本发明的实施例揭露了一种曲栅式晶体管结构，晶体管结构的栅极区的为弯曲形状。晶体管结构还包括体接触区，体接触区和所述源区位于所述栅极区的同一侧，晶体管栅极区为弯曲形的设计可增加器件宽度，提高功率密度；源区附近增加体接触区，该结构的接触区容...

本发明公开了一种电源转换器，其包括

本申请公开了一种电源转换器，通过在整流电路和谐振电路之间设置无源的升压电路，可以使得电源转换器实现良好的功率因数

公开了一种多相功率变换器的控制电路及控制方法

本发明实施例公开了一种高压电容器及其形成方法，其中，高压电容器包括：第一极部；位于所述第一极部上的呈堆叠设置的至少一层层间介质层；位于处于最顶层的层间介质层上的第一耐压介质层；位于所述第一耐压介质层上的所述高压电容的第二极部，所述第一极...

本发明实施例公开了一种高压电容器及其形成方法，其中，所述电容器包括：第一极部；位于所述第一极部上的呈堆叠设置的至少一层层间介质层；位于处于顶层所述层间介质层与所述第一极部沿垂直方向相对的位置处的一凹槽，所述凹槽从所述顶层层间介质层的上表...

本申请提供一种半导体器件，包括第一晶体管

本申请提供一种隔离沟槽的形成方法，包括：形成沟槽于衬底中，其中衬底包括彼此相对的第一表面及第二表面，沟槽从第一表面延伸至衬底内部；形成绝缘层于沟槽的两侧壁及底部，其中位于沟槽的两侧壁及底部的绝缘层界定内部空间；以及填充辅助层于沟槽中，其...

本申请提供一种半导体器件，包括第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管包括第一栅极、第二栅极、第一漏极以及第一源极。第二晶体管包括第二漏极、第三栅极以及第二源极。第二漏极电连接第一源极，并作为半导体器件的源极。第三栅极电连接第二栅极，并作为...

公开了一种减小空洞的边墙形貌的制造方法，所述边墙形成于一位于衬底上的第一结构的两侧边，所述第一结构的两侧包括位于所述衬底上的绝缘层，其特征在于，所述方法包括：采用干法刻蚀工艺刻蚀部分所述绝缘层；以及采用湿法刻蚀工艺刻蚀剩余的所述绝缘层，...

一种三相永磁电机反电动势感测方法以及三相永磁电机系统。本发明实施例中反电动势观测方法通过设置滑窗起点以及滑窗角度对相应相的输出电压进行滑窗检测，在每个周期的滑窗角度内控制对应相桥臂的开关管关断，并且对对应相的输出电压进行检测以判断对应相...

本申请提供一种半导体器件，包括衬底、阱区、体区、源区、漏区、隔离结构以及栅极。阱区设置于衬底中，并为第一掺杂类型。体区设置于衬底中且与阱区相邻，并为第二掺杂类型。源区设置于体区中，并为第一掺杂类型。漏区设置于阱区中，并为第一掺杂类型。隔...

本发明公开了一种半导体结构，包括：半导体器件和功率器件，所述半导体器件包括两个栅极、一个源极和一个漏极；所述功率器件包括一个栅极、一个源极和一个漏极；所述半导体器件的第一栅极与所述半导体器件的源极连接，作为所述半导体结构的栅极；所述半导...

本发明提供了一种横向扩散金属氧化物半导体器件和其制造方法，在所述横向扩散金属氧化物半导体器件中，将位于第一介质层和耐压层上方的导体层分为至少部分位于所述第一介质层的第一导体，以及至少部分位于所述耐压层上的第二导体，且使得所述第一导体和第...

本发明公开了一种通讯设备以及地址分配方法，通过检测串联连接在从机通讯输入端以及通讯输出端之间的开关箝位电路的一端，分别在开关电路导通以及断开状态时的第一电压以及第二电压；并比较第二电压以及第一电压与并联在开关电路两端的箝位电路在开关电路...

本发明公开了一种LED驱动电路，通过将辅助供电电路并联连接在输出电解电容上，与LED负载共用一个大电容，以节省一个用于给辅助供电电路进行滤波的滤波电路，并将LED负载与线性驱动电路串联连接后再与电解电容并联连接，进一步地，本发明的LED...

依据本发明的实施例揭露了一种LED驱动电路，所述LED驱动电路包括线性驱动电路，与所述LED负载串联耦接，用于控制流过LED负载的电流；第一电容，与所述线性驱动电路和所述LED负载组成的串联结构并联耦接；控制电路，减小所述第一电容的电压...

本发明实施例公开了一种电容器，该电容器包括依次设置的底层导电结构、至少一个中间导电结构和顶层导电结构。其中，中间导电结构包括形成插指图案的第一导电图案和第二导电图案，顶层导电结构包括形成插指图案的第三导电图案和第四导电图案。第一导电图案...

本发明提供一种电源模块，包括电子元件和磁性元件，所述电子元件所在的基板与所述磁性元件的绕组所在的基板为同一基板，电源模块通过封装后的位于所述塑封体外部的引脚与外部电路进行电连接。本发明的实现效率高，工艺简单，实现成本低，也有助于减小电源...

公开了一种高电子迁移率晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：衬底；沟道层，位于所述衬底上方；势垒层，位于所述沟道层上；漏极电极和源极电极，至少与所述势垒层接触；栅极导体，位于所述势垒层上方，以及限流结构，被配置为至少与所述源极电极靠近所述...