本发明提供一种电平移位器件结构，其特征在于，包括：位于一半导体区域内的电平移位MOS晶体管，包括源极区域，漏极区域和掺杂区域；隔离结构，从所述掺杂区域的两侧分别延伸，以共同呈环形闭合形状，将所述半导体区域划分为被所述隔离结构包围的高压侧...

本申请公开了一种驱动电路以及应用其的开关电源。本发明实施例的技术方案根据第一低压控制信号和第二低压控制信号实现组合逻辑控制，以防止干扰信号造成同一个半桥中上下两个功率管同时导通，从而有效实现半桥控制，提高安全性能。

依据本发明的实施例揭露了一种背光驱动系统和方法以及驱动模组，所述背光驱动系统包括主机和n个从机；所述主机通过同一个输出端口和每个从机耦接，或/和，所述主机通过同一个输出端口和所述n个从机依次串联耦接以形成通讯链路；其中，至少有一个从机包...

本发明公开了一种模数转换器的版图结构及其布局方法，所述模数转换器包括开关阵列，电容阵列和比较器，所述高位电容阵列和所述低位电容阵列分别为中心对称排布，增加了匹配精度；将开关阵列及用于控制其的逻辑模块和比较器设置在电容阵列相对的两侧，减少...

本技术公开了一种功率器件及其驱动电路的版图结构，功率器件包括多个相并联的子功率模块；驱动电路包括与子功率模块数量相同的子驱动模块；每个子驱动模块到每个子功率模块控制端的距离相等且均为直线。本技术采用子驱动模块和子功率模块一一对应方式，即...

本发明实施例公开了一种薄膜电阻器及其制造方法，所述方法包括：形成第n层金属层，包括相互间隔的第一部分和第二部分，位于第n‑1层层间介质层上；形成第n层层间介质层的下部分，覆盖所述第n‑1层层间介质层的上表面，所述第n层层间介质层的下部分...

本发明的实施例公开了一种电阻阵列结构，包括多个多晶硅层，多个第一金属层，多个第二金属层和多个第三金属层；电阻阵列结构中的每个电阻由多个多晶硅层进行电连接组成，组成同一电阻的相邻两个多晶硅层之间通过一个匹配单元进行电连接，同一匹配单元中的...

公开了一种重构开关变换器中电感电流的电路及方法。在第一开关管导通期间内采样电感电流，并根据表征电感电流的谷值的谷值采样信号和电感电流的纹波来获取表征第一开关管导通期间内电感电流的平均值的均值信号，其中在第一开关管导通期间，输出第一采样信...

本发明实施例公开了一种双向开关晶体管，包括：绝缘衬底；沟道层，覆盖所述绝缘衬底的上表面；势垒层，至少覆盖所述沟道层的部分上表面；至少一个栅极导体，位于所述势垒层上，以及两个相同类型的第一电极，位于所述势垒层的上，并位于所述栅极导体的两侧...

公开了一种重构开关变换器中电感电流的电路及方法。通过在当前开关周期的第一开关管导通期间采样电感电流得到第一采样信号并输出，同时在自第一开关管导通时开始的第一计时值的1/2处对电感电流进行采样得到均值信号，并在第二开关管导通时输出该均值信...

公开了一种宽范围功率变换器及其控制方法。通过在功率变换器副边的高压侧加入电压调节电路，使其输出端与不调压的整流电路串联连接，从而只有一部分功率经过了调压，提高了功率变换器的效率；此外，在电压调节电路中增加了幅值变换单元，以使得电压调节电...

本申请公开了一种漏电保护电路以及应用其的照明系统。本发明实施例的技术方案通过漏电保护电路从直流总线经由整流电路形成单独的闭环回路，减小了能量损耗，降低了成本，另外漏电保护电路在工作区间内提供从直流总线流到参考电压的可变下拉电流，能够平滑...

本申请提供一种半导体器件，包括衬底、漂移区、体区、源区、漏区、隔离结构、栅极结构以及场板结构。漂移区以及体区皆设置于衬底中，体区与漂移区相邻。源区及漏区分别设置于体区中以及漂移区中。隔离结构设置在漂移区上及至少覆盖漂移区和衬底的交界处，...

本申请提供一种三极管，包括衬底、第一阱区、第二阱区、发射区、基区以及集电区。第一阱区设置于衬底中并为第一掺杂类型。第二阱区设置于衬底中，并为与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型。发射区设置于第一阱区中。基区设置于第一阱区中，并位于发射区的一...

本发明公开了一种新的双向开关装置及其应用其的电池管理系统，该双向开关装置采用双向导通氮化镓开关管以及两个二极管代替传统电池管理系统中两个背靠背晶体管组成的开关组，该双向开关装置具有更低的复杂度和更小的体积，且该双向开关装置在电池管理系统...

本申请提供一种半导体器件，括绝缘衬底、沟道层、势垒层、第一栅极、第一源极、第一漏极、第二栅极、第二源极以及第二漏极。沟道层、势垒层、第一栅极、第一源极以及第一漏极形成第一晶体管，沟道层、势垒层、第二栅极、第二源极以及第二漏极形成第二晶体...

本发明实施例公开了一种高压电容器及其形成方法，其中，高压电容器包括：第一极部；位于所述第一极部上的呈堆叠设置的至少一层层间介质层；位于处于最顶层的层间介质层上的第一耐压介质层；位于所述第一耐压介质层上的所述高压电容的第二极部，所述第一极...

公开了一种仪表放大器和信号检测系统。通过输入端口接收传感器信号，第一级放大器对传感器信号进行放大处理以获取第一中间信号，第一高通滤波电路消除第一中间信号中包含的与第一级放大器的失调电压相关联的部分以获取第二中间信号，第一斩波器对第二中间...

本发明实施例公开了一种集成电路的交互文件生成方法以及装置，通过在获取目标模块的特征信息以及提取布局布线工具中的版图信息以生成版图信息数据后，提取所述版图信息数据中与所述特征信息匹配的目标信息数据，并对所述目标信息数据进行整合处理，生成交...

本申请提供一种传输门电路，包括传输门、第一辅助电路以及第二辅助电路。传输门包括一组P型第一晶体管和N型第二晶体管,P型第一晶体管的第一端和N型第二晶体管的第一端互连以作为输入端，P型第一晶体管的第二端和N型第二晶体管的第二端互连以作为输...