【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，更具体的说，涉及一种曲栅式晶体管结构。
技术介绍
1、mos晶体管的沟道长度和沟道宽度为晶体管的重要的参数，沟道的宽长比越大，mos管的饱和电流就越大，性能就越好，因此，在一些实际的电路设计中，需要用到沟道宽度较大的晶体管。如图1a所示，为常规的晶体管的结构，如果按照正常的设计，想要增加mos晶体管沟道的宽度w只能如图1b中所示单一地拉大有源区与多晶硅的重合面积w，，但这样同时会使得mos晶体管的面积变很大，不利于整个半导体器件的设计，也不利于晶体管的功率密度的提高。因此如何提出一种能够提高功率密度的同时又兼顾器件性能的晶体管结构，已成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提出了一种曲栅式晶体管，以解决现有技术中能够在提高器件功率密度的同时又兼顾器件性能的技术问题。
2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种曲栅式晶体管结构，包括栅极区、源区和漏区，所述源区和所述漏区位于所述栅极区的两侧，所述晶体管结构包括m*n个半...
【技术保护点】
1.一种曲栅式晶体管结构，包括栅极区、源区和漏区，所述源区和所述漏区位于所述栅极区的两侧，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于：
4.根据权利要求2所述的晶体管结构，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的晶体管结构，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于：
7.根据权利要求2所述的晶体管结构，其特征在于：
8.根据权利要求7所述的晶体管结构，其特征在于：
9.根据权利要求7所述的...
【技术特征摘要】
1.一种曲栅式晶体管结构，包括栅极区、源区和漏区，所述源区和所述漏区位于所述栅极区的两侧，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于：
4.根据权利要求2所述的晶体管结构，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的晶体管结构，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于：
7.根据权利要求2所述的晶体管结构，其特征在于：
8.根据权利要求7所述的晶体管结构，其特征在于：
9.根据权利要求7所述的晶体管结构，其特征在于：
10.根据权利要求2所述的晶体管结构，其特征在于：
11.根据权利要求10所述的晶体管结构，其特征在于：
12.根据权利要求10所述的晶体管结构，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙再伟，袁华锋，姚刚，陈一丹，楼晓燕，
申请(专利权)人：矽力杰半导体技术杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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