【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及电子系统和设备，更具体地涉及由氮化镓结构(gan)形成的电子系统和设备。
技术介绍
1、常规来说由硅衬底形成电子系统和设备，但也可以使用其他半导体材料。具体地，可以使用包括氮化镓(gan)的结构。
2、期望能够至少部分地改进在包括氮化镓的结构内部和顶部形成的电子系统和设备的某些方面。
技术实现思路
1、需要在包括氮化镓的结构内部和顶部形成的电子系统和设备。
2、需要包括电子系统和设备的晶体管，该晶体管被形成在包括氮化镓的结构内部和顶部。
3、实施例克服了已知电子系统和设备的全部或部分缺点。
4、根据第一方面，一个实施例提供了一种电子设备，该电子设备被形成在表面覆盖有氮化镓层的单片半导体衬底的内部和顶部，包括至少一个e模式型hemt功率晶体管以及模拟电路，至少一个e模式型hemt功率晶体管适于接收电子设备的漏极与源极之间的650v的最大电压，模拟电路用于控制所述功率晶体管。
5、根据实施例，模拟控制电路包括所述功率晶
【技术保护点】
1.一种过温保护电路，包括：
2.根据权利要求1所述的电路，其中所述第二电阻器在所述衬底中，并且所述第二系数等于零。
3.根据权利要求1所述的电路，其中所述第二电阻器在所述氮化镓层中。
4.根据权利要求3所述的电路，其中所述第二系数为正。
5.根据权利要求1所述的电路，其中所述第二系数为负。
6.根据权利要求1所述的电路，其中所述第二电阻器是硅和铬合金。
7.根据权利要求1所述的电路，还包括比较器电路，所述比较器电路被配置为将跨所述第一电阻器取得的第一电压与第二参考电压进行比较。
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【技术特征摘要】
1.一种过温保护电路，包括：
2.根据权利要求1所述的电路，其中所述第二电阻器在所述衬底中，并且所述第二系数等于零。
3.根据权利要求1所述的电路，其中所述第二电阻器在所述氮化镓层中。
4.根据权利要求3所述的电路，其中所述第二系数为正。
5.根据权利要求1所述的电路，其中所述第二系数为负。
6.根据权利要求1所述的电路，其中所述第二电阻器是硅和铬合金。
7.根据权利要求1所述的电路，还包括比较器电路，所述比较器电路被配置为将跨所述第一电阻器取得的第一电压与第二参考电压进行比较。
8.根据权利要求7所述的电路，其中所述参考电压被配置为由分压桥递送。
9.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一电阻器包括包含至少一个金属熔丝的电路。
10.根据权利要求1所述的电路，包括：
11.根据权利要求10所述的电路，包括：
12.一种电子设备，包括：
13.根据权利要求12所述的电子...
【专利技术属性】
技术研发人员：L·布尔金，L·埃斯蒂夫，
申请(专利权)人：意法半导体鲁塞公司，
类型：发明
国别省市：
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