本实用新型涉及一种在半导体芯片上的集成电路，该集成电路包括实现相同基本功能的至少两个互连的标准单元，其特征在于所述互连的标准单元具有不同的布局，用于保护集成电路免受反向工程。

本发明涉及制造受保护免于反向工程的集成电路的方法。提供一种在半导体芯片上制造集成电路(IC)的方法，该方法包括：设计(PH2)包括实现相同基本功能(Fi)的至少第一标准单元和第二标准单元(Ck)的集成电路的架构(ICA)；针对标准单元设...

本发明涉及集成电路中的密钥提取。使用接通电源后的易失性存储器的单元的状态，从物理不可复制功能件中提取密钥的方法，其中：根据非易失性存储器中存储的地址来读取单元；纠错码校正读取状态；以及在错误已经被校正的情况下，在非易失性存储器中，由提供...

本发明涉及一种ＥＥＰＲＯＭ存储器单元，包括双栅ＭＯＳ晶体管，其中两个栅极（８７、９８）由绝缘层分隔开，其特征在于，绝缘层包括第一部分（８９）和绝缘性比该第一部分弱的第二部分（９６），该第二部分至少局部地位于该晶体管的沟道区之上。

本发明涉及一种检测故障攻击的方法，该方法包括：提供多个掩蔽值（Ｒ１至ＲＬ）；生成第一数据元素集合（Ｄ１．．．ＤＭ），该第一数据元素集合包括第一组数据元素（Ｄ１．．．ＤＮ）和通过在第一组中的至少一个数据元素与所述掩蔽值中的至少一个掩蔽值之...

本发明涉及一种非易失性存储器（Ｍ），包括：至少第一存储单元和第二存储单元（Ｃｅｌｌｇ），每个存储单元包括具有双栅极（２１，２３）的存储ＭＯＳ晶体管（Ｔｇ’），该存储ＭＯＳ晶体管具有设置在所述两个栅极之间的绝缘层（２２）。第二存储单元（Ｃ...

本发明涉及用于检测围绕轴线旋转的对象上的至少一个点相对于该轴线的距离变化的方法，该方法利用位于相对于所述轴线（４１）静止的位置处且能够针对附接至所述对象的至少一个谐振电路（２）发射射频场的终端（１）。所述方法包括步骤：在所述终端侧测量和...

一种由包括产生直流电压的振荡电路的应答器对产生磁场的终端进行认证的方法，其中，所述应答器接收由终端对于所述应答器的电阻负载的第一值测得的、与所述终端的振荡电路中的电流相关的第一数据，以及利用对于所述第一电阻负载值以及对于第二电阻负载值分...

一种由包括产生直流电压的振荡电路的应答器对产生磁场的终端进行认证的方法，其中，将取决于所述应答器与所述终端之间的耦合的至少一个量与至少一个基准值进行比较。

一种由产生磁场的终端对位于该场中的应答器进行认证的方法，其中：将由所述终端针对所述应答器的电阻负载的第一值所测得的与所述终端的振荡电路中的电流相关的第一数据传送到所述应答器；由所述应答器针对所述电阻负载的第二值估计对应的第二数据，并且将...

一种用于识别集成电路芯片的元件，具有被连接为惠斯顿桥的相同的扩散电阻器。

一种由处于产生磁场的终端的场中的电磁应答器估计能够从该场提取的功率的方法，包括以下步骤：估计所述应答器与所述终端之间的电流耦合；以及据此推导在该耦合位置中与可用功率有关的信息。

一种用于估计电磁应答器与终端之间的电流耦合因子的方法，其中，将表示所述应答器的振荡电路两端的电压的数据与针对电阻负载的两个值获得的数据之间的比率与一个或多个阈值进行比较。

一种用于估计电磁应答器与终端之间的电流耦合因子的方法，其中，将表示所述应答器的振荡电路两端的电压的数据与针对该振荡电路的两对电感和电容值而获得的数据之间的比率与一个或多个阈值进行比较，所述两对值将所述振荡电路的调谐保持为相同频率。

一种用于检测集成电路芯片的衬底变薄的器件，在衬底的有源区中包括连接为惠斯顿桥的条形扩散电阻器，其中：所述桥的第一相对电阻器沿着第一方向定位；所述桥的第二相对电阻器沿着第二方向定位；以及所述第一方向和第二方向使得衬底的变薄造成所述桥的失衡...