依据本发明的实施例涉及一种谐振型开关变换器，包括能够产生至少具有两个数值的不大于输入电压的第一电压信号的多电平产生电路和谐振回路。谐振回路复用部分或者全部多电平产生电路中的功率晶体管，降低了谐振支路的输入电压，并使之可控，降低了功率晶体...

本发明提供一种超前角检测方法、检测电路、永磁电机控制方法及电路，包括：获取电机角频率、相反电势、相电流、相电感的感量及相电阻的阻值；基于所述电机角频率、所述相反电势、所述相电流、所述相电感的感量及所述相电阻的阻值计算超前角的角度；并基于...

公开了一种斜面结构的形成方法，其特征在于，包括：S1：在基底上形成绝缘层；S2：在绝缘层上形成光刻胶层；S3：选择性的曝光所述光刻胶层，形成图案化的光刻胶层，裸露待刻蚀的部分绝缘层的上表面；S4：以所述图案化的光刻胶为掩膜，刻蚀裸露的绝...

本发明公开了多相电压转换器包括控制芯片和功率变换模块，所述控制芯片根据所述多相电压转换器的输出，产生用于控制N个一级变换模块的N个脉冲分配信号，所述功率变换模块包括N个相互并联的一级变换模块，各个一级变换模块包括至少一个相互并联的二级变...

本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种磁性组件，包括：位于印刷电路板内部的与印刷电路板平行的至少一层内部线圈；位于印刷电路板上表面的顶层线圈；从印刷电路板内部延伸至上表面的至少两个孔；磁芯组件至少部分穿过孔；内部线圈环绕孔，并包括第一终...

本申请公开了一种过压保护方法,过压保护电路以及应用其的开关变换器。本发明实施例的技术方案通过检测开关变换器中功率晶体管的关断时间以判断输入电压是否发生过压，在输入电压发生过压时功率晶体管被控制为持续性关断。此后过压保护电路在每个检测周期...

本发明实施例公开了一种频谱分析方法、装置及信号处理装置，本发明实施例在现有的周期图频谱分析方法的基础上，引入卷积神经网络来对频域的离散实部信号和离散虚部信号进行处理，在所述卷积神经网络中，以时域中使用的窗函数的频域关联特征来进行卷积操作...

本发明提供一种多电平自均衡控制电路、直流转换系统及交直流转换系统，包括：分压单元，对输入电压进行分压；压控电荷源负载，基于分压单元的输出电压自适应调整电荷输入量，使分压单元的每个开关状态时间内流经压控电荷源负载的电荷总量与分压单元的输出...

本发明公开了一种ESD保护器件及其制造方法，所述ESD保护器件包括第一掺杂类型的基底；位于所述基底中的至少两个相同的单元，以及从所述基底的上表面延伸至其内的第三掺杂区，每相邻的两个所述单元之间至少包括一个所述第三掺杂区，其中，每个所述单...

本发明公开了一种多相功率变换器及其控制电路，通过根据各相的调节信号或者系统频率的变化生成一校正信号，并在均流母线电压上叠加该校正信号的方式，引入闭环反馈机制，以对均流误差放大器的失调电压进行动态补偿，来解决其带来的积分漂移的问题。决其带...

本发明实施例公开了一种电流信号采样方法、采样电路和开关电源，在本发明实施例中，采样电路的控制单元通过在对应开关管的关断延迟时间内对充电电容进行充电，以获取补偿信号，从而根据补偿信号对第一采样信号进行补偿。由此，本实施例通过集成电路内部的...

公开了一种三维电路模组及其制造方法，其通过一体化固化成型获得三维电路模组的第一电路组件，将第一电路组件的在不同面延伸的第一主板和第一侧板一体化固化成型，保障了电路组件的弯折区域的结构强度，进而保障了三维电路的连接可靠性，且不同面的电路连...

本申请公开了一种漏电保护电路以及应用其的照明系统。本发明实施例的技术方案通过漏电保护电路从直流总线经由整流电路形成单独的闭环回路，减小了能量损耗，降低了成本，另外漏电保护电路在预设时间的第一工作区间和第二工作区间分别提供从直流总线流到参...

本申请公开了模拟信号处理电路及直流失调电压消除方法。在模拟信号处理电路中，前级处理模块对模拟信号进行处理以产生第一差分信号，至少一个开关电容电路，对第一差分信号进行积分或采样保持以产生第二差分信号。前级处理模块和至少一个开关电容电路接收...

本发明公开了一种控制电路、控制方法和应用其的原边反馈反激式变换器，通过根据电流采样信号的反馈控制原边反馈反激式变换器在输入电压较大时工作在恒定导通时间控制模式，在输入电压在谷底附近时定时地在电流峰值模式以及第一工作模式之间切换，使得原边...

本发明提供一种磁性结构，其特征在于，所述磁性结构的正视图包括至少一个窗口，所述至少一个窗口的每个窗口包括至少一个角，其中，所述磁性结构至少包括两种磁性材料，设置所述磁性结构的材料使得形成所述至少一个角的磁性组件包括第一类磁性材料以改善所...

公开了一种半导体器件及其制造方法，其在漏电极设置第一导电柱和第二导电柱，第一导电柱连接至金属硅化物，通过金属硅化物连接漂移区，第二导电柱直接连接至漂移区。本发明提供的半导体器件及其制造方法设置两种导电柱引出漏电极，可在漂移区无漏掺杂区的...

本发明提供一种磁性元件，包括:上磁板和下磁板；至少两个磁芯柱，与所述上磁板和所述下磁板形成磁通回路；以及绕制在所述磁芯柱上的绕组，其中，所述上磁板与所述磁芯柱相互搭接的面相适配，所述上磁板至少一个和所述磁芯柱搭接的面与其至少一个相邻的面...

依据本发明的实施例揭露了一种磁性结构和磁性元件，所述磁性结构包括第一磁性组件和第二磁性组件；以及两个磁柱，至少一个绕有绕组，并与至少部分所述第一磁性组件和至少部分所述第二磁性组件形成磁通回路；其中，至少部分所述第一磁性组件的部分区域位于...

本发明公开了一种三维电路结构及其制造方法，三维电路结构包括：依次层叠设置的多层基板；一个磁芯柱，至少贯穿所述多层基板的至少两层；至少两个绕组，绕制在所述磁芯柱周围，分别位于所述多层板的不同层；位于顶层基板的上表面和/或底层基板的下表面之...