一种碳化硅晶片批量化高温退火装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种碳化硅晶片批量化高温退火装置，包括炉体外壳、加热器、发热件、保温层和晶片支架，炉体外壳上设有第一腔室门和第二腔室门，并与炉体外壳构成腔室，加热器环绕于炉体外壳的外侧，发热件、保温层和晶片支架从第一腔室门和/或第二腔室门放入腔室内，保温层设于发热件的四周，发热件为筒状结构，晶片支架可放置至少一片碳化硅晶片并放入发热件内部，晶片支架的放置尺寸可根据每一批次的碳化硅晶片的尺寸调整，第一腔室门上设有进气口和第一测温接口，第二腔室门上设有出气口和第二测温接口。该退火装置满足各种高温、高电压和高功率碳化硅器件的退火工艺，具有退火温度高、温度精确可控、腔室压强范围可调和腔室洁净度高等优点。室洁净度高等优点。室洁净度高等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶片批量化高温退火装置


[0001]本技术涉及半导体退火装置领域，尤其涉及一种碳化硅晶片批量化高温退火装置。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)半导体材料由于具有禁带宽度大、热导率高、击穿电场强度大、饱和电子漂移速率高和化学稳定性好等优点，能够满足现代工业对高温、高电压和高功率的需求，尤其在电动汽车、光伏逆变器、航天功率系统和通信系统等领域有广阔的应用前景。
[0003]离子注入是碳化硅器件研制过程中的一项关键工艺。由于离子注入过程中高能离子轰击造成相当大的Si和C原子位移，且注入的离子并不能完全到达晶格点上，起不到施主或受主杂质的作用。此外，注入离子与晶格原子之间的碰撞，给SiC表面及体内造成一定程度的晶格损伤，这些缺陷的存在大大降低了器件的少数载流子寿命，进而影响器件的性能。为了修复和消除离子注入造成的晶格损伤，同时提高注入离子的激活率，需要采用高温退火的方法，退火温度一般高于1500℃，并且维持30分钟到1个小时，然后快速降温。
[0004]随着4英寸和6英寸SiC单晶和外延片的逐渐量产，SiC半导体器件也得本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶片批量化高温退火装置，其特征在于：包括炉体外壳、加热器、发热件、保温层和晶片支架，所述炉体外壳上设有第一腔室门和第二腔室门，并与所述炉体外壳构成腔室，所述加热器环绕于所述炉体外壳的外侧，所述发热件、保温层和晶片支架从所述第一腔室门和/或第二腔室门放入所述腔室内，所述保温层设于所述发热件的四周，所述发热件为筒状结构，所述晶片支架可放置至少一片碳化硅晶片并放入所述发热件内部，所述晶片支架的放置尺寸可根据每一批次的碳化硅晶片的尺寸进行调整，所述第一腔室门上设有进气口和第一测温接口，所述第二腔室门上设有出气口和第二测温接口。2.根据权利要求1所述的碳化硅晶片批量化高温退火装置，其特征在于：所述晶片支架包括多个支撑杆以及位于所述支撑杆两端的固定板，所述固定板上设有固定所述支撑杆的多组安装孔，不同组安装孔对应于不同尺寸的碳化硅晶片。3.根据权利要求2所述的碳化硅晶片批量化高温退火装置，其特征在于：所述多个支撑杆上设有至少一组插槽，每一片碳化硅晶片放置在每一组插槽上。4.根据权利要求1所述的碳化硅晶片批量化高温退火装置，其特征在于：所述进气口包括保护气体进气口和工艺气体进气口，所述第一测温接口包括第一高温测温接口和低温测温接口，所述第二测温接口...

【专利技术属性】
技术研发人员：江长福，周贤权，
申请(专利权)人：厦门紫硅半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：