本技术公开了一种真空腔室升降机构，包括真空腔室、密封固定板、升降密封机构、安装板和驱动机构，该升降密封机构包括轴套，与密封固定板密封装配的轴套密封头，上端与驱动机构连接的、下端依次穿过轴套和安装板的丝杆，与丝杆连接固定的密封连接板，安装...

本发明涉及一种溶液法生长碳化硅单晶的热场及生长方法，所述设备包括保温硬毡、石英筒保温层、籽晶吊杆、保温软毡、坩埚、线圈移动装置、感应线圈、石墨籽晶托、牵动台、不锈钢托盘、坩埚旋转装置、石墨环、籽晶升降旋转装置。本发明的生长方法将硅和助溶...

本发明涉及一种高质量SiC栅氧层的制备方法，包括以下步骤：(1)利用SiH<subgt;4</subgt;气体高温热分解反应在清洁的SiC衬底结构表层区域沉积一层致密的Si薄膜层；(2)在氧化气体环境下，对步骤(1)沉积的S...

本实用新型公开了一种碳化硅肖特基二极管结构，包括碳化硅衬底、第一漂移层、第二漂移层、P型埋层、欧姆接触层和肖特基接触层，第一漂移层设于碳化硅衬底的第一表面，第二漂移层设于第一漂移层上，并具有沟槽结构；P型埋层周期排列埋设于第一漂移层内，...

本申请涉及一种垂直式结构碳化硅高温退火炉装置，包括沿垂直上下设置的上腔室及下腔室，所述上腔室内设置一炉体，所述上腔室在炉体的两端分别设有第一腔室门及第二腔室门；在所述炉体外侧环设一加热器，并在所述炉体内在相对所述加热器处设置一两端开口的...

本发明公开了一种SiCSBD结构及其制作方法，其包括欧姆接触电极、n+SiC衬底、n

本实用新型公开一种碳化硅晶片批量化高温退火装置，包括炉体外壳、加热器、发热件、保温层和晶片支架，炉体外壳上设有第一腔室门和第二腔室门，并与炉体外壳构成腔室，加热器环绕于炉体外壳的外侧，发热件、保温层和晶片支架从第一腔室门和/或第二腔室门...

本发明公开了一种集成超结结构的碳化硅基沟槽型MOSFET及其制作方法，该结构包括n++型碳化硅衬底、n型漂移层、p型沟道层、p型屏蔽层、p++型源区层和n++型源区层，n型漂移层设于n++型碳化硅衬底的第一表面上，通过在p型沟道层以及p...

本发明公开了一种具有低导通压降的SiC基肖特基器件及其制备方法，由下至上包括欧姆接触电极、n++型SiC衬底基片、n+型缓冲层、漂移层和肖特基接触电极；漂移层自下而上包括nx第一漂移层和n

本发明公开了一种低导通电阻的SiC基MOSFET器件及其制备方法，其漂移层包括nx第一漂移层和设于nx第一漂移层上的n

本发明公开了一种碳化硅外延结构、脉冲式生长方法及其应用，采用化学气相沉积法在碳化硅单晶衬底上制造包含碳化硅外延层的碳化硅单晶晶片，当生长反应室内达到碳化硅外延层的生长条件时，在反应室内通入碳源和硅源，通过脉冲的方式每间隔脉冲时间交替改变...