单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池技术

一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包括：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；以上述离子注入面作为贴合面，经由透明黏着剂，使上述单晶硅基板与上述透明绝缘性基板密接的工序；使上述透明黏着剂固化的工序；机械性剥离上述单晶硅基板，制成单晶硅层的工序；在上述单晶硅层的上述剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并制成在上述单晶硅层的上述剥离面，存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工序；在上述单晶硅层的上述多个第一、第二导电型区域上，分别形成多个个别电极的工序；形成各自的集电电极的工序；以及形成光反射膜的工序。由此可提供一种光封闭型单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层制成结晶性高的单晶硅层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池。技术背景以硅作为主要原料的太阳能电池，根据其晶体类型，分类成单晶硅太阳 能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池。其中，单晶硅太阳能电池，是利用线锯将由结晶提拉而形成的单晶晶锭切成晶片状，加工成100 200 um厚度的晶片，然后在此晶片上形成pn结、电极、保护膜等，制成太阳 能电池板(电池单体)。多晶硅，并不是利用结晶提拉，而是利用铸模使熔融金属硅晶体化而制 造多晶晶锭，将此晶锭与单晶硅太阳能电池同样地利用线锯切成晶片状，同 样地制成100 200u m厚度的晶片，然后与单晶硅基板同样地形成pn结、 电极、保护膜等，制成太阳能电池板。非晶硅太阳能电池，例如是利用等离子体CVD法，将硅烷气体在气相 中利用放电而分解，由此，在基板上形成非晶质的氢化硅膜，在此添加乙硼 烷、膦等，作为掺杂气体，同时堆积，而同时进行pn结和成膜工序，形成 电极、保护膜而制成太阳能电池板。非晶硅太阳能电池，其非晶硅作为直接 变换型，由于会吸收入射光，其光吸收系数与单晶及多晶硅的光吸收系数相 比，大约高出一位数(高桥清、浜川圭弘、后川昭雄编本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶硅太阳能电池的制造方法，是用以制造出其光反射膜、作为光变换层的单晶硅层、和透明绝缘性基板被积层在一起，并以上述透明绝缘性基板侧作为受光面的单晶硅太阳能电池的方法，其特征在于，至少包括：　　　　准备透明绝缘性基板与第一导电型的单晶硅基板的工序；　　　　将氢离子或稀有气体离子的至少一种，注入上述单晶硅基板，来形成离子注入层的工序；　　　　经由透明黏着剂，使上述单晶硅基板的离子注入面与上述透明绝缘性基板密接的工序；　　　　使上述透明黏着剂固化来制成透明黏着层，并将上述单晶硅基板与上述透明绝缘性基板贴合的工序；　　　　对上述离子注入层施予冲击，机械性剥离上述单晶硅基板，来制成单晶硅层的工序；　...

【技术特征摘要】
JP 2007-3-7 2007-0568701.一种单晶硅太阳能电池的制造方法，是用以制造出其光反射膜、作为光变换层的单晶硅层、和透明绝缘性基板被积层在一起，并以上述透明绝缘性基板侧作为受光面的单晶硅太阳能电池的方法，其特征在于，至少包括准备透明绝缘性基板与第一导电型的单晶硅基板的工序；将氢离子或稀有气体离子的至少一种，注入上述单晶硅基板，来形成离子注入层的工序；经由透明黏着剂，使上述单晶硅基板的离子注入面与上述透明绝缘性基板密接的工序；使上述透明黏着剂固化来制成透明黏着层，并将上述单晶硅基板与上述透明绝缘性基板贴合的工序；对上述离子注入层施予冲击，机械性剥离上述单晶硅基板，来制成单晶硅层的工序；在上述单晶硅层的上述剥离面侧，形成多个与上述第一导电型相异的导电型即第二导电型的扩散区域，至少在面方向形成多个pn结，并制成在上述单晶硅层的上述剥离面，存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工序；在上述单晶硅层的上述多个第一导电型区域上，分别形成多个第一个别电极，而在上述多个第二导电型区域上，分别形成多个第二个别电极的工序；形成用以连接上述多个第一个别电极的第一集电电极与用以连接上述多个第二个别电极的第二集电电极的工序；以及形成用以覆盖上述多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的光反射膜的工序。2. 如权利要求1所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，上述透 明绝缘性基板为石英玻璃、结晶化玻璃、硼硅酸玻璃、以及碱石灰玻璃中的 任一种。3. 如权利要求1所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，上述透 明黏着剂，含有硅树脂、丙烯酸树脂、脂环式丙烯酸树脂、液晶聚合物、聚 碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一种。4. 如权利要求2所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，上述透明黏着剂，含有硅树脂、丙烯酸树脂、脂环式丙烯酸树脂、液晶聚合物、聚 碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一种。5. 如权利要求1所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，上述离 子注入的深度，设成从离子注入面算起2nm以上、50um以下。6. 如权利要求2所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，上述离 子注入的深度，设成从离子注入面算起2nm以上、50um以下。7. 如权利要求3所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，上述离 子注入的深度，设成从离子注入面算起2m以上、50um以下。8. 如权利要求4所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，上述离 子注入的深度，设成从离子注入面算起2um以上、50um以下。9. 如权利要求1 8中任一项所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其 中，将上述透明绝缘性基板，制成在其内部或与上述单晶硅基板贴合面的相 反侧的面，具有光散射性。10. 如权利要求1 8中任一项所述的单晶硅太阳能电池的制造方法， 其中，将上述透明绝缘性基板，制成在与上述单晶硅基板贴合的面侧，具有 光散射性。11. 如权利要求9所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，将上述 透明绝缘性基板，制成在与上述单晶硅基板贴合的面侧，具有光散射性。12. 如权利要求1 8中任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤厚雄，秋山昌次，川合信，田中好一，飞坂优二，久保田芳宏，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]