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本发明公开了晶圆结构，包括：半导体结构，所述半导体结构包括底层器件和位于所述底层器件上的至少一层金属层；位于所述至少一层金属层的顶层金属层上的钝化层；其中，所述顶层金属层中的部分区域设置为测试区域。本发明还公开了晶圆结构的测试方法，形成半导...
该专利属于矽力杰半导体技术（杭州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过矽力杰半导体技术（杭州）有限公司授权不得商用。

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