本发明是一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；对该单晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的表面之中的至少一方，进行表面活化处理的工序；以该进行表面活化处理后的面作为贴合面，来贴合该单晶硅基板的...

本发明提供一种防护薄膜组件收纳容器，其具有能承受保管、输送中的外力冲击的足够刚性，而且能抑制盖体掀开时的剧烈外气卷吸，防止异物附着于防护薄膜组件。为达成上述目的，对树脂片材进行成形以作为防护薄膜组件收纳容器的盖体（１），并在该盖体（１）...

本发明提供一种非常适合于半导体装置的工艺的ＳＯＱ基板及其制造方法。本发明的手段为：将氢离子注入单结晶硅基板１０的表面（主面），形成氢离子注入层（离子注入损伤层）１１。通过此氢离子注入，形成氢离子注入界面１２。贴合此单结晶硅基板１０和含有...

本发明提供一种将高品质的硅薄膜转印在低熔点物质的衬底上而成的半导体衬底。本发明的方法为：以１．５×１０↑［１７］ａｔｏｍｓ／ｃｍ↑［２］以上的掺杂量，将氢离子注入单结晶硅衬底（１０）的表面（主面），形成氢离子注入层（离子注入损伤层）（１...

本发明的目的在于提供一种可形成稳定的Ｂ阶状态，并且提供无空隙的硬化物的环氧树脂组成物以及包含该环氧树脂组成物的半导体用粘晶剂。该组成物的特征为包含：（Ａ）环氧树脂；（Ｂ）环氧树脂硬化剂，该（Ｂ）环氧树脂硬化剂的反应性基的当量，相对于（Ａ...

本发明提供ＳＯＱ基板及其制造方法，该制造方法包括：进行离子注入工艺，在硅基板的主面侧形成氢离子注入层；进行表面处理工艺，对石英基板和上述硅基板的至少其中一方的主面进行活性化处理；进行贴合工艺，将上述石英基板的主面与上述硅基板的主面贴合；...

本发明涉及一种单结晶硅太阳能电池的制造方法及单结晶硅太阳能电池，该方法包含：将氢离子或稀有气体离子注入单结晶硅基板的工艺；对单结晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的表面之中的至少一方进行表面活性化处理的工艺；以进行表面活性化处理后的面...

本发明提供一种轻量化且低成本的防护薄膜组件收纳容器，其无须使用其他补强体，便具有能承受保管、输送时的外力冲击，并防止异物附着于其内部所收纳的防护薄膜组件上的足够刚性。为达成上述目的，以树脂片材形成防护薄膜组件收纳容器本体，并在容器本体上...

一种ＳＯＩ基板的制造方法，包括：离子注入工艺，此工艺是在硅基板的主面侧，形成氢离子注入层；表面处理工艺，此工艺是对绝缘性基板和上述硅基板的至少其中一方的主面，施行活性化处理；贴合工艺，此工艺是贴合上述绝缘性基板的主面和上述硅基板的主面；...

本发明涉及导热硅氧烷组合物和导热硅氧烷模塑制品。该导热硅氧烷组合物包含：（ａ）有机聚硅氧烷，其中有机基团仅包含烯基和未取代烷基，（ｂ）导热填料，（ｃ）有机氢聚硅氧烷，（ｄ）铂族金属基加成反应催化剂，（ｅ）有机聚硅氧烷，包含一定改性比例的...

本发明在硅基板１０的主面上使ＳｉＧｅ混晶的缓冲层及Ｇｅ磊晶膜生长。在Ｇｅ磊晶膜１１中，虽然高密度的缺陷从与Ｓｉ基板１０的界面被导入，但是施加７００～９００℃的热处理，来使贯穿位错１２变化成为在Ｓｉ基板界面附近的环状位错缺陷１２’。接着，...

一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包括：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；以上述离子注入面作为贴合面，经由透明黏着剂，使上述单晶硅基板与上述透明绝缘性基板密接的工序；使上述透明黏着剂固化的工序；机械性剥离上述单晶硅基板，制成单晶...

热固性环氧树脂组合物，其特征在于：含有固形物的粉碎物作为树脂成分，该固形物是以环氧基当量／酸酐基当量为０．６～２．０的比例使三嗪衍生物环氧树脂和酸酐反应而得到的。

本发明提供一种光封闭型单晶硅太阳能电池，其以结晶性高的单晶硅作为薄膜的光变换层。一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；于金属基板上形成透明绝缘性层的工序；于上述离子注入面和上述透明绝缘性层表面...

本发明提供一种结构简单且能够调制在光波导管中进行导波的信号光的光波导管装置。其通过在ＳＯＩ膜１２上涂布光阻１３来形成光阻罩幕１４，然后蚀刻除去未被光阻罩幕１４被覆的区域的ＳＯＩ膜，来得到具有单晶硅芯的光波导管１５。而且，在石英基板２０的...

提供一种回蚀法薄膜化后的硅层的基板面内的膜厚均匀性和电阻率均匀性优异的ＳＯＩ基板的制造方法。从单晶硅基板（１０）的表面，注入硼离子，在最表面形成深度Ｌ的高浓度硼添加ｐ层（１１），使单晶硅基板（１０）和石英基板（２０）在室温下密接而贴合。...

本发明的课题是改善ＰＢＮ材料表面与金属的润湿性来扩大使用用途。本发明的解决方法是在硅基板１０的表面注入氢离子，并在硅基板１０的表面附近的规定深度形成离子注入区域１１，且对该硅基板１０的主面施行以表面洁净化或表面活化等为目的的等离子体处理...

本发明提供一种ＳＯＩ基板，其不会有起因于氧施体的生成所导致的电特性变动的疑虑。在贴合步骤中所使用的单晶硅基板１０，是以红外线吸收法测得的晶格间氧浓度为１×１０↑［１８］ｃｍ↑［－３］以下的单晶硅基板。将单晶硅基板的晶格间氧浓度设为１×１...

本发明是一种贴合基板的制造方法，是一种将绝缘性基板用于支撑片，并于该绝缘性基板的表面上贴合施主晶片的贴合基板的制造方法，至少对上述绝缘性基板的背面，施以喷砂处理。由此，在使用绝缘性基板作为支撑片来制造贴合基板时，通过将该贴合基板的背面（...

本发明提供能确保高可靠性的表面安装型ＬＥＤ的ＬＥＤ芯片和透镜的整体结构物及其制造方法，其特征如下：通过厚度０．０１～２ｍｍ的中间层，在发光二极管（ＬＥＤ）芯片的支撑结构体上形成凸状透镜部分，安装在上述支撑结构体上的ＬＥＤ芯片，在与上述凸...