用于电子电路供电的设备和方法技术

技术编号:32446859 阅读:25 留言:0更新日期:2022-02-26 08:14
本公开的实施例涉及用于电子电路供电的设备和方法。实施例电子电路电源设备被配置为:使第一电流流过被连接到节点的第一导体,所述第一电流是所述电子电路所消耗的第二电流的镜像;使第三电流流过被连接到所述节点的第二导体;通过作用于所述第三电流,将所述节点的电位调节到恒定值;使第四恒定电流流过被连接到所述节点的第三导体;以及消耗作为所述第三电流的镜像的第五电流。第三电流的镜像的第五电流。第三电流的镜像的第五电流。

【技术实现步骤摘要】
用于电子电路供电的设备和方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年8月25日提交的法国专利申请No.2008673的权益,该申请通过引用并入于此。


[0003]本公开大体上涉及电子设备和方法,并且特别地,涉及电子电路电源设备和方法。

技术介绍

[0004]电子电路可以被集成在电子芯片中。芯片通常包括具有从芯片的电源电压向电子电路递送电压的功能的电子电路电源设备。电子电路根据其操作消耗可变电流。递送到电路的电压通常是稳定的或调节的,以使得其在由电路所消耗的电流的变化期间保持恒定值。
[0005]电子电路可以包含机密数据,其可以被保护以防止由非授权人员进行的任何访问。这种情况例如在芯片旨在接收、存储和/或通信密码或加密数据(诸如密钥)时发生。然后攻击者可以尝试获得全部或部分机密数据。
[0006]在一种攻击中,攻击者操作芯片并且尝试测量被供应给电子电路电源设备的电流,以便基于该电流的变化来提取关于电子电路能够推断出机密信息的操作的信息。

技术实现思路

[0007]需要一种为包含机密数据的电子电路供电的设备和方法,从而能够保护机密数据免受攻击。
[0008]需要简化现有的电子电路电源设备和方法。
[0009]实施例克服了已知电子电路电源设备的全部或部分缺点。
[0010]实施例克服了已知电子电路电源方法的全部或部分缺点。
[0011]根据第一方面,实施例提供了一种用于为电子电路供电的设备,该设备被配置为:使第一电流流过被连接到节点的第一导体,第一电流是由电子电路所消耗的第二电流的镜像;使第三电流流过被连接到节点的第二导体,电流镜的第一分支传导第三电流;使第四恒定电流流过被连接到节点的第三导体;消耗作为第三电流的镜像的第五电流;以及通过作用于与电流镜的第二分支电串联的晶体管的栅极电位来调节节点的电位。
[0012]实施例提供了一种为电子电路供电的方法,该方法包括以下步骤:使第一电流流过被连接到节点的第一导体,第一电流是电子电路所消耗的第二电流的镜像;使第三电流流过被连接到节点的第二导体,电流镜的第一分支传导第三电流;使第四恒定电流流过被连接到节点的第三导体;消耗作为第三电流的镜像的第五电流;以及通过作用于与电流镜的第二分支电串联的晶体管的栅极电位来调节节点的电位。
[0013]根据实施例,晶体管将施加电位的节点(优选地固定)耦合到电流镜的晶体管的耦合在一起的栅极。
[0014]根据实施例,晶体管小于电流镜的第二分支的晶体管。
[0015]根据实施例,节点的电位被调节到恒定值。
[0016]根据实施例,电阻元件传导第四电流。
[0017]根据实施例,恒定值是用于为电子电路供电的调节电位的值。
[0018]根据实施例,另一电流镜的第一分支传导第一电流;并且节点的电位被调节到另一电流镜的第二分支的端子的电位值。
[0019]根据实施例,运算放大器接收在节点与另一电流镜的第二分支的端子之间的电位差,并且作用于晶体管的栅极电位。
[0020]根据实施例,另一电流镜的第二分支在施加以参考电位为参考的电源电压的端子与施加参考电位的端子之间与电子电路电串联。
[0021]根据实施例,第五电流由施加电源电压的端子供应。
[0022]根据实施例,电流镜的第二分支的端子具有被调节到节点的电位的值的电位。
[0023]根据实施例,附加晶体管与电流镜的第二分支串联;并且附加晶体管由运算放大器的输出控制,该运算放大器接收在节点的电位与电流镜的第二分支的端子的电位之间的差。
[0024]根据实施例,在第五电流与第三电流的值之间的比率等于第二电流和第一电流的值之间的另一比率或等于另一比率和单位元素的总和。
[0025]实施例提供电子电路,其包括诸如上文所限定的设备和电子电路,或被配置为实施诸如上文所限定的方法。
[0026]根据第二方面,实施例提供了一种电子电路电源设备,其被配置为:使第一电流流过被连接到节点的第一导体,第一电流是由电子电路所消耗的第二电流的镜像;使第三电流流过被连接到节点的第二导体;通过作用于第三电流,将节点的电位调节到恒定值;使第四恒定电流流过被连接到节点的第三导体;以及消耗作为第三电流的镜像的第五电流。
[0027]实施例提供了一种电子电路电源方法,其包括以下步骤:使第一电流流过被连接到节点的第一导体,第一电流是由电子电路所消耗的第二电流的镜像;使第三电流流过被连接到节点的第二导体;通过作用于第三电流,将节点的电位调节到恒定值;使第四恒定电流流过被连接到节点的第三导体;以及消耗作为第三电流的镜像的第五电流。
[0028]根据实施例,电阻元件传导第四电流。
[0029]根据实施例,恒定值是用于为电子电路供电的调节电位的值。
[0030]根据实施例,被耦合到第一导体的电流镜的第一分支传导第一电流;并且电流镜的第二分支的端子具有被调节到恒定值的电位。
[0031]根据实施例,电流镜的第二分支在施加以参考电位为参考的电源电压的端子与施加参考电位的端子之间与电子电路电串联。
[0032]根据实施例,第五电流由施加电源电压的端子供应。
[0033]根据实施例,被耦合到第二导体的电流镜的第一分支传导第三电流;被耦合到第二导体的电流镜的第二分支消耗第五电流;并且节点的电位通过对被耦合到第二导体的电流镜的晶体管的、被耦合在一起的栅极的电位的作用被调节。
[0034]根据实施例,对栅极的电位的作用通过运算放大器实施,该运算放大器接收在节点与被耦合到第一导体的电流镜的第二分支的端子之间的电位差。
[0035]根据实施例,对栅极的电位的作用通过作用于与被耦合到第二导体的电流镜的第二分支电串联的另一晶体管的控制电位被获得;并且优选地,另一晶体管将栅极耦合到施加电源电位的另一节点。
[0036]根据实施例,另一晶体管小于被耦合到第二导体的电流镜的第二分支的晶体管。
[0037]根据实施例,被耦合到第二导体的电流镜的第二分支的端子具有被调节到恒定值的电位。
[0038]根据实施例,附加晶体管与被耦合到第二导体的电流镜的第二分支串联;并且附加晶体管由运算放大器的输出控制,该运算放大器被配置为放大在恒定值与被耦合到第二导体的电流镜的第二分支的端子的电位之间的差。
[0039]根据实施例,在第五电流与第三电流的值之间的比率等于在第二电流与第一电流的值之间的另一比率或等于另一比率和单位元素的总和。
[0040]实施例提供了一种电子芯片,其包括诸如上文所限定的设备和电子电路,或被配置为实施诸如上文所限定的方法。
附图说明
[0041]将在通过说明而非限制的方式给出的具体实施例的以下描述中,参考随附图式对前述特征和优点以及其他特征和优点进行详细描述,在这些图式中:
[0042]图1示意性地示出了所描述的实施例适用的类型的电子电路电源设备的示例;...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于为电子电路供电的设备,所述设备被配置为:使第一电流流过被连接到节点的第一导体,所述第一电流是由所述电子电路所消耗的第二电流的镜像;使第三电流流过被连接到所述节点的第二导体;通过作用于所述第三电流,将所述节点的电位调节到恒定值;使第四恒定电流流过被连接到所述节点的第三导体;以及消耗作为所述第三电流的镜像的第五电流。2.根据权利要求1所述的设备,其中电阻元件传导所述第四恒定电流。3.根据权利要求1所述的设备,其中所述恒定值是用于为所述电子电路供电的调节电位的值。4.根据权利要求1所述的设备,其中:被耦合到所述第一导体的电流镜的第一分支传导所述第一电流;以及所述电流镜的第二分支的端子具有被调节到所述恒定值的电位。5.根据权利要求4所述的设备,其中所述电流镜的所述第二分支与所述电子电路被电串联在施加以参考电位为参考的电源电压的端子与施加所述参考电位的端子之间。6.根据权利要求5所述的设备,其中所述第五电流由施加所述电源电压的所述端子供应。7.根据权利要求1所述的设备,其中:被耦合到所述第二导体的电流镜的第一分支传导所述第三电流;被耦合到所述第二导体的所述电流镜的第二分支消耗所述第五电流;以及所述节点的所述电位通过对被耦合到所述第二导体的所述电流镜的晶体管的被耦合在一起的栅极的电位的作用而被调节。8.根据权利要求7所述的设备,其中:被耦合到所述第一导体的第二电流镜的第一分支传导所述第一电流;所述第二电流镜的第二分支的端子具有被调节到所述恒定值的电位;以及通过运算放大器来实施对所述栅极的所述电位的所述作用,所述运算放大器接收在所述节点与被耦合到所述第一导体的所述第二电流镜的所述第二分支的所述端子之间的电位差。9.根据权利要求7所述的设备,其中:通过作用于与被耦合到所述第二导体的所述电流镜的所述第二分支电串联的另一晶体管的控制电位,来获得对所述栅极的所述电位的所述作用;以及所述另一晶体管将所述栅极耦合到施加电源电位的另一节点。10.根据权利要求9所述的设备,其中所述另一晶体管小于被耦合到所述第二导体的所述电流镜的所述第二分支的晶体管。11.根据权利要求7所述的设备,其中被耦合到所述第二导体的所述电流镜的所述第二分支的端子具有被调节到所述恒定值的电位。12.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:N
申请(专利权)人:意法半导体鲁塞公司
类型:发明
国别省市:

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