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本公开涉及一种过温保护电路，过温保护电路被形成在表面覆盖有氮化镓层的单片半导体衬底的内部和顶部，包括：第一电阻器，具有第一正温度系数并且被布置在所述氮化镓层中；以及第二电阻器，具有不同于第一系数的第二温度系数。...
该专利属于意法半导体（鲁塞）公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体（鲁塞）公司授权不得商用。

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