本申请公开了一种发光模块和应用其的照明系统。本发明实施例的技术方案通过串联耦接在每个LED串的电流路径中的电压调节电路调节其输出端的电压信号，并且通过电流分配电路设置通过每个LED串的电流比值，以精确地控制流过每个LED串的电流，由此可...

本申请实施例公开了沟槽结构、沟槽电容以及沟槽电容的制造方法。沟槽电容包括沟槽结构。沟槽结构包括半导体区域、沟槽、电介质和第一电极区。电介质覆盖沟槽的底壁和至少部分内侧壁。第一电极区填充于包括该电介质的沟槽中。内侧壁包括连续的至少两段子侧...

本申请实施例公开了一种双向半导体器件及其制造方法。双向半导体器件包括：衬底、沟道层、第一势垒层、栅极结构、第二势垒层、第一输入输出电极和第二输入输出电极。沟道层和第一势垒层依次形成在衬底上。栅极结构和第二势垒层形成在第一势垒层上。第二势...

本发明实施例公开了一种半导体器件及其形成方法。本发明实施例中的半导体器件包括半导体基底、沟道层、势垒层和栅极结构。其中，沟道层形成于半导体基底之上，势垒层形成于沟道层之上，势垒层至少具有两种厚度，栅极结构位于势垒层的第一区域的上方，第一...

本申请实施例公开了一种双向半导体器件及其制造方法。双向半导体器件包括：衬底、位于衬底上的沟道层、位于沟道层上的第一势垒层、位于第一势垒层上的第一栅极结构和第二栅极结构、位于第一势垒层上的第二势垒层、以及第一输入输出电极和第二输入输出电极...

本发明提供一种HEMT器件，通过N型掺杂半导体调节层和/或P型掺杂半导体调节层的设置，可通过掺杂极性、掺杂浓度及厚度的控制，准确调控2DEG浓度，提升电场调控能力，实现渐变电场分布，实现导通电阻（Ron）与击穿电压（BV）之间的平衡；可...

本发明提供一种HEMT器件的制造方法和HEMT器件，方法包括：形成底层结构，底层结构至少包括基底层和位于基底层上方的沟道层，在底层结构的上表面形成第一势垒层，形成图案化的第一介质层，第一介质层具有第一开口，第一开口下表面的开口宽度小于上...

本发明公开了一种恒流控制方法，恒流控制电路及开关变换器。恒流控制电路被配置为控制表征开关变换器的电感电流的电流采样信号在由一上限阈值和一下限阈值所确定的第一区间内变化，进而使得所述电感电流的变化量维持在与所述第一区间相对应的第二区间内；...

本发明的实施例揭露了一种应用于模数转换器的同步采样控制电路和方法，将需要同步采样的模拟信号配置为高优先级组对应的通道；监测同步采样触发信号是否有效；当同步采样触发信号有效时，中断模数转换器当前的常规采样事件去处理同步采样事件。本发明的同...

本发明提供一种裸片结构以及用于该裸片结构的取片方法，包括：在裸片结构的规划区域设置虚设区域和包绕虚设区域的器件区域，在虚设区域设置虚设焊盘，裸片结构的正面倒装在粘性膜上，其中取片装置从粘性膜下面向虚设焊盘施力以将裸片结构顶起，由此可以避...

本发明提供一种半导体器件，包括：基底；位于所述基底中的掺杂区；埋入式结构，从所述基底的上表面向下延伸，至少包括一接触金属，其中，所述接触金属与所述掺杂区接触，所述接触金属被配置为所述半导体器件的电极端。所述掺杂区被配置为所述半导体器件的...

本发明提供一种发光模块的封装结构，包括：发光器件；驱动电路芯片，以及基板，其中，基板上设置有第一导电结构和第二导电结构，驱动电路芯片的驱动信号焊盘通过第一导电结构与发光器件的第一端进行电连接，发光器件的第二端通过第二导电结构连接至基板的...

本发明实施例公开了一种双向切换器件。所述双向切换器件包括控制节点、第一负载节点、第二负载节点、主衬底、主晶体管和衬底电位调制电路，其中，主晶体管为双向导通晶体管，包括第一栅极端子、第一主电极端子、第二主电极端子和第一主衬底端子，第一栅极...

本发明公开了一种电源转换器，其为一种低变压器变比的磁集成倍流整流电路，通过调整同步整流管与相应桥臂的连接方式，既能提升系统有效占空比，同时也降低了电路的增益。由此电源转换器在相同输出电压的情况下可以降低变压器的匝比，从而能够减小变压器损...

本发明提供一种半导体器件，包括基底，位于所述基底中具有第一掺杂类型的第一阱区，位于所述基底中具有第二掺杂类型的第二阱区，第一阱区与第二阱区分离设置；位于所述第一阱区中具有第一掺杂类型的第一掺杂区，位于所述第二阱区中具有第一掺杂类型的第二...

本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，基于图案化的牺牲层至少在栅极结构与漏极结构之间形成一个与漏极结构接触的电子调节层，且电子调节层被配置为三五族化合物，该电子调节层可产生较高的供体状态界面密度以在电子调节层与势垒层的界面处形成更多的...

本发明提供一种平整三五族化合物材料层表面的方法及外延生长方法，通过交替性引入氢气及保护气体，并进行周期性使用，在每个周期中先引入氢气进行刻蚀，氢刻蚀后的材料表面具备富第一三五族化合物材料层中的三族元素金属的特性，后续引入的保护气体，将该...

本发明提供一种半导体器件及其制备方法，通过在势垒层中形成具有刻蚀选择比(一般刻蚀选择比比较高)的阻挡层，使其既具有势垒层的作用同时具有刻蚀停止层的作用，改变了现有的栅极材料层与势垒层之间由于栅极材料层很难刻蚀导致两者之间的刻蚀界面很难控...

本发明提供一种半导体器件及其制备方法，基于图案化的牺牲层在栅极结构与漏极结构之间形成至少一个电子调节层，且电子调节层被配置为三五族化合物，并靠近漏极结构及栅极结构的电子调节层与其均为非接触设置，电子调节层可产生较高的供体状态界面密度以在...

本发明提供一种增强型HEMT器件的复合栅结构及其器件，包括P型栅、辅助层及栅电极，其中，辅助层位于P型栅的表面上，且辅助层的禁带宽带大于等于P型栅的禁带宽带，栅电极包括栅电极平面部及栅电极插入部，且栅电极平面部位于辅助层的表面上，栅电极...