微照片；图8是根据本专利技术的锯刀切割控制晶圆和被蚀刻到各种程度的锯刀切割晶圆的侧壁的显微照片。在各附图中，相同的附图标记表示相同的部分。参考图1和图2，标准分割带12和带框13上的硅晶圆11被固定在载体(未示出)上。使用激光或机械锯在载体上分割晶圆，以产生分割后的晶圆111。激光可以是二极管泵浦的固态激光、模式锁定激光或适合于机械加工半导体和其它材料的晶圆的任何其它激光。适合的激光波长可以在从红外到紫外的波长范围内选择。分割后的晶圆111被放置在腔14中的载体上，腔14具有入口141和出口142。多次循环的二氟化氙(XeF2)或硅的任意其它自发性反应蚀刻剂，通过入口141被输入并通过出口142被清除，这种过程重复预定次循环并分别持续预定的时间。可替代地，蚀刻可以作为连续的处理被执行，但这已经被发现会在蚀刻速率和蚀刻剂的使用方面效率较低。然后，将晶片从带12上释放，并将晶片固定到晶片垫板15上或另一个晶片上，以形成固定后的晶片16。参考图1，在本专利技术的第一实施例中，晶圆11的最上面具有有源层，分割晶圆11，随后对其进行自发性反应蚀刻。晶圆11被有源层面向上地固定到带12和带框13上的晶圆载体上，即，以有源层远离载体的状态。用载体上的机械分割锯或激光切割锯来分割晶圆，以形成有源侧向上的分割后的晶圆111。分割后的晶圆111被面向上地放置在蚀刻腔14中，并且硅的自发性反应蚀刻剂140通过入口141被输入到腔14中，以持续接触分割后的晶圆111预定长的时间段。蚀刻剂可以是，但不限于XeF2，或者可以是气体或者可以是液体。分割后的晶圆111被晶圆载体(未示出)保持在腔14中的位置，该晶圆载体可以由任意的弹性或非弹性材料制成，或者通过使用粘结层或者通过使用诸如物理的、电子的或真空夹具的机械装置，将晶圆保持在适当位置。晶圆载体可以是不透明的或是透光的。在蚀刻后，分离开的蚀刻后的晶片16从载体被取下，并被固定到晶片垫板15或另一个晶片上。在该实施例中，有源层起到了对自发性反应蚀刻剂的遮蔽作用，并且只有晶片的侧壁被蚀刻以去除一层硅。对侧壁的蚀刻改变了侧壁的物理特性，从而增强了平均晶片强度，如用三点或四点测试对破坏性进行的测量一样。参考图2，在本专利技术的第二实施例中，最上面具有有源层的晶圆11的有源侧向上地被固定在晶圆载体17上的带12和带框13上。晶圆载体17可以由任意的透光的弹本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对具有有源层的半导体晶圆（１１）进行分割的方法，包括以下步骤：ａ．将所述半导体晶圆固定在载体（１３）上，使所述有源层远离所述载体；ｂ．从所述半导体晶圆的主表面开始，至少部分地分割所述载体上的所述半导体晶圆，以形成至少部分被分割的半导体晶圆（１１１）；和ｃ．用自发性反应蚀刻剂（１４０），从所述主表面开始，对所述载体上的所述至少部分被分割的半导体晶圆进行蚀刻，以从所述至少部分地被分割的半导体晶圆所生成的晶片（１６）上去除足够的半导体材料，以改善所述晶片的抗挠抗弯强度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】GB 2004-11-1 0424195.61.一种对具有有源层的半导体晶圆(11)进行分割的方法，包括以下步骤a.将所述半导体晶圆固定在载体(13)上，使所述有源层远离所述载体；b.从所述半导体晶圆的主表面开始，至少部分地分割所述载体上的所述半导体晶圆，以形成至少部分被分割的半导体晶圆(111)；和c.用自发性反应蚀刻剂(140)，从所述主表面开始，对所述载体上的所述至少部分被分割的半导体晶圆进行蚀刻，以从所述至少部分地被分割的半导体晶圆所生成的晶片(16)上去除足够的半导体材料，以改善所述晶片的抗挠抗弯强度。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述至少部分地分割所述半导体晶圆的步骤包括，完全贯穿所述半导体晶圆地分割所述半导体晶圆；并且，所述蚀刻所述半导体晶圆的步骤包括，蚀刻所述晶片的侧壁，所述晶片的剩余部分由所述晶片上的所述有源层部分遮蔽，从而不受到所述自发性反应蚀刻剂的作用。3.如权利要求1所述的方法，其中，所述至少部分地分割所述半导体晶圆的步骤包括，沿分割路线(18)部分地分割所述半导体晶圆，留下跨接所述分割路线的半导体材料部分；并且，所述蚀刻所述半导体晶圆的步骤包括，蚀刻所述分割路线的侧壁并蚀刻掉跨接所述分割路线的所述半导体材料部分，以分离出所述晶片。4.如以上权利要求中任一项所述的方法，其中，所述半导体晶圆是硅晶圆。5.如以上权利要求中任一项所述的方法，其中，所述用自发性反应蚀刻剂进行蚀刻的步骤包括，用二氟化氙进行蚀刻。6.如以上权利要求中任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：A博伊尔，D吉伦，K邓恩，E费尔南德斯戈麦斯，R托夫尼斯，
申请(专利权)人：伊雷克托科学工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]