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公开了一种斜面结构的形成方法，其特征在于，包括：S1：在基底上形成绝缘层；S2：在绝缘层上形成光刻胶层；S3：选择性的曝光所述光刻胶层，形成图案化的光刻胶层，裸露待刻蚀的部分绝缘层的上表面；S4：以所述图案化的光刻胶为掩膜，刻蚀裸露的绝缘层...
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