一种基于激光加热的SiC晶圆片翘曲修复方法技术

本发明专利技术提供了一种基于激光加热的SiC晶圆片翘曲修复方法，涉及SiC器件制造技术领域。该SiC晶圆片翘曲修复方法包括：将待修复的SiC晶圆片在激光退火装置中固定；获取该待修复的SiC晶圆片的翘曲度；根据所述翘曲度，确定该待修复的SiC晶圆片内部的加热面积和加热位置；根据所述加热面积和加热位置，确定所述激光退火装置的加热参数，根据所述加热参数对所述待修复的SiC晶圆片进行加热。本发明专利技术的SiC晶圆片翘曲修复方法，耗时短，能够有效提高生产效率，可以在保留膜层，且不影响膜层的前提下，达到修复翘曲的目的。修复翘曲的目的。修复翘曲的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种基于激光加热的SiC晶圆片翘曲修复方法


[0001]本专利技术涉及SiC器件制造
，具体涉及一种基于激光加热的SiC晶圆片翘曲修复方法。

技术介绍

[0002]在SiC器件制造过程中，SiC晶圆片在大能量或大剂量注入的情况下，会出现晶圆片翘曲变大的现象，严重时，翘曲度会达到200um以上。这对后续工艺，以及对翘曲有要求的机台而言，是无法接受的，且是不能正常操作的，例如曝光机台。并且，这种翘曲变大的现象，不能提前检测出来，只有注入后，才能表现出来，且不同的厂商衬底表现的翘曲度不一样。
[0003]针对翘曲的修复，一般采用炉管，对整片晶圆片进行上千度高温退火的方式。这种方法至少存在两个缺点，一是耗时长，影响产能。二是当晶圆片上有膜层，且膜层不能经受高温时，不能直接用此方法，需要先去膜层，在用炉管高温退火。并且在用侧墙自对准工艺时，此膜层不能去除，因为要用这个膜层形成后续工艺的侧墙。因此，现有的SiC晶圆片翘曲的修复方法存在耗时长、对表面有不耐高温的膜层的晶圆片不适用的缺陷。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请实施例提供一种基于激光加热的SiC晶圆片翘曲修复方法，以达到耗时短，以及可以在保留膜层，且不影响膜层的前提下，修复翘曲的目的。
[0005]本申请实施例提供以下技术方案：一种基于激光加热的SiC晶圆片翘曲修复方法，包括：
[0006]将待修复的SiC晶圆片在激光退火装置中固定；
[0007]获取该待修复的SiC晶圆片的翘曲度；
[0008]根据所述翘曲度，确定该待修复的SiC晶圆片内部的加热面积和加热位置；
[0009]根据所述加热面积和加热位置，确定所述激光退火装置的加热参数，根据所述加热参数对所述待修复的SiC晶圆片进行加热。
[0010]根据本专利技术的一种实施例，所述加热参数包括激光源数量及对应排布、激光器的焦距、SiC晶圆片和激光器间距、激光的波长、激光加热时间。
[0011]根据本专利技术的一种实施例，所述加热参数还包括激光器的输出功率；
[0012]根据所述翘曲度以及所述加热面积、加热位置，确定加热温度，根据所述加热温度，调整所述激光器的输出功率。
[0013]根据本专利技术的一种实施例，若该待修复的SiC晶圆片的表面膜层为透明，则所述激光退火装置的激光从该待修复的SiC晶圆片的正面或背面穿透至SiC晶圆片内部；
[0014]若该待修复的SiC晶圆片的表面膜层为非透明，则所述激光退火装置的激光从该待修复的SiC晶圆片的背面穿透至SiC晶圆片内部。
[0015]根据本专利技术的一种实施例，根据所述加热参数对所述待修复的SiC晶圆片进行加
热时，先根据确定的所述加热位置对所述待修复的SiC晶圆片的内部进行局部加热，局部加热后再次测量该SiC晶圆片的翘曲度，当所述翘曲度达到设定阈值时，再将该SiC晶圆片进行整体加热。
[0016]根据本专利技术的一种实施例，对所述待修复的SiC晶圆片的内部进行局部加热时，采用单一激光源加热；对该SiC晶圆片进行整体加热时，采用激光阵列加热。
[0017]根据本专利技术的一种实施例，激光的波长为300nm
‑
2000nm。
[0018]根据本专利技术的一种实施例，通过翘曲度测量仪获取该待修复的SiC晶圆片的翘曲度。
[0019]与现有技术相比，本专利技术实施例采用激光加热的方式修复翘曲，能够达到的有益效果至少包括：
[0020]1.耗时短，提高生产效率，相对于传统的炉管加热需要十几个小时，本专利技术采用激光仅需几分钟。
[0021]2.不受表面膜层限制，当晶圆片表面有不能受热膜层时，不需去除膜层，即可完成翘曲修复。
[0022]3.采用激光加热可降低SiC衬底成本。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0024]图1是本专利技术的修复方法流程示意图；
[0025]图2是本专利技术的SiC晶圆片产生翘曲的过程示意图；
[0026]图3是本专利技术的SiC晶圆片产生翘曲后的结构示意图；
[0027]图4是本专利技术的激光加热SiC晶圆片修复翘曲的示意图；
[0028]图5是本专利技术的激光加热SiC晶圆片修复翘曲的一种实施例示意图；
[0029]图6是本专利技术的激光加热SiC晶圆片修复翘曲的另一种实施例示意图。
具体实施方式
[0030]下面结合附图对本申请实施例进行详细描述。
[0031]以下通过特定的具体实例说明本公开的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本公开的其他优点与功效。显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。本公开还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本公开的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
[0032]要说明的是，下文描述在所附权利要求书的范围内的实施例的各种方面。应显而易见，本文中所描述的方面可体现于广泛多种形式中，且本文中所描述的任何特定结构及/或功能仅为说明性的。基于本公开，所属领域的技术人员应了解，本文中所描述的一个方面
可与任何其它方面独立地实施，且可以各种方式组合这些方面中的两者或两者以上。举例来说，可使用本文中所阐述的任何数目个方面来实施设备及/或实践方法。另外，可使用除了本文中所阐述的方面中的一或多者之外的其它结构及/或功能性实施此设备及/或实践此方法。
[0033]还需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本公开的基本构想，图式中仅显示与本公开中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0034]另外，在以下描述中，提供具体细节是为了便于透彻理解实例。然而，所属领域的技术人员将理解，可在没有这些特定细节的情况下实践所述方面。
[0035]如图1所示，本专利技术实施例提供了一种基于激光加热的SiC晶圆片翘曲的修复方法，包括：
[0036]S1.将待修复的SiC晶圆片在激光退火装置中固定；
[0037]SiC厚晶圆片正常制造流程流片，表面沉积完阻挡层，阻挡层刻蚀，然后正常注入，SiC晶圆片在大能量或大剂量注入的情况下，会出现晶圆片翘曲变大的现象，如图2和图3所示；将产生翘曲的SiC晶圆片在激光退火装置中的设备吸盘上固定，如图4所示；
[0038]S2.获取该待修复的SiC本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于激光加热的SiC晶圆片翘曲修复方法，其特征在于，包括：将待修复的SiC晶圆片在激光退火装置中固定；获取该待修复的SiC晶圆片的翘曲度；根据所述翘曲度，确定该待修复的SiC晶圆片内部的加热面积和加热位置；根据所述加热面积和加热位置，确定所述激光退火装置的加热参数，根据所述加热参数对所述待修复的SiC晶圆片进行加热。2.根据权利要求1所述的基于激光加热的SiC晶圆片翘曲修复方法，其特征在于，所述加热参数包括激光源数量及对应排布、激光器的焦距、SiC晶圆片和激光器间距、激光的波长、激光加热时间。3.根据权利要求1所述的基于激光加热的SiC晶圆片翘曲修复方法，其特征在于，所述加热参数还包括激光器的输出功率；根据所述翘曲度以及所述加热面积、加热位置，确定加热温度，根据所述加热温度，调整所述激光器的输出功率。4.根据权利要求1所述的基于激光加热的SiC晶圆片翘曲修复方法，其特征在于，若该待修复的SiC晶圆片的表面膜层为透明，则所述激光退火装置的激光从该待修复的SiC晶圆片的正面或背面穿透至SiC晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎磊，詹祖日，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：