一种电源模块的封装结构及封装方法技术

技术编号:38631877 阅读:23 留言:0更新日期:2023-08-31 18:30
本发明专利技术提供一种电源模块,包括电子元件和磁性元件,所述电子元件所在的基板与所述磁性元件的绕组所在的基板为同一基板,电源模块通过封装后的位于所述塑封体外部的引脚与外部电路进行电连接。本发明专利技术的实现效率高,工艺简单,实现成本低,也有助于减小电源模块的高度,减小塑封体积。减小塑封体积。减小塑封体积。

【技术实现步骤摘要】
一种电源模块的封装结构及封装方法


[0001]本专利技术涉及电力电子领域,更具体的说,涉及一种电源模块的封装结构及封装方法。

技术介绍

[0002]电源模块普遍应用于辅助电源中,模块的集成化、小型化趋势越来越明显。现有方案的电源模块中,一般将变压器绕组所在基板与电源模块的其他元件所在的基板分开设计,这样需要先将变压器进行组装集成,再与其他器件进行封装,会增加封装的复杂性,且由于绕组所在基板与电源模块的其他元件所在的基板不是同一个,电源模块的体积会很大,从而成本很高,妨碍了电源模块的普及;因此,如何提出一种能够减少器件封装的复杂性,降低成本,减少体积的电源模块,已经成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。

技术实现思路

[0003]有鉴于此,本专利技术提出了一种体积较小、封装简单和成本较低的电源模块,以解决现有技术中电源管理系统体积较大、封装复杂以及成本较高的技术问题。
[0004]本专利技术实施例提供了一种电源模块的封装结构,包括电子元件和磁性元件,所述磁性元件包括绕组、第一磁芯盖板和第二磁芯盖板,所述电子元件位于一基板的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电源模块的封装结构,包括电子元件和磁性元件,所述磁性元件包括绕组、第一磁芯盖板和第二磁芯盖板,其特征在于:所述电子元件位于一基板的表面;所述绕组位于所述基板的内部;所述封装结构还包括塑封体,用于包封所述电子元件、所述基板、以及所述第一磁芯盖板和所述第二磁芯盖板的至少之一;所述电源模块通过位于所述塑封体外部的引脚与外部电路进行电连接。2.根据权利要求1所述的电源模块的封装结构,其特征在于:在所述塑封体的内部,所述绕组与所述电子元件相应的电极进行电连接。3.根据权利要求1所述的电源模块的封装结构,其特征在于:所述第一磁芯盖板和所述第二磁芯盖板分别位于所述绕组相对的两侧。4.根据权利要求1所述的电源模块的封装结构,其特征在于:所述电子元件位于所述基板第一区域的表面,所述绕组位于所述基板第二区域的内部,其中,所述第一区域和所述第二区域属于不交叠的区域。5.根据权利要求1所述的电源模块的封装结构,其特征在于:所述第一磁芯盖板位于所述绕组的正上方,所述第二磁芯盖板位于所述绕组的正下方。6.根据权利要求1所述的电源模块的封装结构,其特征在于:所有的电子元件分布在所述基板的同一侧。7.根据权利要求6所述的电源模块的封装结构,其特征在于:所述塑封体包封所述电子元件,所述基板以及所述第一磁芯盖板,其中,所述电子元件与所述第一磁芯盖板位于所述基板的同一侧,所述第二磁芯盖板与所述引脚位于所述基板的同一侧。8.根据权利要求6所述的电源模块的封装结构,其特征在于:所述塑封体包封所述电子元件,所述基板以及所述第一磁芯盖板,其中,所述电子元件与所述第一磁芯盖板位于所述基板的同一侧,所述第二磁芯盖板与所述引脚位于所述基板相对的两侧。9.根据权利要求6所述的电源模块的封装结构,其特征在于:所述塑封体包括第一包封体和第二包封体,所述第一包封体包封所述电子元件,所述基板以及所述第一磁芯盖板,其中,所述电子元件与所述第一磁芯盖板位于所述基板的同一侧,所述第二包封体包封所述第二磁芯盖板。10.根据权利要求1所述的电源模块的封装结构,其特征在于:通过增加所述引脚的高度,使得所述塑封体的底部距离所述引脚底部的距离大于第一高度,其中,所述第一高度为与所述引脚位于所述基板同一侧的所述磁芯盖板位于所述基板外部的高度。11.根据权利要求1所述的电源模块的封装结构,其特征在于:所述引脚通过导电凸块引出到所述塑封体的外部,其中,所述导电凸块的高度大于第一高度,其中,所述第一高度为与所述引脚位于所述基板同一侧的所述磁芯盖板位于所述基板外部的高度。
12.根据权利要求1所述的电源模块的封装结构,其特征在于:所有的电子元件分布在所述基板的不同侧。13.根据权利要求12所述的电源模块的封装结构,其特征在于:所述塑封体包括第一包封体和第二包封体,所述第一包封体包封所述基板,所述第一磁芯盖板以及与所述第一磁芯盖板位于所述基板的同一侧的所述电子元件,所述第二包封体包封所述第二磁芯盖板以及与所述第二磁芯盖板位于所述基板的同一侧的所述电子元件。14.根据权利要求1所述的电源模块的封装结构,其特征在于:...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄秋凯邓建忽培青代克陈世杰
申请(专利权)人:矽力杰半导体技术杭州有限公司
类型:发明
国别省市:

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