本技术涉及导轨卡扣技术领域，特别涉及一种导轨卡扣和电源设备，导轨卡扣包括第一弹性件、第二弹性件和第三弹性件，在卡扣本体渐渐被推入时，限位块从第一通槽穿过并从两个第一弹性件之间穿过，由于两个第二弹性件相互靠近的两端之间的距离与限位块的前端...

本发明涉及PCBA板点胶技术领域，特别涉及一种用于PCBA板点胶的定位治具和装配方法，定位治具包括治具上板、治具下板和磁芯定位板，通过设置磁芯定位板，并在每个放置槽的槽底均设有用于放置E型磁芯的限位凹槽和磁芯定位板上开设有若干个用于容纳...

本发明涉及电子电路设计领域，尤其涉及一种用于控制芯片的反馈电路。由第九电阻、第十电阻以及反馈补偿电路决定电压输出端的输出电压，其中当正常输出电压时，适当调整与三极管电连接的第三电阻和第二电阻，让三极管工作在线性区。当电路工作时，第四电阻...

本技术涉及DCDC电源转换器技术领域，特别涉及一种金属外壳和DCDC电源转换器，包括内腔用于放置电源模块的壳体，壳体靠近电源模块的高压端的一侧壁设置为部分敞开结构，且部分敞开结构的未敞开部分对应电源模块的高压端设置，壳体靠近电源模块的低...

本实用新型涉及输入保护技术领域，特别涉及一种输入电压故障检测电路，包括光耦组件、电阻R4、电容C2、电容C4、二极管D3和基准电压源芯片U2，光耦组件的另一端与电阻R4的一端电连接，电阻R4的另一端与基准电压源芯片U2的阴极端电连接，基...

本实用新型涉及欠压保护技术领域，特别涉及一种带滞回功能的欠压保护电路，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、基准电压源芯片U2、三极管Q1和三极管Q2，电阻R3的另一端分别与电阻R1的一端、电阻R2的一端和基准电压源芯片U2的电压参考端电连...

本实用新型涉及输入过压控制技术领域，特别涉及一种开关电源的输入过压控制电路，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、稳压管ZD1、基准电压源芯片U1、三极管Q1和场效应管Q2，三极管Q1的基极与稳压管ZD1的阳极电连接，稳压管ZD1...

本实用新型涉及过流保护电路技术领域，特别涉及一种外置可调的过流保护电路，包括电阻R4、电阻R5、电容C2、电容C3、二极管D1、稳压管ZD1、互感器T2、三极管Q1和三极管Q2，二极管D1的阳极与互感器T2的初级绕组的一端电连接，互感器...

本实用新型涉及高压和低压隔离输出技术领域，特别涉及一种高低压输出电路，包括若干个稳压模块，若干个稳压模块依次串联连接，其中一个稳压模块并联有RCD吸收模块，稳压模块包括第二初级绕组T16和二极管D6，第二初级绕组T16与二极管D6相互串...

本实用新型涉及输出过压控制技术领域，特别涉及一种开关电源的输出过压控制电路，包括场效应管Q1、电容C1、三极管Q2、光敏三极管U1B、发光二极管U1A和基准电压源芯片U2，场效应管Q1的栅极分别与三极管Q2的发射极、光敏三极管U1B的一...

本实用新型涉及PCB板治具领域，特别涉及一种通孔回流焊治具，包括载具和压板，载具的一侧面向内凹陷形成用以放置PCB板的装载槽，载具的一侧面上还对称设有两个限位条，两个限位条相互靠近的一侧面开设有若干个用于放置Pin针的放置槽，压板盖设在...

本实用新型涉及开关电源输入保护技术领域，特别涉及一种开关电源的输入保护电路，包括第一电压基准源、第二电压基准源和分压模块，第一电压基准源的阴极端和第二电压基准源的阴极端分别与开关电源的供电端电连接，第一电压基准源的阳极端分别与分压模块和...

本实用新型涉及开关电源控制电路技术领域，特别涉及一种开关电源控制电路，包括处理电路、传递电路、接收电路、三极管Q3、电阻R9和电阻R10，传递电路分别与处理电路、接收电路和三极管Q3的集电极电连接，三极管Q3的基极分别与电阻R9的一端和...

本实用新型涉及新型他激式微功率模块技术领域，特别涉及一种新型他激式微功率模块，包括输入滤波模块、控制模块、功率传输模块、整流模块和电压调整模块，控制模块分别与输入滤波模块和功率传输模块电连接，整流模块分别与功率传输模块和电压调整模块电连...

本实用新型涉及变压器技术领域，特别涉及一种新型磁芯和微功率转换器的变压器，包括E型磁芯组件和I型磁芯组件，E型磁芯组件包括第一底板，第一底板的一侧面上设有第一凸起和两个侧板，两个侧板分别设置在第一底板的一侧面的相对两端，第一凸起位于两个...

本发明涉及他激式微功率模块技术领域，特别涉及一种他激式微功率模块，包括控制模块、功率传输模块和电压调整模块，控制模块与功率传输模块电连接，功率传输模块与电压调整模块电连接，电压调整模块的输出端与外设的Buck电路电连接，Buck电路处于...

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种基于GaN技术的工业电源，通过在外延层中的外延扩散区的中心位置设置第一掺质区和设置的第三掺质区形成耗尽区，通过设置第四掺质区形成薄耗尽区，这样使得第一掺质区能够全部耗尽，形成了本征半导体的结构，...

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种基于GaN技术的工业电源，通过在外延层中的外延扩散区的中心位置设置第一掺质区和设置的第三掺质区形成耗尽区，通过设置第四掺质区形成薄耗尽区，这样使得第一掺质区能够全部耗尽，形成了本征半导体的结构，能够...

本实用新型涉及电子电路设计领域，尤其涉及一种电压采样电路，用于采样变压器的输出电压，还包括辅助绕组、第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻、第一二极管和采样芯片；所述辅助绕组与变压器的副边绕组对应设置，所述采样芯片通过第二电阻与副边绕组...

本实用新型涉及电子电路设计领域，尤其涉及一种高精度反馈电路。由第九电阻、第十电阻以及反馈补偿电路决定电压输出端的输出电压，其中当正常输出电压时，适当调整与三极管电连接的第三电阻和第二电阻，让三极管工作在线性区。当电路工作时，第四电阻和第...