一种电阻阵列结构制造技术

技术编号:41154991 阅读:33 留言:0更新日期:2024-04-30 18:19
本发明专利技术的实施例公开了一种电阻阵列结构,包括多个多晶硅层,多个第一金属层,多个第二金属层和多个第三金属层;电阻阵列结构中的每个电阻由多个多晶硅层进行电连接组成,组成同一电阻的相邻两个多晶硅层之间通过一个匹配单元进行电连接,同一匹配单元中的不同匹配路径的电阻阻抗相等;本发明专利技术的每个多晶硅层上的第一金属层连接一特定的调制电位,达到稳定多晶硅电阻阻值的目的;电阻阵列结构还设置有第二悬空金属层和第三悬空金属层,可以保证各个多晶硅层上方的金属层保持一致,组成各个电阻的多晶硅层的温度梯度分布均匀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子,更具体的说,涉及一种电阻阵列结构


技术介绍

1、数模转换器(dac)作为数字域和模拟域的纽带,在电子产品中有非常广泛的应用,而高精度dac在高分辨率的数字模拟转换过程中起着极其重要的作用,其中电阻匹配性能的好坏,显得至关重要。如图1所示,为3bit的温度计码dac结构(如图一),其中电阻u0~u6要相互匹配相等。常见的电阻阵列如图2所示,电阻u0~u6按照顺序依次排列,没有做精细的匹配,占用的版图面积较大,且电阻错配会导致功率损耗严重,噪声增加,信噪比下降,影响电路的灵敏度,且会使得频率响应不平坦。因此高精度的电阻模块,做好匹配对获得稳定的性能指标和长寿命尤其重要,只有通过合理的匹配,才能更好地发挥电路元器件的理论性能。


技术实现思路

1、有鉴于此,本专利技术提出了一种电阻阵列结构的版图布局设计,以解决现有技术中电阻不能够精细匹配所带来的技术问题。

2、本专利技术实施例提供了一种一种电阻阵列结构,包括多个相互平行设置的多晶硅层,多个相互平行设置的第一金属层,多个相互平行设置本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电阻阵列结构,其特征在于:

2.根据权利要求1所述的电阻阵列结构,其特征在于:

3.根据权利要求2所述的电阻阵列结构,其特征在于:

4.根据权利要求3所述的电阻阵列结构,其特征在于:

5.根据权利要求1所述的电阻阵列结构,其特征在于:

6.根据权利要求5所述的电阻阵列结构,其特征在于:

7.根据权利要求6所述的电阻阵列结构,其特征在于:

8.根据权利要求5所述的电阻阵列结构,其特征在于:

9.根据权利要求5所述的电阻阵列结构,其特征在于:

10.根据权利要求1所述的电阻阵列...

【技术特征摘要】

1.一种电阻阵列结构,其特征在于:

2.根据权利要求1所述的电阻阵列结构,其特征在于:

3.根据权利要求2所述的电阻阵列结构,其特征在于:

4.根据权利要求3所述的电阻阵列结构,其特征在于:

5.根据权利要求1所述的电阻阵列结构,其特征在于:

6.根据权利要求5所述的电阻阵列结构,其特征在于:

7.根据权利要求6所述的电阻阵列结构,其特征在于:

8.根据权利要求5所述的电阻阵列结构,其特征在于:

9.根据权利要求5所述的电阻阵列结构,其特征在于:

10.根据权利要求1所述的电阻阵列结构,其特征在于:

11.根据权利要求10所述的电阻阵列结构,其特征在于:

12.根据权利要求10所述的电阻阵列结构,其特征在于:

13.根据权利要求7所述的电阻阵列结构,其特征在于:

14.根据权利要求9所述的电阻阵列结构,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:魏亚丽姚锋鹏
申请(专利权)人:矽力杰半导体技术杭州有限公司
类型:发明
国别省市:

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