有机硅氧烷，其由式[1a]表示，在分子内具有至少1个水解性甲硅烷基和至少1个酸酐基。（X表示具有酸酐基的一价烃基，Y表示具有聚醚基的一价烃基，Z表示具有水解性甲硅烷基的一价烃基，R1表示氢原子或者可被卤素原子取代的一价烃基。M1表示从上...

本发明涉及一种锯片及多重锯切稀土磁体的方法。多刃片组件包含安装在旋转轴上的间隔开的多个锯片，该多刃片组件用来通过旋转其多个锯片将稀土磁块锯切成多个片。所述锯片包括呈薄环状盘形式的芯部和在所述芯部的外周缘边沿上的周缘切割部分。所述切割部分...

本发明提供光学半导体装置用基台及制造方法，用于实现机械性稳定且高耐久性、高散热性的光学半导体装置。一种光学半导体装置用基台的制造方法，光学半导体装置用基台具有多个晶片载持部，用于载持半导体晶片；多个信号连接部，电性连接于被载持的半导体晶...

本发明涉及一种用于回收氧化铈的方法。本发明特别涉及一种用于从主要由氧化铈组成的磨料废物回收氧化铈的方法，所述磨料废物源自玻璃衬底的抛光，所述方法包括以下步骤：（i）向磨料废物添加碱性物质的水溶液；（ii）向所得的溶液添加沉淀剂，从而形成...

本发明提供一种用于太阳电池的基板和太阳电池，其中，在平面图中具有正方形形状的硅基板的一个角部处形成平的斜切的部分，或者在角部或角部附近形成缺口。本发明使得能够很容易地在太阳电池制造步骤中检查基板的位置并确定基板的方向，并抑制由于基板方向...

一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，对半导体基板，在电极形成工序之前实施退火工序。根据本发明，通过如上所述实施退火，能够不损害可靠性和外观，改善太阳能电池的电气特性。因此，可以广泛地利用于具有高电气特性和可靠性的太阳能电池的制造方法。

一种太阳能电池模块，其由传输太阳光的透明材料板、与太阳光入射面相对地设置的导热材料板、透光弹性体构件以及太阳能电池元件而构成，将该透光弹性体构件和该太阳能电池元件插入在所述透明材料板和所述导热材料板之间，将该透光弹性体构件设置在太阳光入...

本发明涉及一种光图案曝光方法，半色调相移掩模及半色调相移掩模坯料。光图案曝光方法是通过半色调相移掩模向抗蚀膜照射ArF准分子激光。该掩模包括透明衬底和包含过渡金属、硅、氮和氧的材料的半色调相移膜的图案，且所述材具有0.18‑0.25的原...

本发明公开了一种用于气相沉积的氟基表面处理剂，其包含(A)使用含氟氧化烯基团聚合物改性的含可水解基团的硅烷，和/或部分水解缩合物，和(B)重均分子量大于组分(A)的含氟氧化烯基团的聚合物，其中组分(A)和(B)以6∶4到9∶1的重量比混合。

本发明是一种硅酮改性蜡，其特征在于，其是通过使在1分子中具有1个或2个烯基的多元醇与高级脂肪酸发生酯化反应，并使所得生成物与含有至少1个甲基的有机氢聚硅氧烷发生氢化硅烷化反应而获得，且在25℃下为固体或具有触变性的油脂状。由此，提供一种...

本发明公开了下述通式(1)的有机硅化合物：其中R1是烷基，或芳基，R2是烷基，芳基，芳烷基，烯基，或有机基氧基，R3是烷基，或芳基，n是1-3的整数，和m是1-3的整数。

通过送入浆料和使用抛光衬垫抛光基板表面来制造基板。抛光衬垫具有与基板表面相接触的多孔拉毛层，拉毛层由基础树脂制成，基础树脂包括至少三种树脂，一般是醚类树脂，酯类树脂和聚碳酸酯树酯。抛光基板具有非常平的表面和最小的缺陷数。

用常规水溶性聚合物包衣因涂层的防水性不够不能令人满意地遮蔽不愉快的味道。在使用水溶性基材时，服用时有粘性或粘滑的感觉。另一方面，用常规水不溶性基材包衣时使药物的溶出性变差。此外，水不溶性基材不易于在水性包衣中使用。本发明就是为了解决上述...

本发明涉及一种光图案曝光方法，光掩模及光掩模坯料。光图案曝光方法是通过光掩模向抗蚀膜照射ArF准分子激光。光掩模包括透明衬底和包含过渡金属、硅、氮和氧的材料的光学膜的图案，过渡金属、硅、氮和氧的含量在特定范围内。光掩模可被ArF准分子激...

提供一种液体有机硅橡胶涂料组合物。该组合物包括(A)有机基聚硅氧烷，其每分子具有至少2个连接到硅原子上的烯基；(B)有机基氢聚硅氧烷，其每分子具有至少2个连接到硅原子上的氢原子；(C)加成反应催化剂；(D)细粉二氧化硅；(E)由下列通式...

本发明涉及白色热固性硅氧烷树脂组合物以及光半导体装置，该组合物包括：（A）成分，其为（A1）具有硅亚苯基骨架和树脂状有机聚硅氧烷结构，且含有羟基，聚苯乙烯换算的重均分子量为500～20,000的有机硅化合物，或（A2）下述（a）和（b）...

有机硅氧烷，是在[1]式所示的烷氧基硅烷或其部分水解缩合物的分子内存在的O-Si键的至少1个中，在O和Si的原子间插入了A式的硅氧烷单元和任选的B式的硅氧烷单元而成的。R1nSi(OR2)4-n??[1]（R1表示可被卤素原子取代的碳原...

本发明涉及图案形成膜的刻蚀条件的测评。具体地，连同光掩模坯料，其包括透明衬底、图案形成膜以及刻蚀掩模膜，通过如下方式测评所述图案形成膜的一组刻蚀条件：测量第一刻蚀完成时间(C1)，其是在施加于图案形成膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花...

本发明涉及刻蚀掩模膜的测评。具体地，连同光掩模坯料，其包括透明衬底、图案形成膜以及刻蚀掩模膜，通过如下方式测评所述刻蚀掩模膜：测量第一刻蚀完成时间(C1)，其是在施加于图案形成膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，测量第二刻蚀完...

本发明提供一种制备有机硅微粒的方法。所述颗粒包含球形有机硅弹性体微粒和连接在有机硅弹性体球形微粒的表面的聚有机基硅倍半氧烷颗粒。聚有机基硅倍半氧烷颗粒具有200至2，000nm的粒度，其小于球形有机硅弹性体微粒。该方法包括添加有机基三烷...