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意法半导体鲁塞公司专利技术
意法半导体鲁塞公司共有614项专利
三栅极MOS晶体管及此类晶体管的制造方法技术
本公开的实施例涉及三栅极MOS晶体管及此类晶体管的制造方法。一种三栅极MOS晶体管,其在半导体衬底中制造,半导体衬底包括由电隔离区横向包围的至少一个有源区。在有源区的区域两侧蚀刻沟槽,有源区被配置为形成晶体管的沟道。在每个沟槽的内表面上...
近场通信设备和方法技术
本公开的实施例涉及近场通信设备和方法。一种方法包括:由第一近场通信设备,检测第二近场通信设备的所述存在。在所述第二设备旨在由所述第一设备在近场充电的情况下,所述方法还包括:由控制设备,调整形成所述第一设备的近场通信电路的一部分的阻抗匹配...
用于管理卷积计算的方法和对应设备技术
本公开涉及用于管理卷积计算的方法和对应设备。在一个实施例中,一种用于管理由计算单元执行的卷积计算的方法,该计算单元被适配为根据被应用于至少一个输入通道上的输入数据块的卷积核来计算输出通道上的输出数据,其中对每个输入数据块的计算分别对应于...
NFC充电制造技术
本公开的各实施例涉及NFC充电。本公开涉及一种将智能手机对准的方法,智能手机提供NFC无线功率来为设备的电池充电,该方法包括:用智能手机的第一NFC天线发射NFC场,用于对包括第二NFC天线的设备的电池进行无线充电;用智能手机获得信号的...
电子系统技术方案
本公开的实施例涉及电子系统。一种实施例系统包括物理不可克隆功能器件,其中该器件包括非易失性存储器单元的第一组件,每个非易失性存储器单元都具有被嵌入在半导体衬底中的选择晶体管以及具有电连接的控制栅极和浮置栅极的耗尽型状态晶体管,该状态晶体...
用于串行EEPROM的新的存储器架构制造技术
本公开的实施例涉及用于串行EEPROM的新的存储器架构。在一个实施例中,一种电可擦除可编程可读存储器包括:多个存储器单元,所述多个存储器单元组织在以矩阵方式排列成行和列的存储器平面中,其中,每个存储器单元包括具有源极区、漏极区、位于漏极...
微电路卡定制制造技术
本公开的实施例涉及微电路卡定制。微电路卡被设置有指纹传感器。微电路卡的定制通过使用在微电路卡与近场通信设备之间的近场通信进行数据交换来实现。与近场通信设备相关联的机械定位系统被配置成保持微电路卡,使得指纹传感器可触及,并且在微电路卡和近...
集成电路、用于复位的方法和计算机程序产品技术
本申请涉及集成电路、用于复位的方法和计算机程序产品。该集成电路包括第一部分和第二部分。第一部分包括:复位输入端,被配置为接收复位信号;激活模块,连接到复位输入端。激活模块被配置为在一旦接收到复位信号时就激活第二部分。第一部分包括发射模块...
用于电子电路供电的装置和方法制造方法及图纸
本发明涉及用于电子电路供电的装置和方法。该装置被配置为:使第一电流流过连接到节点的第一导体,该第一电流是由电子电路消耗的第二电流的镜像;使第三电流流过连接到节点的第二导体,电流镜的第一支路传导第三电流;使第四恒定电流流过连接到节点的第三...
用于电子电路供电的设备和方法技术
本公开的实施例涉及用于电子电路供电的设备和方法。实施例电子电路电源设备被配置为:使第一电流流过被连接到节点的第一导体,所述第一电流是所述电子电路所消耗的第二电流的镜像;使第三电流流过被连接到所述节点的第二导体;通过作用于所述第三电流,将...
用于存储器中卷积计算的方法和对应的集成电路技术
本公开的实施例涉及用于存储器中卷积计算的方法和对应的集成电路。在一个实施例中,一种用于利用权重因子对输入值进行卷积计算(CNVL)的方法包括将输入值转换为电压信号,并且在相应时隙之上在非易失性存储器点阵列中的所选择的位线上连续施加电压信...
基于浮栅NVM阵列的卷积计算方法和装置制造方法及图纸
本公开的各实施例涉及基于浮栅NVM阵列的卷积计算方法和装置。在实施例中,一种方法,将属于非易失性存储器单元的浮栅晶体管编程为与权重因子分别相对应的多级阈值电压;利用控制信号执行经编程的浮栅晶体管的感测操作,该控制信号被适配为使对应的存储...
电压比较器及方法技术
公开了电压比较器及方法。一种实施例电子设备包括:第一电路,包括串联耦合在施加电源电压的节点和施加参考电压的节点之间的第一晶体管和第二晶体管,第一晶体管和第二晶体管通过第一节点彼此耦合;以及第二电路,被配置为将第一节点上的第一电压与第一电...
电压转换器以及方法技术
本公开的各实施例涉及电压转换器以及方法。实施例电压转换器包括:第一晶体管,被连接在转换器的第一节点与被配置为接收电源电压的第二节点之间;第二晶体管,被连接在第一节点与被配置为接收参考电位的第三节点之间;第一电路,被配置为控制第一晶体管和...
微电子器件制造技术
本公开的实施例涉及微电子器件。一种器件包括位于衬底的相同第一部分的MOS晶体管和双极晶体管。第一部分包括形成MOS晶体管的沟道的呈现第一掺杂类型的第一阱和与第一类型相对的呈现第二掺杂类型的两个第一区域,该第一区域布置在构成MOS晶体管的...
用于制造晶体管的方法及相应设备技术
本公开涉及用于制造晶体管的方法及相应设备。一种具有两个竖直栅极的MOS晶体管(TS)包括:具有第一导电类型的半导体衬底区域(ZS),该半导体衬底区域通过在第一方向(X)上延伸的两个第一平行沟槽(GT1,GT2)与该衬底(SUB)的其余部...
用于激活NFC设备的电路和方法技术
本公开涉及用于激活NFC设备的电路和方法,例如,近场通信(NFC)路由器包括:第一开关,耦合在NFC路由器的第一端子和NFC路由器的第二端子之间;以及整流桥,具有耦合到第一开关的控制端子的输出端子,该整流桥被配置为对由NFC路由器外部的...
脉冲发生器电路、相关系统以及方法技术方案
本公开的实施例涉及脉冲发生器电路、相关系统以及方法。根据实施例,脉冲发生器电路包括:LC谐振电路,耦合在第一节点与参考节点之间;第一开关,耦合在第一节点与参考节点之间;开关网络,包括耦合在第一节点与参考驱动节点之间的第二开关;驱动电路,...
脉冲生成器电路、相关系统和方法技术方案
本公开的实施例涉及脉冲生成器电路、相关系统和方法。实施例脉冲生成器电路包括耦合到第一节点与第二节点之间的第一电子开关,以及耦合到第二节点与参考节点之间的第二电子开关。包括电感和电容的LC谐振电路耦合到第一节点与参考节点之间,充电电路装置...
用于转换数字图像的方法和装置制造方法及图纸
本公开的实施例涉及用于转换数字图像的方法和装置。一种用于将初始数字图像转换为经转换数字图像的实施例方法、电子芯片、系统和计算机程序产品被公开,初始数字图像包括一组像素,像素与相应的颜色相关联,初始数字图像由采集设备采集,经转换数字图像由...
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