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意法半导体鲁塞公司专利技术
意法半导体鲁塞公司共有610项专利
增强型温度传感器制造技术
本公开的实施例涉及增强型温度传感器。提供了一种温度传感器的校准方法。该温度传感器具有电流源和环形振荡器,该环形振荡器生成具有与温度有关的方形脉冲频率的方形脉冲信号。处于第一温度从方形脉冲信号获取的第一方形脉冲频率测量形成第一测量点。在第...
振荡器制造技术
本公开的实施例涉及一种振荡器。生成第一斜坡和第二斜坡的系列。电路递送表示每个第一斜坡与设置点的比较的第一信号,并且递送表示每个第二斜坡与设置点的比较的第二信号。基于第一和第二信号:当第一斜坡到达设置点时,停止第一斜坡并开始第二斜坡;以及...
智能卡和电子电路制造技术
本公开的各实施例涉及智能卡和电子电路。发光二极管具有通过第一晶体管而耦合到施加电源电压的节点的阳极端子,并且具有通过第二晶体管而耦合到施加基准电压的节点的阴极端子。微控制器包括数模转换器以及比较器,比较器具有耦合到二极管的阳极端子和阴极...
集成电路制造技术
一种集成电路包括半导体衬底、在衬底正面上方的导电层、第一金属层级中的第一金属轨道、以及位于导电层与第一金属层级之间的金属前电介质区域。金属
智能卡制造技术
本公开的各实施例涉及智能卡。发光二极管具有通过第一晶体管而耦合到施加电源电压的节点的阳极端子,并且具有通过第二晶体管而耦合到施加基准电压的节点的阴极端子。微控制器包括数模转换器以及比较器,比较器具有耦合到二极管的阳极端子和阴极端子中的一...
用于管理操作的方法以及对应的存储器设备技术
本公开的实施例涉及用于管理操作的方法以及对应的存储器设备。一种用于管理用于修改被耦合到处理单元的存储器设备的存储器平面的内容的操作的实施例方法,包括:由处理器单元向存储器设备通信操作的控制、由存储器设备执行的操作、以及在操作结束时由存储...
电路的激活持续时间的校准制造技术
本公开的实施例涉及电路的激活持续时间的校准。本发明描述的实施的第一设备的近场通信电路的周期性激活步骤的持续时间根据所述电路的激活与由所述第一设备对由第二设备传输的消息的接收之间的时间间隔而被校准。输的消息的接收之间的时间间隔而被校准。输...
电路的激活时间的调节制造技术
本公开的实施例涉及电路的激活时间的调节。本说明书的一个实施例涉及一种方法,其中根据由第二设备发射的电磁场的频率来调节第一设备的近场通信电路的周期性激活步骤的开始时间,近场通信电路由第二设备在近场中充电。电。电。
智能卡制造技术
本公开的实施例涉及智能卡。智能卡包括递送供电电压的第一电路以及通过电导体耦合到第一电路并由供电电压供电的第二电路。发光二极管具有与电导体耦合的第一端子以及与第二电路的第一端子耦合的第二端子。在第一操作阶段期间,第一电路递送供电电压的第一...
时钟信号生成制造技术
本公开的实施例涉及时钟信号生成。用于生成第一时钟信号的设备包括第一电路,第一电路各自包括环形振荡器,环形振荡器传送第一时钟信号中的一个第一时钟信号并且被连接到被配置为接收第一电流的第一节点。电路选择第一时钟信号中的一个第一时钟信号,并且...
集成电路制造技术
本公开的各实施例涉及集成电路。该集成电路包括非易失性存储器单元。一种用于非易失性存储器单元的存储器晶体管包括被植入半导体衬底中的源极区和漏极区。源极区与漏极区隔开。用于存储器晶体管的双栅极区在源极区与漏极区之间的半导体衬底中至少部分地在...
包括金属-绝缘体-金属型电容结构的集成电路和对应制造方法技术
一种集成电路包括半导体衬底、在衬底正面上方的导电层、第一金属层级中的第一金属轨道、以及位于导电层与第一金属层级之间的金属前电介质区域。金属
MOS晶体管和用于检测封闭容器的打开的应用制造技术
本公开的各实施例涉及MOS晶体管和用于检测封闭容器的打开的应用。一种集成电路包括第一衬底。MOS晶体管具有第一多晶硅区,该第一多晶硅区与第一衬底电隔离并且包括栅极区。第二多晶硅区与第一多晶硅区和第一衬底电隔离。第二多晶硅区包括MOS晶体...
非易失性存储器制造技术
本公开的各实施例涉及非易失性存储器。一种用于非易失性存储器单元的存储器晶体管包括被植入半导体衬底中的源极区和漏极区。源极区与漏极区隔开。用于存储器晶体管的双栅极区在源极区与漏极区之间的半导体衬底中至少部分地在深度上延伸,并且还延伸超出该...
相变存储器制造技术
本公开的各实施例涉及相变存储器。本说明书涉及包括相变存储器单元的器件,每个存储器单元包括与由相变材料制成的第二元件横向接触的第一电阻元件。触的第一电阻元件。触的第一电阻元件。
测试电路制造技术
本公开的实施例涉及测试电路。本公开提供了一种测试电路和用于测试集成电路的方法。集成电路包括测试电路。测试电路包括在集成电路周界的至少一部分之上延伸的导电轨、至少一个部件和适于在测试模式期间将输入数据信号偏离到导电轨的激活电路,以及适于在...
三栅极MOS晶体管及此类晶体管的制造方法技术
本公开的实施例涉及三栅极MOS晶体管及此类晶体管的制造方法。一种三栅极MOS晶体管,其在半导体衬底中制造,半导体衬底包括由电隔离区横向包围的至少一个有源区。在有源区的区域两侧蚀刻沟槽,有源区被配置为形成晶体管的沟道。在每个沟槽的内表面上...
近场通信设备和方法技术
本公开的实施例涉及近场通信设备和方法。一种方法包括:由第一近场通信设备,检测第二近场通信设备的所述存在。在所述第二设备旨在由所述第一设备在近场充电的情况下,所述方法还包括:由控制设备,调整形成所述第一设备的近场通信电路的一部分的阻抗匹配...
用于管理卷积计算的方法和对应设备技术
本公开涉及用于管理卷积计算的方法和对应设备。在一个实施例中,一种用于管理由计算单元执行的卷积计算的方法,该计算单元被适配为根据被应用于至少一个输入通道上的输入数据块的卷积核来计算输出通道上的输出数据,其中对每个输入数据块的计算分别对应于...
NFC充电制造技术
本公开的各实施例涉及NFC充电。本公开涉及一种将智能手机对准的方法,智能手机提供NFC无线功率来为设备的电池充电,该方法包括:用智能手机的第一NFC天线发射NFC场,用于对包括第二NFC天线的设备的电池进行无线充电;用智能手机获得信号的...
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