斜面结构及其制造方法，LDMOS结构及其制造方法技术

公开了一种斜面结构的形成方法，其特征在于，包括：S1：在基底上形成绝缘层；S2：在绝缘层上形成光刻胶层；S3：选择性的曝光所述光刻胶层，形成图案化的光刻胶层，裸露待刻蚀的部分绝缘层的上表面；S4：以所述图案化的光刻胶为掩膜，刻蚀裸露的绝缘层，直至裸露所述基底的上表面；S5：去除所述图案化的光刻胶第一侧的部分，以裸露部分绝缘层的上表面；S6：以步骤S5中的光刻胶为掩膜，刻蚀裸露的绝缘层，并终止于所述绝缘层内部，以形成长度依次递减的阶梯状的绝缘层；S7：湿法刻蚀所述阶梯状的绝缘层，以形成光滑的斜面。本发明专利技术形成的斜面结构用作器件中的高压氧化层，斜面可以减小漏极电极聚集，使得电场分布更加均匀，提高器件的击穿电压。压。压。

【技术实现步骤摘要】
斜面结构及其制造方法，LDMOS结构及其制造方法


[0001]本专利技术一般地涉及半导体
更具体地，本专利技术的实施例涉及一种斜面结构以及一种斜面结构的制造方法，一种LDMOS结构及其一种LDMOS结构的制造方法。

技术介绍

[0002]在0.18um功率器件LDMOS高压氧化层工艺中，目前的工艺做法是：先在硅基板上淀积高温氧化层
→
曝光光刻，定义出刻蚀高压氧化层的区域
→
普通干法刻蚀
→
去胶，形成高压氧化层区域。此方法形成的高压氧化层的侧面垂直于硅基板，垂直面的尖端很容易聚集电荷，从而导致击穿电压降低。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种斜面结构的制造方法及其斜面结构，所述斜面结构应用于LDMOS器件中，用于缓解漏区的电荷聚集，从而提高器件的击穿电压。
[0004]根据本专利技术的第一方面，提供一种斜面结构的形成方法，包括：S1：在基底上形成绝缘层；S2：在绝缘层上形成光刻胶层；S3：选择性的曝光所述光刻胶层，形成图案化的光刻胶层，裸露待刻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种斜面结构的形成方法，其特征在于，包括：S1：在基底上形成绝缘层；S2：在绝缘层上形成光刻胶层；S3：选择性的曝光所述光刻胶层，形成图案化的光刻胶，裸露待刻蚀的部分绝缘层的上表面；S4：以所述图案化的光刻胶为掩膜，刻蚀裸露的绝缘层，直至裸露所述基底的上表面；S5：去除所述图案化的光刻胶第一侧的部分，以继续裸露部分绝缘层的上表面；S6：以步骤S5中形成的光刻胶为掩膜，刻蚀裸露的绝缘层，并终止于所述绝缘层内部，以形成长度依次递减的阶梯状的绝缘层；S7：湿法刻蚀所述阶梯状的绝缘层，以形成光滑的斜面。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤S7前，还包括重复至少一次步骤S5和S6，以形成多个阶梯。3.根据权利要求2所述的方法，其中，步骤S4和S6中的刻蚀采用干法刻蚀工艺。4.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤S7中的刻蚀采用湿法刻蚀工艺。5.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，从第二次干法刻蚀开始，之后每次刻蚀的绝缘层的厚度小于前一步骤中形成的阶梯状结构的最小阶梯的厚度。6.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，通过改变干法刻蚀的次数以改变形成的所述斜面的角度。7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，通过改变每次去除的所述光刻胶的厚度以改变形成的所述斜面的角度。8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成的所述斜面的角度大于等于45度，小于等...

【专利技术属性】
技术研发人员：王欢，
申请(专利权)人：矽力杰半导体技术杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：