晶圆结构和晶圆结构的测试方法技术

本发明专利技术公开了晶圆结构，包括：半导体结构，所述半导体结构包括底层器件和位于所述底层器件上的至少一层金属层；位于所述至少一层金属层的顶层金属层上的钝化层；其中，所述顶层金属层中的部分区域设置为测试区域。本发明专利技术还公开了晶圆结构的测试方法，形成半导体结构，所述半导体结构包括底层器件和位于所述底层器件上的至少一层金属层；形成位于所述至少一层金属层的顶层金属层上的钝化层；以顶层金属层的部分区域作为测试区域；在晶圆测试过程中，利用探针穿过所述钝化层，以使得所述探针与所述测试区域接触，通过测试设备对所述晶圆进行测试。在本申请中测试区域是直接设置在顶层金属层上，这样设置不仅工艺简单，还能比较大的节省面积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，更具体地，涉及一种晶圆结构和晶圆结构的测试方法。

技术介绍

1、cp(chip probing)测试在整个芯片制作流程中处于晶圆制造和封装之间，测试对象是针对整片晶圆(wafer)中的每一个裸片，目的是确保整片晶圆中的每一个裸片都能基本满足器件的特征或者设计规格书，通常包括电压、电流、时序和功能的验证。

2、cp测试的具体操作是在晶圆制作完成之后，成千上万的裸片(未封装的芯片)规则的分布满整个晶圆。由于尚未进行划片封装，只需要将这些裸露在外的芯片管脚，通过探针与测试机台连接，进行芯片测试就是cp测试。

3、cp测试是芯片的功能测试与性能测试中常用手段，现有技术中，通常用探针直接扎在晶圆的测试焊盘上进行测试。这种方法需要芯片在版图设计时，在钝化层上开设用于测试的窗口，通常称为测试窗口，在钝化层上开测试窗口有以下缺点：1.面积比较大，浪费面积，2.测试窗口的下面不能随意放器件，影响版图布局，3.开了测试窗口后，杂质容易通过窗口进入芯片内部，容易污染芯片。以及，经过cp测试(探针扎过)后的芯片，可能还存在一些缺陷本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的晶圆结构，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的晶圆结构，其特征在于，

5.根据权利要求3或4所述的晶圆结构，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述测试区域的横截面或纵截面的形状设置为“凹”字型。

8.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述测试区域的横截面或纵截面的形状设置为“凸”字型。

<p>9.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的晶圆结构，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的晶圆结构，其特征在于，

5.根据权利要求3或4所述的晶圆结构，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述测试区域的横截面或纵截面的形状设置为“凹”字型。

8.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述测试区域的横截面或纵截面的形状设置为“凸”字型。

9.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述测试区域的横截面或纵截面的形状设置为“l”字型。

10.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述测试区域的横截面形状设置为月牙型。

11.一种晶圆结构的测试方法，其特征在于，包括：

12.根据权利要求11所述的晶圆结构的测试方法，其特征在于，所述探针穿过所述钝化层，直接接触所述测试区域的上表面，以进行测试。

13.根据权利要求11所述的晶圆结构的测试方法，其特征在于，

14.根据权利要求11所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙再伟，袁华锋，姚刚，陈一丹，楼晓燕，
申请(专利权)人：矽力杰半导体技术杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：