半导体结构制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构，包括：半导体器件和功率器件，所述半导体器件包括两个栅极、一个源极和一个漏极；所述功率器件包括一个栅极、一个源极和一个漏极；所述半导体器件的第一栅极与所述半导体器件的源极连接，作为所述半导体结构的栅极；所述半导体器件的第二栅极与所述功率器件的源极连接，作为所述半导体结构的源极；所述半导体器件的漏极与所述功率器件的栅极连接；所述功率器件的漏极作为所述半导体结构的漏极。在半导体结构的栅极施加电压，该电压需要先开通半导体器件的第一栅极G1下方的沟道的阈值电压，然后该电压才能用于开通功率器件栅极下方沟道阈值电压，因此，半导体结构的实际栅极阈值电压就被提高了。导体结构的实际栅极阈值电压就被提高了。导体结构的实际栅极阈值电压就被提高了。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，更具体地，涉及一种半导体结构。

技术介绍

[0002]目前市场上的主流氮化镓(GaN)功率器件之一为增强型的p
‑
GaN栅的高电子迁移率晶体管(HEMT)，该器件技术被多家功率半导体公司所采用。然而该器件也存在一些技术缺陷，比如说该器件具有较低的阈值电压和较小的栅击穿电压。

技术实现思路

[0003]综上所述，本专利技术提供一种半导体结构，以解决现有技术存在的功率器件的阈值电压低以及栅极击穿电压低的问题。
[0004]本专利技术提供一种半导体结构，包括：半导体器件和功率器件，所述半导体器件包括两个栅极、一个源极和一个漏极；所述功率器件包括一个栅极、一个源极和一个漏极；所述半导体器件的第一栅极与所述半导体器件的源极电性耦接，作为所述半导体结构的栅极；所述半导体器件的第二栅极与所述功率器件的源极电性耦接，作为所述半导体结构的源极；所述半导体器件的漏极与所述功率器件的栅极电性耦接；所述功率器件的漏极作为所述半导体结构的漏极。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体器件和功率器件，所述半导体器件包括两个栅极、一个源极和一个漏极；所述功率器件包括一个栅极、一个源极和一个漏极；所述半导体器件的第一栅极与所述半导体器件的源极电性耦接，作为所述半导体结构的栅极；所述半导体器件的第二栅极与所述功率器件的源极电性耦接，作为所述半导体结构的源极；所述半导体器件的漏极与所述功率器件的栅极电性耦接；所述功率器件的漏极作为所述半导体结构的漏极。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体器件和所述功率器件为高电子迁移率晶体管。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括具有第一区域和第二区域的衬底；所述半导体器件设置于第一区域上，所述功率器件设置于第二区域上；所述半导体器件和功率器件之间通过绝缘材料隔离。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体器件包括：沟道层，所述沟道层设置于所述第一区域上，势垒层，所述势垒层设置于所述沟道层上；第一栅极，所述第一栅极设置于所述势垒层上；第二栅极，所述第二栅极设置于所述势垒层上；第一源极，所述第一源极设置于所述势垒层上的一侧；第一漏极，所述第一漏极设置于所述势垒层上的另一侧。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体器件还包括：缓冲层，所述缓冲层设置于所述衬底与所述沟道层之间。6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体器件还包括导电层，所述导电层设置于所述第一栅极的下方并位于所述势垒层的上方。7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述第二栅极与所述势垒层之间的介质层。8.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体器件还包括：在所述第一栅极处包括一从所述势垒层至少延伸至所述沟道层的沟槽，以及位...

【专利技术属性】
技术研发人员：张力，吴文杰，赵晨，黄秋凯，
申请(专利权)人：矽力杰半导体技术杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：