一种电子芯片，包括：第一导电类型的掺杂半导体衬底、覆盖该衬底的第二导电类型的掺杂掩埋层以及覆盖该掩埋层的该第一导电类型的第一掺杂阱。电路部件可以形成在该第一掺杂阱的顶表面处并与该掩埋层分隔开。电流检测器耦合到该掩埋层并且被配置成用于检测...

提供了集成电路的保护。一种集成电路保护装置，包括：以矩阵阵列分布的辐射检测元件组；组合行中和列中的检测元件的输出的逻辑门，检测元件的每个输出可连接到组合行的门并且连接到组合列的门；以及用于解释由所述逻辑门提供信号的电路，并且该电路包括事...

本公开涉及一种非易失性存储器设备，该非易失性存储器设备包括至少一个存储器单元(CEL)，该至少一个存储器单元包括：选择晶体管(TRS)，该选择晶体管包括嵌入在半导体衬底区域(SB1，SB2)中的绝缘选择栅极(SG)；半导体源极区域(S)...

提供了脉冲计数电路。一种用于对脉冲进行计数的电路，该脉冲由具有至少两个反相脉冲信号供应端子供应，该电路包括：供应第一计数的第一脉冲信号的脉冲的第一计数器；供应第二计数的第二脉冲信号的脉冲的第二计数器；以及用于选择计数中的一个的元件。

一种用于生成大量振荡的电路，包括：第一分支，第一分支包括在上升沿上和在下降沿上引入对称延迟的至少一个延迟线以及在上升沿上和在下降沿上引入不同延迟的至少一个非对称延迟元件；第二分支，第二分支在第一分支上被环回并且包括在上升沿上和在下降沿上...

提供多路复用器结构。一种逻辑二对一多路复用器，包括：两个输入端子；一个输出端子；控制端子；以及四的倍数个串联连接的二对一多路复用器，第一多路复用器的输入连接到输入端子，最后一个多路复用器的输出连接到输出端子，并且其他多路复用器的相应输入...

本公开涉及阻变式存储器单元的制造方法。一种氧化物基直接存取阻变式存储型非易失存储器，其在集成电路的互连部内包括存储平面，存储平面包括在垂直的第一和第二方向(X，Y)上延伸的电容性存储单元(CEL)且每个存储单元(CEL)均包括第一电极(...

本实用新型涉及大量振荡的生成器、数生成器以及电子设备。一种用于生成大量振荡的电路，包括：第一分支，第一分支包括在上升沿上和在下降沿上引入对称延迟的至少一个延迟线以及在上升沿上和在下降沿上引入不同延迟的至少一个非对称延迟元件；第二分支，第...

本实用新型涉及用于确定旋转元件的移动的器件。旋转元件被装配有表示至少三位上的反射二进制码的样式。包括与旋转元件交互的至少三个传感器的检测级被配置为在所述样式在所述传感器的前面旋转期间传递被编码在至少三位上的反射二进制码中的入射信号，如果...

一种电荷泵电路可以被由来自电荷泵电路的输出信号、参考信号和时钟信号的第一信号生成的控制信号所控制。控制信号的生成包括参考信号和第一信号的比较，该比较的频率与来自时钟信号的定时信号的频率一致。

本公开的实施例提供了一种电子芯片，包括：在第一导电类型的区域上交替连续设置的多个具有第一导电类型的第一半导体条和多个具有第二导电类型的第二半导体条；设置在每个第二半导体条端部的两个检测触点；用于检测每个第二半导体条端部的两个检测触点之间...

本发明的实施例涉及防止集成电路内的线间多孔电介质过早击穿的新颖保护。使用堆叠，其包括双钝化(CPSI、CPSS)并且被局部蚀刻以暴露集成电路的位于集成电路的互连部分的最后金属化层级之上的接触垫(PLCT)，以保护上述集成电路防止至少一个...

一种用于时间测量的电荷流电路，包括电串联的多个基本电容性元件，每个基本电容性元件经过它的电介质空间泄漏。

本公开涉及存储器装置。一种氧化物基直接存取阻变式存储型非易失存储器，其在集成电路的互连部内包括存储平面，存储平面包括在垂直的第一和第二方向(X，Y)上延伸的电容性存储单元(CEL)且每个存储单元(CEL)均包括第一电极(BE)、电介质区...

提供了一种非易失性电可擦除和可编程存储器类型的存储器装置，包括，连接至位线(BL)的存储器单元(CEL)的矩阵存储板(PM)，配置用以选择存储器单元(CEL)并施加编程脉冲(VSBL)至对应位线(BL)的编程装置(MPR)。根据通常特征...

本申请涉及用于集成电路的电磁干扰设备和方法。提供一种用于干扰电磁辐射的设备，所述电磁辐射易于由位于在半导体衬底中和/或在半导体衬底上制造的集成电路的至少一个区域上方的互连区域的至少一部分所发射，所述设备包括：至少一个天线(5)，位于电路...

在待监测的程序代码中插入同步点(@WD_ti)，这些点与由间接分支指令(INSPF4)的执行所得的不同分支相关联。这些同步点可以由用于标识在主程序代码的间接分支指令(INSXF4)的执行期间使用哪个分支的监视程序代码访问。

用于从其背面检测集成电路的半导体衬底的薄化的方法，包括测量表示位于绝缘区域(RIS)和下方衬底区域(CS)之间界面处两个导电接触(C1，C2)的端部(EX11，EX21)之间电阻的物理量，所述两个导电接触(C1，C2)至少部分地延伸进入...

本申请涉及用于改善EEPROM存储器的写操作的方法及相应器件。用于在存储器位置中进行写入的方法包括用于写入数据值的至少一个操作，该操作包括均使用隧道效应的擦除和/或编程步骤。存储器位置包括第一存储器单元和第二存储器单元，第一存储器单元包...

本公开涉及具有偏移补偿的动态感测放大器。一种设备，包括第一和第二反相器，每个反相器具有信号输入、信号输出、高电压供电端子和低电压供电端子。第一反相器的信号输入耦合至第二反相器的信号输出，并且第二反相器的信号输入耦合至第一反相器的信号输出...